据Reuters报道，Samsung对部分新的先进代工订单提高报价，涉及4nm、5nm和8nm工艺，部分客户涨幅最高约15%；其中4nm与5nm对中美客户涨幅约10%—15%、对台湾客户约5%—10%，8nm涨幅约10%。报道同时提到，TSMC先进产能紧张正推动部分客户寻找替代供应。这不是一份“Samsung全面涨价”的通用价目表变化，而是AI需求挤压制造资源之后，先进逻辑产能的议价权开始外溢。Samsung Foundry自2022年陷入亏损，市场预计其有望在2027年恢复盈利，稼动率与新增客户是观察窗
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SamsungFoundry
代工
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三星代工似乎有望从中国领先汽车制造商那里赢得新业务。据《首尔经济日报》报道，业内消息称三星正与包括比亚迪在内的多家中国主要汽车制造商洽谈，计划采用其2纳米和4纳米工艺制造自动驾驶系统单芯片（SoC）设备。如果这些交易成行，三星将获得比蔚来更大的客户，而蔚来已经依赖三星的5纳米工艺生产自动驾驶芯片。报告指出，中国汽车制造商部分转向三星电子，部分原因是中国国内代工厂的限制。尽管中国最大的代工厂中芯采用7nm级工艺，业内观察人士认为其在下一代自动驾驶芯片所需先进节点方面仍远远落后于三星电子和台积电。报告进一步指
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比亚迪
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4nm
自动驾驶
据韩国媒体报道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，标志着该技术正式进入成熟阶段。这一进展显著增强了三星在晶圆代工领域的竞争力，使其能够与中国台湾半导体厂商台积电展开正面对决，同时更好地满足全球科技巨头尤其是AI领域对高性能芯片的需求。三星平泽园区是此次技术突破的核心阵地。该园区目前不仅生产5nm和7nm芯片，还已具备供应4nm芯片的能力。这些芯片可广泛应用于AI加速器、汽车电子及移动设备领域，甚至可用作第六代HBM4内存芯片的基底芯片。业内人士分析，此次良率的提升将帮助三星晶圆代工业务
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三星
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制程良率
据韩国至顶网（ZDNET Korea）2月4日报道，三星电子旗下晶圆代工业务拟对部分制程价格进行调整，主要涉及4nm与8nm工艺，预计涨幅约在10%左右。业内人士透露，这两项工艺已进入成熟阶段，良率趋于稳定，且被认为接近“实际产能极限”。其中，注重性能的客户更倾向于选择4nm工艺，而对价格敏感的客户则偏向8nm工艺。具体涨幅可能因客户类型和工艺不同而有所差异。通过此次价格调整，三星电子晶圆代工部门有望为自身工艺研发提供资金支持，同时提升中长期盈利能力。与此同时，台积电此前已多次上调工艺价格，主要原因是AI
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经济新闻日报》道，台积电将于 10 月破土动工，耗资 490 亿美元的 Fab 25 工厂用于其 1.4 纳米工艺。1.4nm 的试生产计划于 2027 年底在构成 Fab 25 的四个晶圆厂中的第一个进行。Fab 25 将在台中市附近的台湾中部科学园区举行。所有四个晶圆厂都将运行 1.4nm 工艺，能够生产 50k wpm。该工厂将容纳四家工厂，最初的晶圆厂计划于 2027 年底开始试生产，并于 2028 年下半年量产。台积电的第二代 GAA 工艺 1.4nm 工艺与 20nm 工艺相比，逻辑密度超过
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台积电
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据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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三星
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据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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传输带宽
24Gbps
据台媒报道，台积电位于美国亚利桑那州的晶圆厂已经完成了为苹果、英伟达（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，数量达到了2万片晶圆，目前这些芯片已经送往中国台湾进行封装。这批在台积电亚利桑那州晶圆厂生产的4nm制程晶圆，其中包括了英伟达Blackwell AI GPU、苹果公司面向iPhone的A系列处理器和AMD第五代EPYC数据中心处理器。由于台积电目前在美国没有封装厂，因此这些晶圆还需要发送到中国台湾的台积电的先进封装厂利用CoWoS技术进行先进封装。虽然台积电也计划在美国建设两座先进封装厂，但是目
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晶圆
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台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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高数值孔径
EUV
4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚
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18A-PT
芯片工艺
14A
晶圆厂代工
1.4nm
台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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台积电
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GAA
晶体管
移动处理器大厂高通（Qualcomm）计划推出一款新的4纳米高端芯片组，虽然定位低于旗舰级的Snapdragon 8 Elite，但性能依然备受市场关注。 最新消息指出，这款可能命名为Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍倾向于与老伙伴台积电合作，而非选择三星代工。追踪三星相关消息的南韩科技媒体SamMobile报导，尽管三星的4纳米制程已经通过测试，也经过市场验证，看似有抢单的机会，然而高通似乎仍对三星持保留态度，最终还是决定交由台积电独家代工这款新芯片。其实三星早在2021年就以第
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高通
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平台发布推文，分享了高通骁龙 8s 至尊版芯片的更多细节，并透露该芯片的各项配置更接近于骁龙 8s Gen 3 芯片。援引博文介绍，高通骁龙 8s 至尊版采用 4nm 制程工艺，没有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：骁龙8s Gen 38s Elite8 Elite节点4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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至尊版芯片
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知情人士称，苹果在台积电美国亚利桑那州工厂（Fab 21）生产的4nm芯片已进入最后的质量验证阶段，英伟达和AMD也在该厂进行芯片试产。不过，台积电美国厂尚不具备先进封装能力，因此芯片仍需运回台湾封装。有外媒在最新的报道中提到，去年9月份就已开始为苹果小批量代工A16仿生芯片的台积电亚利桑那州工厂，目前正在对芯片进行认证和验证。一旦达到质量保证阶段，预计很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度开始向苹果设备供货。▲ 台积电亚利桑那州晶圆厂项目工地，图源台积电官方台积电位于亚利桑那州的在美晶圆厂项目
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据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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12月30日消息，据国外媒体报道称，台积电亚利桑那工厂将于2025年下半年开始量产4nm工艺，苹果、英伟达、AMD 和高通等客户将成为主要受益者。不过，对于消费者来说就不那么友好了，因为如果真是这样的话，那么大家要承担30%涨价。为什么这么说？报道中提到，台积电的4nm工艺将在亚利桑那州工厂的一期（1A）厂区投产，但生产成本预计将比现有的高出30%，这是美国客户需要考虑的问题。据悉，该工厂将负责4nm生产，但这是第一阶段的计划，因为在第二阶段，台积电计划在2028年量产2nm，尽管目前这还有点不确定。按照
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苹果
据彭博社援引消息称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂项目首座工厂4nm产线的试产良率已与台积电位于台湾地区的南科厂良率相近。台积电在回应彭博社报道的电子邮件中表示，其亚利桑那州项目“正在按计划进行，进展良好”。根据此前的信息显示，台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。根据规划，台积电将在美国亚利
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7月29日消息，高通正式发布了新款移动平台骁龙4s Gen 2，这款芯片定位于入门级市场，采用三星4nm工艺技术。CPU为八核心设计，包括2个最高可达2.0GHz的A78内核和6个A55内核，最高频率为1.8GHz。这款芯片支持Wi-Fi 5、蓝牙5.1、5G NR，以及最高8400万像素的照片拍摄和1080P 60P视频录制，同时兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X运行内存。与前代产品高通骁龙4 Gen 2相比，骁龙4s Gen 2的多项性能参数有所降低，例如CPU大核主频从2
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主频2.0GHz
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥
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2nm
三星
晶圆厂
制程节点
IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申，其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产，回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利，预计可于 2027 年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外，三星电子正在通过材料和结构方面的创新，积极研究后 1.4nm 时代的先进逻辑制程技术，实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认，其仍计划在 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的
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三星
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晶圆代工
这几年，Intel以空前的力度推进先进制程工艺，希望以最快的速度反超台积电，重夺领先地位，现在又重申了这一路线，尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺，在未来巩固自己的领先地位。目前，Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。In
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先进制程
1.4nm
5 月 10 日消息，韩媒 ZDNet Korea 援引业内人士的话称，三星电子的 AI 推理芯片 Mach-1 即将以 MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的 4nm 工艺。这位业内人士还表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工艺的可能。三星已为 Mach-1 定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了 Naver 至高 1 万亿韩元（当前约 52.8 亿元人民币）的预订单。虽然三星电子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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Mach-1
原型试产
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IT之家 4 月 26 日消息，台积电近日展示了全新 4nm 级别生产工艺 N4C，通过显著降低成本和优化设计能效，进一步增强 5nm 级别生产工艺。台积电公司近日举办了 2024 北美技术研讨会，IT之家翻译该公司业务开发副总裁张凯文内容如下：我们的 5nm 和 4nm 工艺周期还未结束，从 N5 到 N4，光学微缩密度改进了 4%，而且我们会继续增强晶体管性能。我们现在为 4nm 技术阵容引入 N4C 工艺，让我们的客户能够消除一些掩模并改进标准单元和 SRAM 等原始 IP 设计，以进一步
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晶圆代工
4nm
4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
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台积电
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1.4nm
工艺
IT之家 12 月 1 日消息，台媒科技新报今日发布报告称，高通的下一代旗舰 3nm 骁龙 8 Gen 4 处理器，仍然仅由台积电代工，而非此前传言的台积电和三星双代工模式。报告称，根据最新的行业信息，由于三星对明年 3nm 产能的保守扩张计划和良率不理想，高通已正式取消明年处理器使用三星的计划。双代工模式被推迟到 2025 年。去年 6 月底，三星开始大规模生产第一代 3nm GAA（SF3E）工艺，这标志着三星首次将创新的 GAA 架构用于晶体管技术。第二代 3nm 工艺 3GAP
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据中国台湾经济日报报道，台积电高雄厂正式编定为台积22厂（Fab 22），并且完成该厂2nm营运团队建设。台积电供应链认为，台积电或许可能将高达逾7000亿新台币的1.4nm投资计划转向高雄，但仍视其他县市争取台积电进驻态度及台积电全盘规划而定。报道指出，台积电打破在不同产区同时生产最先进制程的惯例，将高雄厂原计划切入28纳米及7纳米的规划，改为直接切入2纳米。同时在新竹宝山兴建2纳米第一期工厂之际，也立刻于高雄第一期工厂作为生产2纳米制程。此前据TechNews消息，台积电在北部（新竹宝山）、中部（台中
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IT之家 7 月 12 日消息，三星电子 4 纳米工艺的良率目前已经超过 75%，这引发了人们对于三星扩大半导体代工客户的猜测。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究员朴相佑在一份报告中表示：“三星电子近期成功地提高了 4nm 工艺的成品率”，并提高了“高通和英伟达再次合作的可能性”。此前，三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及 10nm 以下工艺良率提升缓慢的情况，导致主要客户纷纷转向台积电。结果，去年台积电的资本支出和产能分别是三星电子代工业务的
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半导体工艺
三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍。据Digitimes报道，三星在第三代4nm工艺的进步可能超出外界预期，从之前的60%提高到70%以上。
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3 月 19 日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电美国亚利桑那州厂预计 2024 年量产 4nm，高通全球资深副总裁暨首席营运长陈若文表示，高通将是台积电美国厂 4nm 的首批客户。高通于 3 月 17 日举行新竹大楼落成启用典礼，台积电欧亚业务暨研究发展资深副总经理侯永清出席致意，并参加高通举办的产业高峰会，展现双方的紧密关系。对于媒体关心高通是否评估在台积电亚利桑那州厂投片生产，陈若文说，高通很早就开始评估，高通会是台积电美国厂 4nm 制程的首批客户。去年 12 月，台积电将其对去年底开始建设的亚
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业内人士透露，台积电在亚利桑那州的美国新工厂已获得特斯拉的4纳米芯片订单，预计将于2024年开始量产。消息人士称，当台积电亚利桑那工厂开始履行其先进自动驾驶芯片的订单时，特斯拉可能成为台积电亚利桑那工厂的前3大客户之一。特斯拉技术约领先竞争对手3~5年，先前与台积电合作多时，最后2019年特斯拉却将自驾芯片Hardware 3.0交由三星14纳米、7纳米制程代工生产。但随着AI运算能力与安全性需求大增，三星因7纳米以下制程良率与效能不佳，即使代工报价再便宜，特斯拉也不得不回头与台积电合作，业界盛传Hard
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