- NAND闪存在半导体市场上的成功主要得益于手机和平板电脑市场的持续迅猛发展以及高性能固态硬盘(SSDs)取代硬盘驱动器的广泛应用。美光与英特尔去年共同宣布，通过20 nm制造工艺技术结合突破性的单元架构概念，可以制造出仅由一组简单芯片组成的TB容量NAND闪存。
- 关键字：
美光 英特尔 NAND闪存 UBM
- Intel同意与美光科技扩大就闪存芯片领域的合资企业合作，提高双方关系的效率和灵活性。根据双方达成的协议，美光将为Intel供货NAND闪存产品，而Intel则将向美光出售价值6亿美元的两家合资晶圆厂股份。
协议规定，Intel将首先接收美光一半的股份购买资金，另外一半将寄放在美光，可能会按照供货协议退还或用于未来采购。该协议还扩大了双方在NAND闪存共同开发项目上的合作计划，以覆盖新兴存储技术。
该交易预计将在今年上半年完成。
Intel和美光已经在NAND闪存芯片制造领域合作了几
- 关键字：
Intel NAND闪存
- 据国外媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，
- 关键字：
三星电子 NAND闪存
- 由于22nm NAND闪存工艺已经非常成熟，加上硬磁盘缺货危机尚未缓解，感恩节促销季才过不到两个月，各大SSD厂商再次疯狂促销SSD，意图让更多消费者尝试SSD，体验SSD操作无延迟感的优势。
主流品牌SSD最近均有20%以上的折扣或返款促销，折后价格接近或低于1美元/GB。比如，intel 320 80GB返款后80美金，OCZ 120GB返款后100美金等。
- 关键字：
SSD NAND闪存
- 集成芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布推出Marvell® 88NV9145。该器件是全世界第一款模块化可扩展的Native PCIe SSD控制器，并已开始批量生产。88NV9145控制器作为PCIe SSD的核心部件，可以为客户在容量以及性能上逐步扩容提供灵活的配置。
- 关键字：
Marvell NAND闪存 88NV9145
- 投资公司Bernstein Research今天公布一份报告，谈及苹果采购NAND闪存的情况。苹果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差别就在于NAND闪存容量不同，32GB版本高100美元。不过根据Bernstein Research的研究发现，苹果在采购NAND闪存时有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相当于10.72美元。
由此看来，苹果的利润战略相当成功。让分析师奇怪的是苹果战略如此成功，为什么竞争者不仿效。
报告中写道：“2011年4季度，
- 关键字：
苹果 NAND闪存
- 日前，英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产;128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。
20纳米制程之128GB NAND Flash由英特尔与美光合资成立之IMFT所发展出来。该128GB NAND Flash为多层(multilevel)单元，英特尔与美光并未透露一个单元含有多少位(bit)。128GB NAND
- 关键字：
IMFT NAND闪存
- 日前消息称，三星计划投资约35亿美元，在中国开办芯片工厂，并于2013年投入营运。据该公司一份监管档中表示，工厂将采用先进的20纳米技术，生产NAND闪存芯片，但并未透露该座新工厂的地址和具体投资金额。
如果建厂计划获得中国官方批准，该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂，三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。
韩国新韩投资公司分析师金永灿预计，三星将为中国新厂投资4兆韩元(约合35亿美元)至5兆韩元。
三星表示，已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请，后
- 关键字：
三星 NAND闪存
- 来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
预
- 关键字：
三星 NAND闪存 内存
- 市场上有关苹果打算把其ARM-basediPad处理器的代工厂三星给拉下，或至少在下一代处理器A6把三星给换掉的传言满天飞。台积电是呼声甚高的替代人选。但除此之外，最近开始切入代工业务的英特尔，也成为被讨论的对象之一。
- 关键字：
苹果 NAND闪存
- 尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移，但按闪存业者的看法，只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时，所需的产品验证时间越来越长，便是这一看法的明证之一。
- 关键字：
镁光 NAND闪存
- 英特尔官员日前表示，英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。
之前由于爆发全球性金融危机，加上内存产品价格低迷，英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划，不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示，由于进展顺利，工厂提前完工。
- 关键字：
英特尔 NAND闪存
- 东芝于本周二发布了24纳米工艺SmartNAND系列闪存。而这一产品很有可能将应用于苹果iPhone5中。单条Sm...
- 关键字：
iPhone5 24纳米 NAND闪存
- Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。
按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小，同时功能更强，读出速度更快及可编程速度更快。
Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外，Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND，以及继
- 关键字：
Elpida NAND闪存
- 东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。
东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)，今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示，新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率，同时还支持Toggle DDR接口规范，有助于增强数据传输速度。
在此之前，Intel、美光合资的IM Fl
- 关键字：
东芝 NAND闪存 24nm
nand闪存介绍
您好，目前还没有人创建词条nand闪存!
欢迎您创建该词条，阐述对nand闪存的理解，并与今后在此搜索nand闪存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
