SK 海力士在 Hot Chips 2026 大会上的报告阐述了高带宽内存（HBM）如何迭代演进，以满足人工智能极高的内存需求。报告的核心观点是：未来 HBM 技术进步，不仅依赖性能更优异的 DRAM 电路，还离不开先进封装、更高密度的垂直集成、热管理技术升级，以及内存与处理器设计之间更紧密的协同配合。HBM 通过硅通孔（TSV）技术，将多颗 DRAM 裸片垂直堆叠在基底裸片之上。整套内存封装与 GPU 或 AI 加速器共同放置在硅中介层上，依靠数千条并行链路完成数据交互。相较于传统内存，这种宽接口方案能
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高带宽内存
HBM
SK 海力士正在日本物色建厂地块，计划建设一座以合资模式运营的存储芯片工厂。SK 海力士董事长崔泰源向彭博社表示：“我们正在日本全境考察，只要电力与水资源条件优良的地区都在考虑范围内。”铠侠（Kioxia）是最合乎逻辑的合作方。2018 年贝恩资本主导收购铠侠时，海力士作为合作方购入相关债券；若将这批债券转成股权，海力士将成为铠侠的第一大股东。完成债转股后，海力士将持有铠侠 14.19% 的股份。上周，SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，公司对于这笔股权 “尚未制定确定方案”，同时补充道：“但我们正在审慎研
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闪存合资
据彭博社消息，英伟达计划在 2027 年初，将 Vera Rubin 与 Grace Blackwell 系列服务器的售价上调15% 以上。此举将提升主流内存厂商在 HBM 价格谈判中的议价筹码。Bloter 援引分析师观点，预计 2027 年 HBM 合约价较 2026 年上涨超 50%，三星电子与 SK 海力士有望从中获益。Bloter 表示，此番涨价行情将覆盖全系列 HBM 产品，包含 HBM3e、HBM4、HBM4e。报道援引瑞银的更为乐观的预测：HBM4、HBM4e 的市场表现远超最初预期，预计
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混合键合一直是下一代存储芯片主流堆叠方案的热门技术，但韩国媒体报道称，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽相关标准后，三星与 SK 海力士或将在 HBM4 产品中放弃搭载这项工艺。旧版规范规定下一代 HBM 存储堆叠总厚度上限为 900 微米，新标准则将厚度放宽至 1000 微米。报道：行业标准放宽，存储厂商下一代 HBM 或跳过混合键合早在今年 4 月就有消息传出 SK 海力士有意布局混合键合技术，当时报道称这家韩企已完成 12 层堆叠 HBM 芯片的混合键合验证，原计划在 HBM4 量产阶段落地该
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混合键合
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4月8日，SK海力士宣布已开始出货其最新款cSSD PQC21——这是业内首款采用321层QLC NAND闪存的产品。从4月起，SK海力士将开始向戴尔科技集团批量出货，同时稳步拓展与其他全球领先客户的合作。SK海力士表示，凭借这一发展势头，公司目标是在下一代AI PC存储领域占据主导地位，并明确加大力度扩大其在基于QLC的cSSD（固态硬盘）领域的市场份额。据SK海力士介绍，该解决方案将超高的321层堆叠技术与QLC架构相结合。利用QLC每单元4比特的设计，在相同的物理尺寸下，显著提高了存储密度并最大限度
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SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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LPDDR6 DRAM
海力士宣布成功研发首款 LPDDR6 动态随机存取存储器，超性能版LPDDR6内存较LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率达 10.7Gbps，基于 10nm 工艺打造。LPDDR6 内存架构一旦落地于 SOCAMM 模组，或将成为数据中心市场的一大助力。这家存储芯片厂商同时透露，此款 LPDDR6 内存基于其 2024 年发布的领先 10nm 级（1c）工艺节点打造。新款 LPDDR6 内存芯片基础运行速率超 10.7Gbps，远超目前市场上性能最强的在售 LPDDR5X 内存
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在半导体行业迎来 “超级周期”、三星电子与 SK 海力士两大企业创下营收纪录的背景下，这两家韩国芯片龙头企业正大幅扩大应届生招聘规模。随着全球人工智能竞赛推动半导体需求持续攀升，各大企业新产线建设稳步推进，芯片行业的用工需求激增，为该领域求职者带来大量机会。三星电子率先布局据行业消息人士透露，三星电子及其旗下三星显示、三星电机、三星 SDI 等核心子公司，最快将于本月启动今年上半年的应届生公开招聘。为扩大半导体产能，三星电子正于京畿道平泽市和龙仁半导体产业集群兴建新晶圆厂，相关人才的储备工作迫在眉睫，公司
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SK海力士近日公布了一种以高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）为核心的全新半导体架构概念。HBF是一种将多层NAND闪存芯片堆叠而成的存储技术。据《韩国经济新闻》（Hankyung）报道，该公司近期在电气与电子工程师协会（IEEE）上发表论文，首次详细阐述了这一名为“H3”的架构理念。所谓“H3”，即混合架构（Hybrid HBM+HBF Architecture），将高带宽内存（HBM）整合于同一设计中。报道称，在当前主流AI芯片（包括英伟达计划于今年下半年发布的Rubin平
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海力士
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人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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带宽存储
随着存储芯片价格持续上涨，三星电子与SK海力士有望实现NAND闪存业务毛利率的历史新高。据ZDNet报道，两家公司预计将在今年上半年继续激进上调NAND产品价格，业内预估其毛利率将攀升至40%–50% 区间。ZDNet指出，这将是NAND产品近十年来首次达到如此高的盈利水平——上一次类似盛况还要追溯到2017年的存储“超级周期”。报道补充称，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至约20%。报道援引业内人士消息称，市场普遍预期NAND价格将在第一季度和第二季度分阶段持续上涨。由于存储厂商对N
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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存储厂商
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SK 海力士正在美国设立 AI Co. 以扩大其在美业务。
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内存供应紧张局面仍在持续。据《日经亚洲》援引消息人士称，三大存储芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星电子（Samsung Electronics）已加强对客户订单的审查，以防止蓄意囤积库存。报道称，这三家公司已收紧要求，要求客户提供终端客户信息及订单数量，以确保需求真实，避免过度预订或大规模囤货进一步扰乱市场。在当前持续短缺的背景下，报告指出，入门级和中端消费电子产品——如电视机、机顶盒、家用路由器、低价平板电脑、智能手机和PC——预计将受到最严重冲击，而汽车行业也可能
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存储
1 月 28 日消息，据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，约三分之二已分配给 SK 海力士，拿下了接近整体 70% 的供货份额。这一数据相比此前市场预计 SK 海力士将供应英伟达 50% 以上 HBM4 的水平，明显有所提升。去年年底，市场调研机构 Counterpoint 预测，今年全球 HBM
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据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保释。崔于去年9月因违反《防止泄露和保护工业技术法》等罪名被捕起诉，并于今年3月被额外起诉。根据《刑事诉讼法》，一审拘留期为六个月。法院在拘留期届满前依职权准予保释。此外，据报道，与崔一起被捕并被起诉的前三星电子高级研究员吴氏已于 8 月 28 日被保释。吴某于同月21日申请保释，法院受理。
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DRAM
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海力士
存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协商根据市场条件调整价格。在三大巨头中，美光是第一个宣布提价的，据 EE Times China9 月 12 日报道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的价格将上涨 20%-30%，提价不仅涉及消费级和工业级存储，还包括汽车电子，后者的价格涨幅可能达到 70%。行业消息来源还表
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DRAM
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三星
AI
海力士
SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的开发，并最终准备好大规模生产——成为世界上首家完成这一壮举的公司。根据其新闻稿，该公司现在已准备好按照客户的时间表交付顶级 HBM4。在其新闻稿中，SK hynix 强调，其现已成为大规模生产准备的 HBM4 提供了业内领先的数据处理速度和能效。通过采用 2,048 个 I/O 端，带宽已翻倍——是上一代的两倍，而能效提高了 40%以上。该公司还预计 HBM4 将使 AI 服务性能提高高达 69%，有助于克服数据瓶颈，并显著降低数据中心电力成本，据
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海力士
HBM
存储
据《彭博社》报道，国政府似乎正在考虑用年度许可证取代为三星和 SK 海力士的无限期晶圆厂设备出口许可的决定。这一决定将增加显著的监管复杂性，但至少可以维持晶圆厂运营的连续性，这意味着不会扰乱全球 DRAM 和 NAND 存储器的高波动供应。以前，三星和 SK 海力士在经过验证的最终用户（VEU）状态下运营，这使他们能够根据事先遵守美国安全和监控措施，获得进口受限晶圆厂设备（WFE）到其中国晶圆厂的全面批准，这大大简化了他们的运营。这些许可将于今年年底到期。作为 VEU 的替代方案，美国商务部最近向韩国官员
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三星
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晶圆设备
ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一
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EUV
光刻机
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周六，中国商务部回应了美国撤销英特尔、三星和海力士在中国制造业务的“验证最终用户”（VEU）授权的决定。周五，美国商务部宣布将英特尔半导体（大连）有限公司、三星中国半导体有限公司和SK海力士半导体（中国）有限公司从VEU名单中删除。VEU 授权允许受美国限制的出口商将某些高科技民用物品运送到预先批准的实体，而无需为每批货物单独出口许可证。中国商务部将美国此举描述为“出于美国的政治动机和自身利益”，并“将出口管制变成政治工具和武器”，以遏制中国在半导体技术方面的发展。该部还表示，美国。是“故意扰乱和破坏全球
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英特尔
三星
海力士
VEU授权
三星和 SK 海力士虽然暂时免于美国政府入股的风险，但随着华盛顿撤销豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允许他们自由进口美国芯片制造设备——根据 路透社和 彭博社的数据，三星和 SK 海力士在中国遇到了新的障碍 。正如联邦文件所示，报告表明撤销将在 120 天后开始。报道补充说，值得注意的是，美国政府表示将批准三星和 SK 海力士的许可，以维持其在中国现有晶圆厂的运营，但不会批准产能扩张或技术升级。路透社指出，英特尔也上市，尽管它已经在今年早些时候通过出售其大连工厂
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晶圆厂
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作为英伟达 HBM3 和 HBM3e 的关键供应商，也是人工智能繁荣的主要受益者，SK 海力士在其最新发布的 2025 年半年度报告中展示了其强大的行业地位，突出了与美国芯片巨头的紧密合作关系。据 Yonhap News 报道，该公司仅从英伟达处在本年度上半年就据报道赚取了约 110 万亿韩元收入。值得注意的是，据 SK 海力士提供的数据，Yonhap 报道称，来自单个“主要客户”的收入在 2025 年上半年达到了 108.9 万亿韩元。同期，SK 海力士合并总收入为 398.7 万亿
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英伟达
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据称，英伟达今年计划采购高达 80 万个 SOCAMM 单位，三大内存巨头之间一个新的战场正在形成。美国美光似乎正在领先，据报道，美光已开始为英伟达生产 SOCAMM 模块。与此同时，三星和 SK 海力士正积极加入竞争。以下是他们最新的进展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型轮廓压缩附加内存模块）是一种新型服务器内存模块，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并针对现有 HBM 无法完全支持的负载。韩国 Herald 解释说，SOCAMM 垂直堆
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英伟达
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三星
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SOCAMM
随着英伟达以及 Meta、谷歌等云巨头加大 AI 投入，推动 HBM 需求增长，分析师警告明年可能面临价格下跌。据高盛称，经济日报报道，竞争加剧和供过于求可能导致 2026 年首次出现 HBM 价格下跌——这对市场领导者 SK hynix 构成挑战。值得注意的是，据高盛称，2026 年 HBM 价格可能下跌两位数。此外，竞争加剧以及定价权向主要客户转移（SK hynix 受影响严重）可能挤压该公司的利润空间，高盛警告称。根据高盛的预测，HBM 价格下降的趋势可能归因于主要参与者 HBM 比特供应的显著增加
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随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。定制 HBM 更
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三星
海力士
英伟达
HBM4E
3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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海力士
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HBM3E 芯片
2月19日消息，据报道，SK海力士已经准备好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1标准，由台积电（TSMC）负责制造，选择更为先进的工艺。同时，SK海力士还在积极推进2.5D和扇出晶圆级封装（FOWLP）技术的开发，并计划将相关芯片技术商业化。据消息透露，SK海力士计划从2025年第一季度末开始批量生产基于CXL标准的DDR5内存模块，进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。CXL作为一种开放性的互联协议，能够实现CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间
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台积电
12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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SK 海力士
内存
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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