SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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海力士宣布成功研发首款 LPDDR6 动态随机存取存储器，超性能版LPDDR6内存较LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率达 10.7Gbps，基于 10nm 工艺打造。LPDDR6 内存架构一旦落地于 SOCAMM 模组，或将成为数据中心市场的一大助力。这家存储芯片厂商同时透露，此款 LPDDR6 内存基于其 2024 年发布的领先 10nm 级（1c）工艺节点打造。新款 LPDDR6 内存芯片基础运行速率超 10.7Gbps，远超目前市场上性能最强的在售 LPDDR5X 内存
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在半导体行业迎来 “超级周期”、三星电子与 SK 海力士两大企业创下营收纪录的背景下，这两家韩国芯片龙头企业正大幅扩大应届生招聘规模。随着全球人工智能竞赛推动半导体需求持续攀升，各大企业新产线建设稳步推进，芯片行业的用工需求激增，为该领域求职者带来大量机会。三星电子率先布局据行业消息人士透露，三星电子及其旗下三星显示、三星电机、三星 SDI 等核心子公司，最快将于本月启动今年上半年的应届生公开招聘。为扩大半导体产能，三星电子正于京畿道平泽市和龙仁半导体产业集群兴建新晶圆厂，相关人才的储备工作迫在眉睫，公司
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SK海力士近日公布了一种以高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）为核心的全新半导体架构概念。HBF是一种将多层NAND闪存芯片堆叠而成的存储技术。据《韩国经济新闻》（Hankyung）报道，该公司近期在电气与电子工程师协会（IEEE）上发表论文，首次详细阐述了这一名为“H3”的架构理念。所谓“H3”，即混合架构（Hybrid HBM+HBF Architecture），将高带宽内存（HBM）整合于同一设计中。报道称，在当前主流AI芯片（包括英伟达计划于今年下半年发布的Rubin平
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人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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随着存储芯片价格持续上涨，三星电子与SK海力士有望实现NAND闪存业务毛利率的历史新高。据ZDNet报道，两家公司预计将在今年上半年继续激进上调NAND产品价格，业内预估其毛利率将攀升至40%–50% 区间。ZDNet指出，这将是NAND产品近十年来首次达到如此高的盈利水平——上一次类似盛况还要追溯到2017年的存储“超级周期”。报道补充称，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至约20%。报道援引业内人士消息称，市场普遍预期NAND价格将在第一季度和第二季度分阶段持续上涨。由于存储厂商对N
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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SK 海力士正在美国设立 AI Co. 以扩大其在美业务。
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内存供应紧张局面仍在持续。据《日经亚洲》援引消息人士称，三大存储芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星电子（Samsung Electronics）已加强对客户订单的审查，以防止蓄意囤积库存。报道称，这三家公司已收紧要求，要求客户提供终端客户信息及订单数量，以确保需求真实，避免过度预订或大规模囤货进一步扰乱市场。在当前持续短缺的背景下，报告指出，入门级和中端消费电子产品——如电视机、机顶盒、家用路由器、低价平板电脑、智能手机和PC——预计将受到最严重冲击，而汽车行业也可能
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1 月 28 日消息，据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，约三分之二已分配给 SK 海力士，拿下了接近整体 70% 的供货份额。这一数据相比此前市场预计 SK 海力士将供应英伟达 50% 以上 HBM4 的水平，明显有所提升。去年年底，市场调研机构 Counterpoint 预测，今年全球 HBM
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据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保释。崔于去年9月因违反《防止泄露和保护工业技术法》等罪名被捕起诉，并于今年3月被额外起诉。根据《刑事诉讼法》，一审拘留期为六个月。法院在拘留期届满前依职权准予保释。此外，据报道，与崔一起被捕并被起诉的前三星电子高级研究员吴氏已于 8 月 28 日被保释。吴某于同月21日申请保释，法院受理。
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存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协商根据市场条件调整价格。在三大巨头中，美光是第一个宣布提价的，据 EE Times China9 月 12 日报道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的价格将上涨 20%-30%，提价不仅涉及消费级和工业级存储，还包括汽车电子，后者的价格涨幅可能达到 70%。行业消息来源还表
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SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的开发，并最终准备好大规模生产——成为世界上首家完成这一壮举的公司。根据其新闻稿，该公司现在已准备好按照客户的时间表交付顶级 HBM4。在其新闻稿中，SK hynix 强调，其现已成为大规模生产准备的 HBM4 提供了业内领先的数据处理速度和能效。通过采用 2,048 个 I/O 端，带宽已翻倍——是上一代的两倍，而能效提高了 40%以上。该公司还预计 HBM4 将使 AI 服务性能提高高达 69%，有助于克服数据瓶颈，并显著降低数据中心电力成本，据
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据《彭博社》报道，国政府似乎正在考虑用年度许可证取代为三星和 SK 海力士的无限期晶圆厂设备出口许可的决定。这一决定将增加显著的监管复杂性，但至少可以维持晶圆厂运营的连续性，这意味着不会扰乱全球 DRAM 和 NAND 存储器的高波动供应。以前，三星和 SK 海力士在经过验证的最终用户（VEU）状态下运营，这使他们能够根据事先遵守美国安全和监控措施，获得进口受限晶圆厂设备（WFE）到其中国晶圆厂的全面批准，这大大简化了他们的运营。这些许可将于今年年底到期。作为 VEU 的替代方案，美国商务部最近向韩国官员
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ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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