彭博信息(Bloomberg)报导指出，全球第3大DRAM业者尔必达(Elpida)计划来台发行台湾存托凭证(TDR)，募资约123亿日圆(约新台币43.2亿元)，作为次世代DRAM制程所需的研发资金之用，而尔必达亦将成为首家来台发行TDR的日本业者。
据悉，尔必达拟发行2亿单位的TDR;2月18日将敲定确切的发行价格。
另据路透(Reuters)报导，在发行TDR的同时，尔必达亦计划增发1,000万股新股，新股发行后，尔必达的股数将增为2.16亿股左右。
报导提到，尔必达透过发行T
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存储器大厂尔必达(Elpida)公布2010会计年度第3季财报(2010年10~12月)，受存储器价格大跌拖累，尔必达第3季大亏296亿日圆(约3.6亿美元)。
2010 会计年度第3季尔必达营收为970.7亿日圆，较前1年同期的1,510.1亿日圆大幅萎缩36%，第3季净损为296亿日圆，较前1年同期净赚 210.5亿日圆大幅恶化。此外，尔必达第3季的亏损较路透(Reuters)调查、分析师预估的净损161.7亿日圆还大。
尔必达亏损庞大的主因为DRAM价格崩盘，受个人计算机(PC)需求
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报道称Elpida计划投资30亿新台币(约合9550万美元)在台湾设立研发中心。
报道引述政府官员的话称Elpida已经向台湾“经济部”申请了财政补助来建立该中心。
Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond许可了其DRAM工艺技术，已换取台湾合作伙伴的产能。
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Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。
按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小，同时功能更强，读出速度更快及可编程速度更快。
Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外，Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND，以及继
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NAND闪存
日系存储器大厂尔必达 (Elpida)29日公布2010年第1季(会计年度4-6月)财报，单季营收为1,763亿日圆(约20.28亿美元)，较上一季增加28%，较 2009年同期增加103%，单季毛利率为35%，净利为307亿日圆(约3.52亿美元)，较上一季小幅下跌，但较2009年同期大幅增加75%。
尔必达第1季位元成长率(Bit Growth)为8%，预计第2季目标可达5~10%，全年的位元成长率维持45%目标不变，2010年资本支出为1,150亿日圆。
尔必达2010年积极抢占Mo
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全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵营开始转向采购旧机种XT:1950i应急。然美光(Micron)阵营则认为，旧机种顶多用到40奈米制程就是极限，不像新机种NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半导体产业在进入50奈米以下制程，都必须开始用Immersion Scanner，此机
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50奈米
近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。
DRAM业者表示，自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后，原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动，原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM产能消耗量，加上欧洲债信问题
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45纳米
逻辑和DRAM技术跨产业合作大戏正式登场，联电、尔必达(Elpida)携手开发TSV技术的签约仪式将于21日召开记者会对外宣布;值得注意的是，业界透露，双方技术合作仅是第1阶段，未来第2阶段考虑以交叉持股的方式，让双方的合作关系更为紧密，因此联电为引进策略联盟伙伴而办理的私募案，尔必达将是口袋人选之一。
联电、尔必达和力成将于今日针对TSV技术举行签约仪式，这是近年来逻辑和存储器技术领域罕见的跨产业大合作，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄过去是联日半导体(UMCj)的总经理，因此尔必达与联电双
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逻辑
随著半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3D IC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解，由联电以逻辑IC堆叠的前段晶圆制程为主，尔必达则仍专注于存储器领域，而力成则提供上述2家公司所需的封测服务，成为前后段厂商在 TSV 3D IC联手合作的首宗案例。
尔必达、力成和联电将于21日在联电联合大楼举行技术合作协议签订记者会。据了解，3家公司的董事长、执行长和技术长
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3D
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继三星电子(Samsung Electronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂德的重庆渝德厂旁空地，其二是2008年尔必达与苏州创投原本要合建12寸晶圆厂和发用地，坂本幸雄所指合作的台系DRAM厂，茂德雀屏中选机率相当高。不过，茂德对此表示不方便评论。
DRAM产业好不容易走出崩盘的跌价阴霾，但各厂才开始赚钱，再度展现积极投入扩产的豪情壮
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晶圆
SEMI于6月1日公布全球半导体投资的报告，之前曾预测2010年增长60%，而如今已修正为增长117%，从2009年的163亿美元，到2010年的355亿美元(把分立器件的投资计在内)，如扣除分立器件为335亿美元，增长115.7%。
谁在积极扩充产能
去年全球半导体业处于减投资时期，今年产业受需求增长及价格上升的双重夹攻的影响，许多公司宣布积极的扩张策略，所以在2010年投资中有部分仍是为技术升级，但也有许多为了扩充产能。
如果依类别看，全球代工与2009年相比，其2010年安装产
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日系存储器大厂尔必达(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月财报，尔必达单季营收为1,475亿日圆，毛利率36.8%，营运获利持续成长，达337亿日圆;尔必达表示，2010年资本支出将达1,150亿日圆，较2009年增加163%，2010年位元成长率将达45%;瑞晶首季营收则是新台币121.58亿元，税后获利40.81亿元，换算每股税后1.39元。
尔必达受惠DRAM价格上扬，12日公布2009年财报(会计年度为2009年4月1日~2010年3月31日)的获利持续成长，而20
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晶圆
茂德以新台币85亿元价格将茂德位于竹科12寸晶圆厂Fab-2(未来将成为旺宏的Fab-3)出售予旺宏电子。茂德售厂所获得新台币85亿元资金中，估计约有25亿~30亿元将用于偿还银行债务，减轻偿债压力。由于茂德另一12寸厂位于中科的Fab-3制程仅为75nm，欠缺竞争力，因此茂德售厂后获得资金将可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加产出。
因茂德替尔必达(Elpida)代工，故在 DRAM市场争夺战中，尔比达将是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash产品市场近一年来，因NOR
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尔必达(Elpida Memory Inc.)总裁兼首席执行长阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前个人电脑市场的内存芯片需求十分强劲，而今年的全球供应有可能低于需求。
阪本幸雄在台湾举行的新闻发布会上对记者表示，今年动态随机存储器(DRAM)芯片的全球产能可能增长30%-40%，但需求增幅有可能高达50%-60%。
尔必达与台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五还共同宣布，双方将扩大合作，生产用于数字消费电子产品和移动设备的DRAM芯片。
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尽管尔必达(Elpida)与力晶之间买回瑞晶股权争议还未达成协议，但在DRAM产能分配上已先获得共识，力晶已超过1年未向瑞晶拿货，近期与尔必达协商成功，4月起重获瑞晶产能分配权，未来每月将多出2.4万片产能挹注，尔必达则要求力晶12寸厂代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配货权，多数要再回销给尔必达来供应PC客户，未来该阵营释放至现货市场DRAM货源，恐将进一步短缺。
尔必达与力晶分别对瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圆厂产能8万片，2大股东可按照持股比例，获得同等的瑞晶产能分配，
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日本存储器大厂尔必达(Elpida)将向存储器模块大厂金士顿(Kingston)发行新股与可转换公司债，筹资187亿日圆(约1.98亿美元)，以作为2010年度中扩充广岛厂半导体尖端设备之用。而金士顿亦将因此握有尔必达4.79%的持股，成为尔必达的第6大股东。
此次，尔必达向金士顿发行的新股为647万股，每股发行价格为1,805日圆，总额约117亿日圆;另发行可转换公司债约70亿日圆。
金士顿为尔必达的主要客户之1，金士顿希望透过注资尔必达，稳定DRAM模块货源。而尔必达则为将广岛厂产线由
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据市场研究公司iSuppli称，经过连续三年的下降之后，DRAM内存市场2010年的销售收入将达到319亿美元，增长40%。
iSuppli负责DRAM内存业务的高级分析师Mike Howard在声明中说，2010年将在2009年第四季度增长的基础上继续增长。2009年第四季度整个DRAM内存行业的销售收入环比增长了40%。 Howard指出出货量的增长和平均销售价格的提高是这种增长的主要原因。
2009年第四季度是DRAM内存行业在最近的记忆中表现最好的一个季度。据iSuppli称，20
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内存
据国外媒体报道，日本芯片生产商尔必达记忆体(Elpida)公司今日表示，预计2010年动态随机存取记忆体(DRAM)将出现供应短缺。
尔必达社长本幸雄在新闻发布会上接受采访时表示，DRAM的价格可能将在截至2011年3月的会计年度企稳。
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DRAM业在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM厂商积极扩产应对。其中台塑集团的南科、华亚科最为积极，华亚科全年资本支出更比2009年呈倍数成长。
南科、华亚科已迈入50纳米制程技术阶段，南科暂定2010年资本支出约为5.9亿美元，比2009年增长逾45%。南科预计，在第二季度时，旗下月产能3万片的12英寸厂将全部以50纳米制程投片，第三季度所有产品都采用50纳米制程投片。
看好DDR3将成为2010年主流，南科计划逐步提升DDR3产品的比重，目标由2009年第四季度的30%-40%提
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一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产，良率水平优于预期，确定2010年可一举进入40纳米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新台币120亿元，就可将旗下8万片12寸晶圆厂全数转到40纳米制程，与美光及南亚科、华亚科阵营对战烟硝味浓厚。
DRAM产业在50纳米制程是重要分水岭，除技术难度外，1台动辄逾新台币
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日刊工业新闻报导，由于扩展应用范围及降低成本不易，尔必达(Elpida)计划停止研发相位变化随机存取存储器 (PRAM)。
尔必达监于30纳米技术已是DRAM产品细微化的技术极限，遂转而研发PRAM，甚至已送样容量为128MB的产品，然尔必达社长本幸雄认为PRAM成本很难降到比Flash低，且应用范围难以扩大，故决定停止研发该产品。日后研发重心将转至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技术。
尔必达于2009年内已开始量产40纳米技术DRAM产品，紧接著将朝
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日本电脑芯片大厂Elpida Memory Inc. 预期芯片将出现短缺潮，因而计划在明年4月起的财年中，增加其资本支出。
尔必达社长兼执行长坂本幸雄周二在记者会上表示，尔必达下一个财年的资本支出可能将自本财年的5亿美元上升至6亿美元。
他表示：“明年(DRAM芯片产业状况将大幅好转。”
尔必达预期，一些驱动新需求的动力，例如微软的Window 7个人电脑操作系统，有可能刺激个人电脑汰换潮发生，进而提升存储芯片的销售力道。
坂本幸雄预期，明年全球用于电脑
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台湾DRAM产业暌违4年，2010年即将出现第6家上柜挂牌的DRAM新兵，尔必达(Elpida)旗下瑞晶计划在2010年申请挂牌上柜，为枯木逢春的存储器产业再添色彩!值得注意的是，目前尔必达对瑞晶持股达70%，申请挂牌前势必要先释股，持股降至50%以下，已传出计画引进策略联盟伙伴的消息，产业上、下游供应链都会是潜在的合作对象;存储器业者分析，虽然日方希望尔必达能掌握瑞晶多数股权，但若瑞晶未来可以独立募资，这是对母、子公司都好的作法。
台湾DRAM产业共有6家DRAM厂，其中有5家已挂牌上市柜，1
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存储器
日系DRAM大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄再度访台，8日将与新策略联盟伙伴茂德董事长陈民良联合召开记者会，说明双方合作代工细节。由于坂本幸雄过去惯常与力晶合作亮相，这次换成茂德，变化过程颇耐人寻味，尔必达2009年以来除拉拢茂德合作DDR3代工，亦与华邦电展开绘图存储器(GDDR)代工合作，日厂在台湾存储器领域势力越来越庞大，不论台湾创新存储器公司(TIMC)未来怎么走，尔必达可说是这场台美日DRAM厂整并下的大赢家。
尔必达经过2008年DRAM产业崩盘袭击，2009年元气逐渐恢复后，
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日本DRAM大厂尔必达(Elpida)目前正在评估进军中国大陆市场的相关事宜。报导指出，尔必达已于2009年11月中旬前透过和台湾4家DRAM厂进行业务合作的方式来扩充DRAM产能，惟为了和全球DRAM龙头三星电子等南韩厂商相抗衡，尔必达拟以中国大陆市场为目标来获取扩大事业的机会。
报导指出，随着中国家电下乡政策的推行，也带动使用于家电的半导体需求持续扩大，而尔必达和台湾厂商之间的亲密关系，也很有可能将成为推动尔必达中国市场攻势的一大助因。报导指出，台湾和中国大陆目前正针对签署ECFA而进行交涉
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台湾“经济部”推动DRAM产业再造，虽然目前还有待“立法院”审查通过“国发基金”预算的"临门一脚"，但是岛内DRAM产业再造整并成两大体系似乎隐然成形。“经济部”表示，倘若TIMC(台湾创新内存)与Elpida(尔必达)顺利结盟，加上台塑集团与Micron(美光)公司合作，可望在台湾形成台日、台美两大策略联盟阵营，未来有实力与韩国三星、海力士等集团一较高下。
据透露，TIMC依据D
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台湾DRAM产业整合和再造忙了1年，都白忙了!从台美日整合抗韩的大剧码，演到最后变成台湾独脚戏，原本要搭档演出的尔必达 (Elpida)，最后到底要不要上场，外界摸不著头绪。然DRAM产业再造计画如果真的要喊卡，要想下一波DRAM产业不景气巨浪来临时，台湾还能侥幸逃过吗?答案恐怕是否定的，因为经过2008年这一波，台湾DRAM产业伤得太重，失去制程演进的能力和募资能力，与国际大厂距离越来越远，下一波巨浪侵蚀时，台厂会是手无寸铁。
2008年DRAM产业再造进行初期，金士顿创办人孙大卫曾说，台湾D
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茂德(ProMos)已和尔必达(Elpida)签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。
茂德表示，代工服务以尔必达最先进的1G DDR3产品为主，预计2010年上半完成试产，2010年下半大量生产。此外，尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月将使用多达3.5万片12寸晶圆为尔必达制造芯片，同时，采用65奈米制程技术。
茂德董事长暨总经理陈民良表示，尔必达在全球DRAM产业中以尖端制程技术的创新研发
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10月20日是台“经济部”「DRAM产业再造方案」送件的最后期限。立法院经济委员会关切DRAM前途的立委19日几乎一致要求，在政府国发基金还未投资之前，“经济部”的DRAM产业再造方案应赶快煞车，或「下车」、「了断」。
“经济部”「DRAM产业再造方案」迄今只有联电荣誉董事长宣明智主导的台湾创新存储器公司(TIMC)，以整合尔必达(Elpida)、茂德的营运计画书送至“经济部”，外传整合华邦电失利的南
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根据集邦科技调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在五月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1.05至1.19间盘整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 现货季均价上涨27%，约1.12美元。
第二季
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