- 2024年11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。”公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经
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SK海力士 321层 NAND闪存
321层介绍
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