- 2月13日消息，据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。其中三星在去年末已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上，另外还调低了韩国华城12号和17号生产线的产量，以进一步降低整体产量。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步
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三星 SK海力士 NAND闪存
- 2024年11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。”公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经
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SK海力士 321层 NAND闪存
- 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND 新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景带来出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表
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美光 NAND闪存
- IT之家 3 月 5 日消息，据台媒《经济日报》报道，在铠侠提升 NAND 产能的消息传出后，两家下游厂商群联和威刚的高管分别就此表达自身看法。根据之前报道，铠侠表示将重新审视 NAND 闪存减产策略，本月内将开工率提升至 90%。群联执行长（CEO）潘建成表示群联目前仍处于缺货状态，如果 NAND 闪存原厂可以合理价格提供稳定供货，对群联算是好事。此外原厂扩产可帮助 NAND 市场恢复秩序：闪存价格若持续上涨将影响下游厂商需求，而原厂产能提升可平抑价格。对各下游厂商而言，现有的低价 NAND
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铠侠 NAND闪存
- IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。“第九代 V-NAND 基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中写道。IT之家注意到，8 月份就有消息称，三
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三星 存储 NAND闪存
- 半导体并购再起 2020年以来，半导体的重磅收购不断，10月20日，SK海力士和英特尔官宣，SK海力士将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务、以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂，不过，英特尔将保留傲腾(Optane)的存储业务。 SK海力士在声明中表示，SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD（固态硬盘）业务(包括NAND
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SK海力士 英特尔 NAND闪存
- NAND闪存价格连跌6个季度、DRAM内存价格连跌3个季度，这本来是下游厂商以及消费者期盼已久的，毕竟2016到2018年间内存、闪存芯片几乎涨了2年，让消费者吃够了涨价的苦头了。
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内存 NAND闪存 威刚
- 紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司，也是目前进度最好的，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存，前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会（CITE2019）上展示了企业级P8260硬盘，使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存，该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存，目前计划进展顺利，没有任何障碍。
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长江存储 3D NAND闪存 64层堆栈
- 简析：固态硬盘（SSD）相关概念-目前闪存在企业级应用也越来越多，包括混合闪存阵列以及全闪存阵列全面上市，而且Gartner机构预测，未来几年闪存会有很大的发展。这里提的闪存概念是SSD概念，即固态硬盘，而固态硬盘是由多个NAND闪存芯片组成的。采用FLASH芯片作为存储介质，这也是我们通常所说的SSD。这种SSD 固态硬盘最大的优点就是可以移动，而且数据保护不受电源控制，能适应于各种环境。
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固态硬盘 SSD NAND闪存
- 内存颗粒涨价狂潮，来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节-2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司（IMFT）在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元（MLC）闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的IP库支持下，IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。
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NAND闪存 闪存
- NAND闪存的平均销售价格在2013上半年一路上涨，但是第三季度的市场却不容乐观，由于库存的压力，平均售价在下半年预计会下挫，厂商们应该持有一个
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第三季度 NAND闪存
- 全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。
三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示：“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线，我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化，将加强三星产品的市场竞争力，进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”
3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品，每
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三星 V-NAND闪存
- 全球存储领军品牌三星电子今日宣布，已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维V-NAND闪存”。
三星电子此次推出的32层三维V-NAND，与之前推出的24层V-NAND相比，虽然堆叠存储单元的设计难度更高，但是因为可以直接使用生产第一代V-NAND闪存的设备，所以具有更高的生产效率。
除此之外，三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推
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三星 V-NAND闪存
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