- 在当今不断发展的技术环境下，实现最佳功效是半导体制造商的重要目标。认识到这一需求，瑞萨开发了其先进的110纳米制程技术，彻底改变了低功耗设计的世界。瑞萨的110纳米工艺技术的核心是能效、性能和成本效益之间的完美平衡。利用这种最先进的工艺节点，瑞萨创造了一系列市场领先的微控制器（MCU），体现了电源管理、集成和性能方面的最新进展。将瑞萨的MCU从130纳米（MF3）技术迁移到110纳米（MF4）技术作为微控制器技术的先驱，瑞萨凭借其先进工艺技术不断突破创新的界限。一个显著的进步是从利用130纳米工艺技术的M
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110纳米 瑞萨 微控制器
- 中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
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