- 据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。
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DRAM 50纳米
- 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
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美光 50纳米 DDR2
- 镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板电脑市场。
该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条，实现8亿MT/s传输能力。
得益于较小的制程，这款芯片可以工作在1.55V的低压下，以降低系统的电源需求。
镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样，年末之前量产出货。
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镁光 50纳米 DDR2
- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能，引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示，原先预期三星明年下半年启动扩产，其进度比预期快得多，惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发，今年将切入50、42纳米制程，技术超越台系厂商;对照先前65纳米，生产成本优势将提升约40%至50%，台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能，由于比原先预期将在明年下半年启动快的多，也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛，但也突显三星对DRAM后续产业前景，有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- DRAM业在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM厂商积极扩产应对。其中台塑集团的南科、华亚科最为积极，华亚科全年资本支出更比2009年呈倍数成长。
南科、华亚科已迈入50纳米制程技术阶段，南科暂定2010年资本支出约为5.9亿美元，比2009年增长逾45%。南科预计，在第二季度时，旗下月产能3万片的12英寸厂将全部以50纳米制程投片，第三季度所有产品都采用50纳米制程投片。
看好DDR3将成为2010年主流，南科计划逐步提升DDR3产品的比重，目标由2009年第四季度的30%-40%提
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Elpida 50纳米 DRAM 晶圆
- 一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产，良率水平优于预期，确定2010年可一举进入40纳米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新台币120亿元，就可将旗下8万片12寸晶圆厂全数转到40纳米制程，与美光及南亚科、华亚科阵营对战烟硝味浓厚。
DRAM产业在50纳米制程是重要分水岭，除技术难度外，1台动辄逾新台币
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Elpida DRAM 50纳米
- 台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全数出货2Gb DDR3芯片，赶搭DDR3主流列车;华亚科则预计2010年第1季50纳米制程量产，2010年底旗下13万片12寸晶圆厂产能全转至50纳米制程，南亚科和华亚科2010年资本支出合计将达640亿元，主要用于50纳米制程。
南亚科和华亚科第3季营运表现明显好转，对于先
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南亚科 DRAM 50纳米 DDR3 68纳米
- 随著DRAM价格自谷底翻扬，原本哀鸿遍野的DRAM厂传出转亏为盈好消息，具台系色彩的瑞晶将抢下头香，率先于9月开始小幅获利，第3季可望损益两平，华亚科则有机会接棒，估计营收只要站上40亿元大关，便可跨越损益平衡点、顺利转亏为盈。目前除瑞晶和华亚科外，包括茂德、力晶都已现金净流入，南亚科自有产能亦开始有现金流入，台系DRAM厂逐渐走出悲情、迎向春天。
相较于三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程纷已开始量产，台系DRAM厂仍停留在70奈米制程，由于台、
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Hynix 50纳米 DRAM
- 台湾DRAM大厂南科宣布8亿股现金增资计划，预计筹措100亿元以上资金，全数投入50纳米制程，以及偿还公司债，尽管DRAM现货价格已站上每颗2美元，时间点来得比预期早，国内DRAM厂暂时度过最艰困的时刻，但三星半导体将在明年把40纳米推升为生产线主力，成本大幅降低的优势，势必更加显著，台厂与国外一线大厂的苦战还是难免。
由于DDR2过渡至DDR3面临产能转换的瓶颈期，导致DDR3产能不足，进一步拉抬DDR2价格，原本内存模块厂预测，今年第四季底，DDR2现货价才有机会达到2美元，但根据集邦科技报
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南科 50纳米 40纳米 DRAM
- 韩国半导体厂商海力士(Hynix)2009年第3季创下2,000亿韩元(约1.63亿美元)的营业利益，破除2007年第3季以来连续8季亏损魔咒。海力士在全球DRAM市场继三星电子(Samsung Electronics)之后第2家转亏为盈的厂商。
据业界预测，2009年第2季营业亏损2,110亿韩元的海力士，2009年第3季可望转亏为盈，落在2,000亿韩元左右，接近2007年第3季营业利益2,540亿韩元规模，而在2007年第3季以后，三星已连续7季营运呈现亏损。
分析指出，海力士营运改
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Hynix DRAM 50纳米
- 据金融时报报道，尽管有迹象表明，台湾的DRAM存储芯片产业可能摆脱为期三年的低迷，但分析师和高管仍然认为，台湾可能无法充分利用改善中的市场前景。分析师普遍担心台湾DRAM存储芯片公司是否能筹足现金，为工厂引进50纳米技术。
DRAM芯片是每台计算机不可缺少的部分，但该产业的过度扩张导致产品价格大幅下跌，过去三年累计亏损150亿美元。
而经济危机更加深了该行业的困境，唯一的欧洲领先DRAM存储芯片厂商德国奇梦达今年破产。
台湾南亚科技，——世界排名第五，上周称公
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TMC DRAM 50纳米 存储芯片 DDR3
- 台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代，差点出现世代交替断层危机，公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代，直接跳到40纳米，50纳米恐成短命制程，未来真正决战点会是40纳米制程技术。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大厂2009年纷转进50纳米制程，且
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DRAM 40纳米 60纳米 50纳米
- DRAM大厂华亚科日前办理的海外存托凭证案(GDR)原本价格订为新台币14.5元，预期募集资金116亿元，然近期股价受惠DRAM产业回春和DRAM价格反弹，因此一路上涨，最后完成定价，订为每股约16.02元，与日前收盘价相较，则是折价约10%，预计可募得102.5亿元资金，加速华亚科下半年将12寸晶圆厂到入50纳米制程。
科技大厂法说会起跑，2009年DRAM产业由华亚科和南亚科打头阵举办，将于本周登场，也是华亚科已公布第2季的营运数字，亏损缩小至41亿元，南亚科估计亏损也将较第1季大幅减少，约
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DRAM 50纳米 DDR3
- 据台湾媒体报道，台湾DRAM厂茂德科技董事会日前决议，与合作伙伴韩国海力士半导体 (Hynix)签订停止合作协议书。茂德表示，未来将转与台湾内存公司(TMC)等合作。
茂德甫于去年5月与海力士签署策略联盟合约，不仅延续双方既有的技术合作伙伴关系，海力士将技转50纳米世代堆叠式DRAM制程技术给茂德;海力士还斥资新台币34.56亿元，取得5.76亿股茂德私募增资股。
此外，海力士资深副总裁Min Goo Choi也于今年茂德股东常会董监事改选中，顺利当选董事。
只是在茂德制程技术尚未推
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海力士 DRAM 50纳米
- 日本记忆体大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄表示，尔必达近期获得新资金後，将挪1000亿日圆发展海外先进制程，包括与台湾力晶合资的瑞晶，目标是联手抗韩。
经济日报电话专访坂本指出，尔必达与即将成立的台湾记忆体公司(TMC)的合作，不影响与既有合作伙伴力晶的友好关系，三方是“互补合作”。
对于日本政府在周二通过给予尔必达总额1400亿日圆的注资及贷款当中，坂本表示，400亿是具政府资金色彩，这部分必须留在日本作为广岛厂的资金运用;至于其他1000亿元，尔必达会用来
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