海力士半导体决定通过回购恒亿所持合资企业的21%股份以终止双方合资企业的合作关系，此举符合市场广泛预期。
综合外电5月31日报道，以收入计全球第二大电脑存储芯片制造商海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)决定终止与恒亿公司(Numonyx)建立的合资企业，前者将以4.23亿美元回购后者所持合资企业的21%股份。
2010年早些时候，美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7亿美元收购了恒亿公司，此后市场广泛预期海力士半导体公司将作出上述决定。
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韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。
除提高投资外，该份名为「财务稳健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦显示，海力士在2012年的营收目标为12兆韩元，较2010年的10兆韩元成长20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率则可望达到20
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海力士(Hynix)决定将持有的韩国半导体装备专利及实用新发明831件，释出给合作伙伴参与，若往来的公司对这些专利有需求及合作意愿，海力士将以贩售或给予使用许可的方式提供支持。
海力士为强化与半导体装备、原料等相关中小企业之间的合作关系，因而准备了此方案，并在支持合作公司的网站heinet.hynix.com上开设专利支持系统以供使用。
透过此方案，海力士首先对合作公司公开专利及实用新发明831件，并打算出售或提供使用权。除公开的831件新发明外，若合作公司有要求，也可讨论移转的可能性。
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以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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据路透(Reuters)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)表示，正在考虑为2007年释出的5.83亿美元可转换债券进行再融资，该批可转换债券原定2010年5月可提前赎回。
海力士尚未决定再融资的方式及时间细节，且尚未决定要由哪里家银行经手。韩国媒体则点名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信贷银行(Credit Suisse)、美林证券(Merrill Lynch)及苏格兰皇家银行(Royal Bank of Scotland)可能为经手商。
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海力士-恒忆半导体有限公司是江苏最大的外商独资项目，为解决该公司精密设备无震动运输的特殊要求，无锡海关创造性地推出“车载物流”监管模式，5个月节约物流成本2000万元。
无锡海关相关负责人介绍说，“车载物流”即载货车辆利用客货班轮进入口岸后，不再需要卸货换装，而是由原车直接完成“陆-海-陆”全程联运，实现门到门运输的新型物流模式。采用这种模式后，海力士在5个月内完成三期工程设备的进境和安装调试，工程产值近5亿美元，同时也为公
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海力士 半导体
据国外媒体报道，韩国海力士半导体的主要债权人韩国外换银行周二表示，海力士半导体的债权人已经以9232亿韩元(约合8.14亿美元)的价格出售了公司6.7%的股份。海力士半导体是全球第二大内存芯片制造商。
韩国外换银行周二发表声明称，海力士的债权人以平均每股2.35万韩元的价格出售了3928万股股份，出售价在每股2.28万韩元至2.35万韩元间。
韩华证券分析师Suh Do Won发表研究报告称：“海力士估值过高的状况似乎有所缓解，目前股价应当反映了公司基本面的强劲好转。&rdqu
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海力士半导体的债权人已任命权五哲为公司新任CEO。
海力士主要债权人韩国外换银行在一封邮件中表示，海力士债权人面试了公司执行副总裁崔镇奭、执行副总裁朴星昱和高级副总裁金旻彻，最终选择权五哲为新任CEO。
海力士债权人此前为拯救海力士投入了46亿美元资金。这些债权人正寻求在今年内出售海力士最多13%的股份。根据海力士当前股价，这部分股份估值为15亿美元。
权五哲将接替海力士现任CEO金钟甲，后者已被任命为海力士董事会主席。随着半导体行业的复苏，权五哲需要保证海力士能持续实现利润增长。分
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继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。
海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。
海力士表示，和30nm工艺相比，新工艺的闪存芯片的产能将翻一番，成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道，海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占
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2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发出警告，认为今年DRAM芯片恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM芯片龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警告，看法与三星大为迥异。海力士发警告，将牵动南科、华亚科、力晶以及创见、威刚等台湾内存企业发展计划。
外电报道，海力士执行长金钟甲在接受媒体採访时透露，由于各大晶片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM芯片会供给过剩
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韩国首尔东部地检刑事6部3日表示，对美国AM公司副总经理郭某和韩国分公司AMK公司组长金某提出拘留起诉，并对其他8名职员进行不拘留起诉。他们涉嫌 窃取三星电子95项半导体生产技术，并将其中13项转交给海力士。AM公司是全球最大的芯片生产设备企业，同三星电子和海力士都有合作关系，向他们提供产 品。
检方表示，AM公司盗取的三星电子核心技术中包括三星电子本月1日公布的30纳米DRAM(动态随机存储记忆体)芯片相关资料，这在全球还是首创，另外还包括40项“国家核心技术”。
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据国外媒体报道，海力士半导体出售工作再次以失败告终。
海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc)的债权团在29日的最后期限之前没有收到任何对其海力士半导体公司股份的报价。
债权团将于下月初召开协商会，讨论海力士的经营结构，以及今后的公司处理方案。
海力士半导体的债权人去年12月致函本地公司，邀请他们在周五之前就收购其所持海力士半导体全部或部分股份提交初步报价。
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据国外媒体报道，一位知情人士周二透露，在周五最后日期前，韩国海力士半导体的债权人尚未能找到有意收购海力士半导体股权的买家，而如果竞标失败，债权人可能会考虑将其所持股权整体出售。
这位不愿具名的人士表示，目前来看，出售股权交易的前景并不乐观。
海力士半导体发言人Park Hyun表示，公司并不清楚这一状况。
海力士半导体的债权人去年12月致函本地公司，邀请他们在周五之前就收购其所持海力士半导体全部或部分股份提交初步报价。
债权人此前寻求出售他们在海力士半导体所持总计28%的股份，
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据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NANDFlash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NANDFlash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NANDFlash三哥宝座，并防止三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Tosh
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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