海力士半导体和美光律师在法院上表示，Rambus在内存芯片上伎俩肮脏，自己在技术上失败却怪罪于竞争对手。本周二，海力士公开一份声明，代表律师肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)说Rambus RDRAM内存技术在设计和技术上存在问题，尽管在早期得到了英特尔的支持，却未能广泛被采纳。
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海力士 RDRAM
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。
海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。
NAND Flash为非挥发性存储器芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动
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海力士 26纳米
南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。
海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。
NAND Flash为非挥发性内存芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动装
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海力士 NAND
据韩国电子新闻报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)位于京畿道利川的工厂发生气体外泄事故。19日晚间约10点50分，在维修DRAM半导体产线蒸镀设备过程中，海力士合作厂2位员工因操作不当，使设备内残留的液化气体外泄。
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海力士 蒸镀设备
据国外媒体报道，全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示，今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元(约合2.538亿美元)，比去年同期大幅下降66%，这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。
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海力士 内存芯片
2010年韩国半导体、显示器设备业者中，有10间企业年度销售突破2,000亿韩元(约1.8亿美元)。至2009年为止，韩国仅2间企业年度销售逾2,000亿韩元，过去韩国半导体及显示器设备国产业者积极推动事业多元化及扩大出口，形成规模经济以建构可永续发展的基础，目前正快速成长中。根据韩国电子公示系统(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相关业者表示，2010年销售突破2,000亿韩元的设备业者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士 电子制造设备
2001年海力士(Hynix)受景气波及，遭债权银行团接手并进行债务重整，时隔10年，海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此，海力士仍背负5.9兆韩元(约54.46亿美元)债务，该公司现任执行长权五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times访问时，目前海力士首要目标是尽力还款，并同时确保有足够资金扩产以及研发新技术。
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海力士 内存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。
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海力士 内存
海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称，它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。
海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。
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海力士 DRAM
韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管Sung Joo博士表示，三维互连是高性能芯片实现高密度、小型化封装的一个方向、而且还有可能降低制造成本。
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海力士 半导体
据路透(Reuters)报导，全球第2大存储器芯片厂海力士(Hynix)发布，将于3月前挹注6,370亿韩元(约5.67亿美元)进行资本投资。
据海力士计划，该笔资金将用于扩张既有厂房、设备升级与研究开发工作。该公司公开说明指出，本次投资规画旨在因应市场需求与成本竞争压力加剧。
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海力士 半导体
据国外媒体报道，韩国半导体制造商海力士周三表示，将在3月份之前投资6370亿韩元(约合5.677亿美元)，用于扩大和升级现有工厂，以及开展研发工作。
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海力士 半导体
存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中，唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士，2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道，海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12，未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列，全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!
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海力士 NAND
海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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