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nand闪存 文章 进入nand闪存技术社区

尔必达计划收购美国Spansion闪存资产

  •   3月4日消息,据国外媒体报道,尔必达公司今日表示,计划收购美国晶片制造商Spansion的NAND闪存资产。Spansion是由日本富士通和AMD组建的合资企业,该公司去年3月申请破产。   尔必达记忆体将斥资30-50亿日元(合3400-5700万美元)收购Spansion的NAND相关资产,其中包括在意大利的一个研发工厂。   尔必达希望提供半导体模组,结合DRAM和闪存功能。这些模组在苹果iPhone等智能手机方面的运用增长趋势明显,尔必达正在追赶DRAM领域的领军企业三星电子和海力士半导体
  • 关键字: 尔必达  NAND闪存  DRAM  

市场调研公司开始对于2010年半导体市场作第一次修正

  •   全球1月半导体的销售额数据出笼,让分析师们的眼睛一亮,纷纷提高2010年的预测。为什么如此迫不及待,值得思考。   按SIA总裁的看法,全球半导体销售额1月的最新数据(三个月的移动平均值) 比12月的225亿美元上升0,3%,分析推动市场增长在众多方面, 包括计算机, 手机, 汽车电子和工业应用。如果与去年同期相比, 销售额增长达47%,显然与09年1月时正值全球的最低点有关。        SIA总裁Scalise认为,传统上因为季节的原因, 通常1月会比12月有所下降, 所以
  • 关键字: 半导体  汽车电子  DRAM  NAND闪存  

三星/海力士NAND闪存芯片迈向20nm级工艺

  •   继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后,韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。   海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片,这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。   海力士表示,和30nm工艺相比,新工艺的闪存芯片的产能将翻一番,成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道,海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占
  • 关键字: 三星  20nm  NAND闪存  海力士  

智能手机将使用更高性能的Managed型NAND闪存

  •   尽管智能手机在其它许多方面目前比普通手机更为先进,但目前智能手机中所配用的闪存与普通手机里的并没有太大的区别,仍然使用的是普通规格的闪存,这种闪 存在读写性能方面较为一般化。不过这种情况在未来一段时间内有望改观,闪存芯片厂商会为手机制造性能更好,可媲美PC用闪存性能的闪存芯片。     镁光公司副总裁Brian Shirley称:“目前大多数播放器使用的都是普通的RAW型NAND闪存,不过我们未来会向手机推出更高级的Managed型NAND闪存。”这种Mana
  • 关键字: 智能手机  NAND闪存  SSD硬盘  iPhone  

TDK推出兼容U.DMA 6的工业用CompactFlash存储卡和高可靠性RA8系列固态硬盘

  •   TDK公司2008年11月17日宣布,将于2008年12月开始销售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工业 用CompactFlash(CF)存储卡和兼容并行ATA(PATA)模式的SDG8A系列固态硬盘 (SSD),最大容量高达16 Gbyte。   这些产品将TDK独创的NAND闪存控制器(兼容GBDriver RA8 U.DMA 6)与高速、高频写 入单层单元(SLC)NAND闪存相结合,从而打造出业内最先进的NAND闪存卡,在高速性 能、耐用性及高可靠性方面迈上了新台阶。   此外,
  • 关键字: TDK  NAND闪存  控制器  

福布斯:Sun的闪存梦想

  •   《福布斯》日前刊文指出,昔日的服务器巨头Sun微系统公司正将其新的希望寄托在基于闪存技术的创新产品之上,希望借此恢复昔日的辉煌。   11月3日,Sun推出了一系列基于NAND闪存的数据中心存储产品。众所周知,闪存广泛应用于诸如iPods、笔记本、MP3、MP4产品之中,因为闪存不仅可以提供更快的存储速度,而且更省电。为此Sun号称其全新的存储系统Amber Road不仅更轻薄易于使用,而且其速度和效率是同等产品的4倍。   不像传统的硬盘,固件方式的闪存没有旋转的部件,因此不需要花费
  • 关键字: NAND闪存  Sun  硬盘  存储系统  

美光科技关厂、裁员、降薪

  •   北京时间10月10日消息,据国外媒体报道,半导体储存及影像产品制造商美光科技(Micron Tech)表示,公司将会关闭位于美国爱达荷州首府博伊西(Boise)的NAND闪存芯片工厂,另外,作为电脑存储芯片业务重组的一部分公司将在两年内裁员15%。   美光科技目前的员工总数约为2.26万人,此次裁员涉及总人数为2850人,其中1500人来自博伊西。   本周四,美光科技表示,消费者需求下降和产品过渡供应导致闪存芯片的售价低于成本,因此公司决定关闭位于博伊西的NAND闪存工厂,并于未来
  • 关键字: 半导体  美光科技  NAND闪存  闪存芯片  

金融风暴蜕变之痛 芯片制造业重新洗牌

  •   10月10日 据知情人透露,五桩价值数十亿美元的重大交易目前已经摆上台面,牵涉到日本、台湾和韩国的芯片制造业巨头。日本电子业巨头东芝正在进行谈判,意欲收购美国的内存芯片制造商Spansion。内存芯片是手机、笔记本电脑、摄像机、MP3播放器等高科技产品的重要支柱。不过,由于全球金融危机压抑了消费者的购物热情,对高科技产品的需求直线降低,导致内存芯片的需求跟着下跌,致使芯片售价低于制造成本。   法国巴黎银行分析师彼得-于(Peter Yu)说:“这堪比一场完美风暴。这个产业正步入产
  • 关键字: 东芝  美光科技  内存芯片  NAND闪存  

SSD存储技术将终结HDD

  •   HDD(混合硬盘存储)、磁盘存储技术将会让位于更简便的、更有效的SSD(固态存储)。有什么证明吗?希捷、西部数据、三星、东芝。英特尔、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI逻辑等企业正在开发闪存技术作为下一代处理器,并已形成规模。有一些企业诸如Spansion 和Virident Systems正在开发先进的SSD技术。闪存技术是可移动USB存储设备的苹果iPod以及iPhone的核心。戴尔和Sun等多年前就在开发SSD技术。以下分析可以说明为何SSD是HHD的杀手。   高可靠性
  • 关键字: NAND闪存  SSD  Spansion  存储  USB  

Seagate欲收购SanDisk 分析师表示不看好

  •   据EETimes报道,近来在闪存产业界盛传希捷(Seagate)将全部或部份收购SanDisk;不过对于这桩可能的婚事,分析师却不看好。   有人推测Seagate仅对SanDisk的固态硬盘(SSD)业务感兴趣;更早的时候还有谣传指出Seagate将收购Simple Tech (一家SSD和其它产品供货商)。不过Seagate不愿对这些谣言发表评论,SanDisk也不做任何响应。   虽然身为一家硬盘机供货商,Seagate对闪存技术非常感兴趣,且认为SSD将对其传统业务构成潜在威胁。为了维护市
  • 关键字: SanDisk  NAND闪存  Seagate  希捷  收购  

东芝提高手机存储卡产能60%

  •   日本最大的芯片制造商东芝公司计划将手机用小型存储卡产能提升60%。昨天,外电引述业内人士的分析称,随着日本国内越来越多的人希望能在手机上观看和录制电视节目,市场对手机内存的需求变得异常旺盛。公司打算逐月增产东芝Micro SD闪存卡,尽量赶在2009年春季实现月产2000万件的目标。   近日,东芝隆重推出了用于移动数码消费设备的最大容量嵌入式NAND闪存,预计今年第四季度开始量产。
  • 关键字: 东芝  手机  存储卡  NAND闪存  

手机拆机分析揭示移动存储的未来

  •   NAND和mDRAM激增,NOR-less机型增多   手机内存内容是否正在发生根本性变化?   在相对较短的时间内,随着手机从商用工具发展成随处可见的大众通信工具,手机所使用的内存一直基于NOR闪存与SRAM的组合,最近是NOR闪存与pSRAM的组合。但是,这种内存配置正在面临使用移动DRAM(mDRAM)和/或NAND闪存组合的方案的挑战。   这种转变的背后,是因为市场需要大容量、低成本数据存储用于保存语音/音乐、照片和视频,NAND最适于满足这种需求。这些功能也需要手机RAM
  • 关键字: 手机  NOR闪存  pSRAM  DRAM  NAND闪存  iSuppli    

存储卡和优盘市场仍有巨大潜力

  •   6月5日消息,尽管业内厂商认为存储卡和优盘市场饱和了,金士顿公司总裁John Tu最近表示,这个市场仍存在巨大的商业潜力。   Tu说,存储卡和优盘每个月的平均出货量达2000万个。巨大的出货量表明这个市场仍在增长。他认为,存储卡和优盘将作为消费者与不同种类的内容打交道的一个“平台”。   虽然许多人认为存储设备厂商应该向数字内容提供商付费以便为其产品产品增加内容,但是,Tu说应该是内容提供商向金士顿付费,以便通过金士顿成功的销售网络、品牌和市场份额来分
  • 关键字: 存储卡  优盘  金士顿  NAND闪存  

产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元

  •   日本产业技术综合研究所(产综研)与东京大学,联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管(Ferroelectric gate field-effect transistor:FeFET)的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上,写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次,且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右,而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm和10nm工艺技术。     此次,通过调整p型Si底板沟道中所注入杂质的条件,使NAND
  • 关键字: FeFET  NAND闪存  东京大学  产综研  

芯片设备业有望迎来新一轮增长周期

  •   《商业周刊》文章指出,经过一年时间的磨难和快速衰退,半导体厂商们有望在2009年迎来新一轮增长周期。   当业内权威人士正在为美国经济是否已经陷入衰退而争论不休时,半导体设备厂商们早就经历了衰退浪潮的侵袭。标准普尔分析师Angelo Zino表示:“芯片设备产业拥有繁荣周期,它早在一年前就已经进入衰退期,2008年的情况也不太乐观。”   Zino说,预计今年的半导体设备的销售额将继续下滑,主要是因为内存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲软。他说:“我们
  • 关键字: 半导体  DRAM  NAND闪存  
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