- 半导体存储器销售最差时期已过，价格已止跌。
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存储器
- 每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链，识别跟踪各类物品。在大多数情况下，只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID，从而区分各个物品，并报告物品在系统中的位置和/或状态。那么，为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢？因为在某些情况下，特别是在供应链和工业物联网中（IoT），即使一点点额外的存储空间也会带来很大的影响。除了产品和标签ID外，扩展存储器标签可以存储其他信息，有助于提升效率、提高自动化水平并降低运营成本。 什么是扩展存储器标签？提供扩展存储器的RAIN RFI
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UCODE 标签 存储器 RFID NXP
- 存储密度跃升 10 到 100 倍？
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存储器
- 今日，三星电子宣布，已开始量产为车载信息娱乐系统（IVI）优化的全新车载UFS 3.1存储器解决方案。该解决方案拥有三星车载存储器最低的功耗，可助力汽车制造商为消费者打造优秀的出行体验。为满足客户的不同需求，三星的UFS
3.1（通用闪存）将推出128、256和512千兆字节（GB）三种容量。在未来的汽车（电动汽车或自动驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低了约33%，还提供了每秒700兆字节(MB/s)的顺序写入速度和2000MB/
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三星 车载UFS 3.1 存储器
- 4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC
NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、
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复旦微电 NAND Flash EEPROM 存储器
- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
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存储器 DRAM NAND Flash
- 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
- 信息社会离不开数据存储，金融、电信、互联网等，更需要高可靠、高安全的海量存储系统，存储器和存储系统是数据的载体，关乎数字经济产业安全、国家安全。在今年全国两会期间，全国人大代表、华中科技大学计算机学院教授冯丹提出了《关于加快国家存储器基地建设的建议》。冯丹认为，应加快数据存储产业强链补链，助力数字经济发展。“从战略高度重视数据存力产业高质量发展，将数据存力指标纳入国家体系，尽快形成我国数据存储产业发展的顶层规划和具体目标，打造一批典型示范项目，加快先进存力的开发与应用。”冯丹建议，制定独立的存储产业强链补
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存储器 自主可控
- 当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭、工业物联网及智能移动设备的一系列应用。格芯表示，这项交易进一步加强了格芯的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能
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格芯 瑞萨 易失性电阻式 RAM 存储器
- SO-DIMM（Small Outline
DIMM）因小巧尺寸设计，适合空间有限的系统，例如笔电、小型工业电脑、NAS、路由器等。根据外媒报导，JEDEC固态技术协会可能将戴尔和英特尔合作开发的CAMM（Compression
Attached Memory Module）作为下一代标准，取代SO-DIMM。近日，国外媒体PCWorld引用戴尔资深工程师、JEDEC委员会成员Tom Schnell的说法表示，JEDEC固态技术协会考虑采用CAMM成为正式标准，并让其他制造商加以使用。Tom Sc
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笔电 存储器 CAMM SO-DIMM
- 存储器相当于我们的大脑的存储单元，能够保存我们的电子数据。为增进大家对存储器的认识，本文将对随机存取存储器、寄存器和存储器的区别予以介绍。如果你对存储器具有兴趣，不妨和小编一起来继续认真地往下阅读哦。一、随机存取存储器随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无
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寄存器 存储器
- 半导体技术持续更新迭代，MCU也要与时俱进。为了更好地迎接未来趋势，有的厂商选择从内核下手，比如，由Arm Cortex-M内核转向RISC-V内核；也有选择集成AI，通过在MCU中加入AI加速器，让MCU更加智能；还有一种就是本文将主要介绍的，集成新型存储器。MCU作为一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存储器，以及专用外设的芯片，最常见的存储器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存储器、闪存、EEPROM 非易失性存储器，这其中集成式闪存是MCU的重要特征。然而，随着时间的推移，闪存却逐渐
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MCU 存储器 英飞凌 ST 瑞萨
- 当地时间11月10日，美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器，该存储器已针对新的AMD EPYC™
9004系列处理器进行了验证。随着现代服务器将更多处理内核装入CPU，每个CPU内核的存储器带宽一直在下降。与前几代相比，美光DDR5提供了更高的带宽，从而缓解了这一瓶颈，提高了可靠性和可扩展性。据介绍，美光将配备其DDR5的单个第4代AMD EPYC处理器系统的STREAM基准性能与3200MT/秒的第3代AMD
EPYC处理器系统和美光DDR4进行了比较。使用第4代AMD EPYC处理器系统
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美光 数据中心 DDR5 存储器
- 据韩媒《BusinessKorea》报道，三星于近日宣布，公司已经成功运行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星称，与其他没有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片将AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了约50%。与仅配备HBM的GPU加速器相比，配备HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了约2100GWh。2021年2月，三星推出了其首个HBM-PIM，这是业界第一个高带宽存储器（HBM）集成人工智能（AI）处理能力的芯片。HBM
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三星 人工智能 存储器
- 据TrendForce集邦咨询最新服务器相关报告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能够整合各种xPU之间的性能，进而优化AI与HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU为源头去考虑，但由于可支援CXL功能的服务器CPU
Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa现阶段仅支援至CXL
1.1规格，而该规格可先实现的产品则是CXL存储器扩充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce认为
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TrendForce 集邦咨询 存储器 CXL AI/ML DRAM
存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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