Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求
—— 新增产品确保了Nexperia持续拥有业内广泛的GaN FET产品类型
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Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202503/468359.htm
Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon140 mΩ)（用于支持LED驱动器和功率因素校正(PFC)应用），以及650 V器件(RDSon>350 mΩ)（适用于AC/DC转换器）。
Nexperia E-mode GaN FET技术凭借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的开关性能。这些新器件提供了业界领先的品质因数(FOM)，因此非常适合用于高效电源解决方案。
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