- 因宣布入股台湾多家半导体公司，而闹得满城风雨的中国清华紫光集团董事长赵伟国，销声匿迹一段时间，现在又重现江湖。
这回，他将掌管整合后的中国记忆体最新国家队──资本额一八九亿人民币(约八七七亿台币)、于七月二十六日宣布成立的长江存储。
经营房地产致富的赵伟国，过去接受记者专访时，一再强调他一系列遍布美国、台湾的半导体业投资，纯粹出于商业考量，并非中国政府授意。
然而，“长江存储董事长”这个新身分，代表他已是中国国家半导体政策的主导者之一。
根据报导，湖北省
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三星 海力士
- 市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星第一季豪取全球移动DRAM逾六成市场(60.4%)，不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。
尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。
SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03亿美元。加总三星与海力士市占率，从去年第四
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海力士 DRAM
- 工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是最大潜在受害者。
联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术，引起各界关注。
工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。
杨瑞临指出，中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展，除这次委托联电开发技术的晋华外，还有武汉新芯，中芯也传将重操旧业，
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DRAM 海力士
- 北京时间13日 韩联社报道，据美国知名半导体市场调研机构IC Insights13日消息，三星[微博]电子和SK海力士入围整合元件制造商三甲，而全球十大芯片设计公司(Fabless)中没有一家韩国企业。 在2015年整合元件制造商销售排名中，三星电子(416亿美元)和SK海力士(169亿美元)分列第二和第三，而英特尔(34.27, -0.50, -1.44%)以503亿美元稳居榜首。在芯片设计企业方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安华高-博通(57.34, -0
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三星 海力士
- 北京时间11月27日下午消息，韩国芯片制造商SK海力士发言人今天表示，该公司拒绝了紫光集团的合作要约，但并未提供详细信息。 最近有媒体报道称，紫光集团计划收购海力士最多20%的股权。但该发言人拒绝对此置评。 紫光集团发言人称，该公司尚未留意相关事项。
SK海力士股价周三和周四累计大涨8.4%，但周五午盘下跌0.6%。
紫光集团今年早些时候斥资230亿美元洽购美光集团，同样遭到拒绝。但知情人士表示，该公司尚未放弃这项交易。
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- 动态随机存取记忆体(DRAM)现货价持续破底，DDR3 4Gb颗粒现货均价已跌破2美元大关，达1.96美元，创历史新低价。
DRAM市场库存问题依然严重，DRAM现货价如预期持续滑落，据市调机构集邦科技调查，DDR3 4Gb颗粒现货均价滑落至1.96美元，创下历史新低价。
第4季来DDR3 4Gb颗粒现货均价下跌约0.16美元，跌幅约7.54%。
南亚科预期，DRAM价格可望逐步趋于稳定，第4季产品价格将较第3季微幅下滑。
只是集邦科技对DRAM后市看法相对保守，表示目前市场已
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- 昨日南韩半导体厂SK 海力士才发布史上最大扩产计画，隔天三星即宣布新厂下个月就将成军启用，这也宣告记忆体市场正式进入新一轮的军备竞赛。
三星新厂位于首尔南部的水原市，可用于量产DRAM等记忆体或逻辑晶片。消息指出，水原厂部分产线过去几个月已进行过试产，年底将全面启用。
另外，三星目前在平泽市还有一半导体厂正在兴建，三星计画未来两年在这座工厂砸下15兆韩圜(125亿美元)，是韩国史上对单一半导体厂的最大投资案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未来十年内将投
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三星 海力士
- 全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布，规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元)，在南韩兴建两座新厂，预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号，市场忧心，SK海力士大举扩产，长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出，投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资，因为大规模的支出可能导致供给过剩，或引爆价格战，这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响，南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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- 南韩记忆体大厂SK 海力士与美国同业SanDisk不打不相识，海力士周三宣布，与美国同业SanDisk的官司已在庭外达成和解，与此同时，双方还将扩大专利合作，正式成为伙伴关系。
SanDisk去年按铃控告旗下某职员于2008年跳槽后，将机密泄漏给海力士，但在双方达成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士与SanDisk不仅一笑泯恩仇，还进一步就专利授权取得新协议。声明稿指出，海力士将支付SanDisk 权利金，并供应DRAM予SanDisk，时间将持续至2023年。 海力士与东芝的官司去
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- 南韩记忆体大厂SK 海力士周二宣布加入三星、东芝与美光等强敌之列，其3D NAND 快闪记忆体第三季将正式进入量产阶段，预计9月开始对客户出货。
快闪记忆体量产在2D平面微缩制程已遭遇瓶颈，因此走向3D立体堆叠已是大势所趋。据日经新闻报导，海力士将优先推出固态硬碟(SSD)用36层记忆体晶片试市场水温后，48层产品明年才会投产。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季财报逊于预期，受PC用DRAM需求低迷影响，当季营业利润仅1.37兆韩圜，低于分析师预估的1.44兆韩圜。 由于PC本季市况依旧
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- 过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1：HBM模组横截面示意图
(来
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海力士 存储器
- 过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1显示四个DRAM晶片与一个逻辑晶片堆叠并固定至中介层晶片。该中介
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- 记忆体大厂整军经武，准备展开新一波大战!据传三星电子和SK 海力士 (SK Hynix )将大买设备，积极投资3D NAND Flash;另外DRAM也将转进新制程，拉高战力。
韩媒etnews 6日报导，记忆体大厂争相量产3D NAND Flash，新制程和传统NAND Flash相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆叠，提高效能。据了解，由2D转进3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。据了解，三星最早量产3D
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- 三星移动终端受挫，但是呢人家在DRAM领域闷声发大财。
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- 全球第2大NAND型快闪存储器 (Flash Memory)厂商东芝 ( Toshiba )5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术「纳米压印技术(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK 海力士 (SK Hynix )正式签署契约，双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术，目标为在2017年实用化。
东芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵权案一事达成和解，海力士(
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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