- 随着主要内存制造商将产能转向 DDR5 和 HBM，他们的 DDR4 淘汰时间表逐渐清晰。根据商业时报的报道，三星、SK 海力士和美光计划在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出货。TrendForce 的最新调查也显示，三大 DRAM 供应商正在将产能转向高端产品，并已开始宣布 PC 和服务器级 DDR4 以及移动 LPDDR4X 的停产计划。因此，预计 2025 年第三季度的传统 DRAM 合同价格将上涨 10%至 15%。包括 HBM 在内，整体 DRAM 价格预计将上涨 15%至 2
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存储 DDR4 HBM
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半导体业务表现不佳，该业务占整体利润的 50-60%。由于持续的技术问题，高带宽内存（HBM）和其他高容量、高附加值内存产品未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域获益。代工（合同芯片制造）和系统 LSI 业务也因未能争取到主要客户而继续亏损。然而，随着 Nvidia 的 HBM 大规模生产批准的可能性在第三季度增加，以及上半年积累的内存库存得到清理，人们对业绩反弹的预期正在增长。根据行业消息，7 月 8 日三星电子的设备解决方案（DS）部
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三星电子 HBM.半导体产业
- 三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期，引发了对其高带宽内存 （HBM） 业务失败的担忧，这被视为这一缺口背后的最大原因，以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩，而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。特别是，三星电子自第四代 HBM （HBM3） 以来，所有代 HBM 产品都未能取得显著成果，导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析，三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利
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三星电子 半导体 HBM
- 美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
- 在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下，美光公布了创纪录的收入，现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称，这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新闻稿中表示，它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此，该公司预计到 2025 年下半年，其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道，美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
- 美光在 2025 财年第三季度创纪录的收入是由 HBM 销售额增长近 50% 推动的，而且这种势头并没有放缓。正如 ZDNet 所指出的那样，这家美国存储器巨头现在的目标是到年底在 HBM 市场占据大约 25% 的份额。虽然其乐观的前景吸引了市场的关注，但人们也关注其全球产能扩张能否跟上步伐。以下是美光在国内外的最新制造举措。美国生产时间表指向 2027 年开始根据其新闻稿，2022 年 9 月，美光公布了一项价值 150 亿美元的计划，以扩建其位于爱达荷州博伊西的总部，该总部将拥有尖
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晶圆厂 美光 HBM
- 根据 Allied Market Research 发布的报告《半导体晶圆代工厂市场规模、按制程大小、应用和地区划分》，半导体晶圆代工厂市场在 2022 年的估值为 1069.4 亿美元，预计到 2032 年将达到 2315 亿美元，从 2023 年到 2032 年的复合年增长率为 8.1%。半导体晶圆代工厂，也称为半导体制造工厂或晶圆厂，是专门为其他公司生产集成电路（IC）或芯片的专业设施。晶圆厂在半导体行业中扮演着关键角色，因为它们为设计芯片但缺乏制造设施的公司提供制造能力。这种外包模式在半导体生产中
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半导体产业 晶圆代工
- 随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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三星 HBM 存储
- 据SEMI消息，2025年SEMICON West展会将首次移师美国亚利桑那州凤凰城举办，时间为10月7日至9日。与此同时，SEMICON Taiwan 2025将于9月10日拉开帷幕，展会规模较2024年增长超20%。SEMI美国区总裁Joe Stockunas表示，亚利桑那州在全球半导体产业中的地位日益凸显。得益于当地政府和机构的大力支持，英特尔、台积电、Amkor等超过100家半导体企业已入驻该地区。随着全球半导体市场迈向万亿美元规模，亚利桑那州成为产业创新与成长的重要枢纽。SEMI还透露，2025
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台积电 半导体产业
- 据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亚科技 华邦电子 HBM
- 韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
- 作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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- 美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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- 据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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