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集成驱动器 文章 进入集成驱动器技术社区

通过集成驱动器和高级保护功能简化GaN电源设计

  • 高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的尺寸，同时降低了栅极驱动和反向恢复损耗。此外，半导体制造商正在将其 GaN 器件封装在高度集成的行业标准封装中，从而缩小印刷电路板 （PCB） 的占地面积要求，同时简化供应链。GaN 应用在 650 V AC-DC 转换领域，变压器外形无铅 （TOLL） 封装是电源设计的有效选择。采用此封
  • 关键字： 集成驱动器  高级保护  GaN  电源设计  

英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥

  • 消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和CoolGa
  • 关键字： 英飞凌  CoolGaN Drive  集成驱动器  单开关  半桥  

用集成驱动器优化GaN性能

  • 将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
  • 关键字： 氮化镓  TI  集成驱动器  

大、中功率MOSFET与IGBT驱动电路方案探讨

  • 1引言随着电力电子技术和电力半导体器件的飞速发展，近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、...
  • 关键字： 驱动电路  集成驱动器  隔离  

基于AVR单片机的无刷直流电机控制系统设计

  • 根据永磁无刷直流电机控制系统的设计参数、成本及灵活性等各方面的要求，设计了以AVR单片机及LM621集成驱动器为核心的硬件平台。本控制系统保护功能较完善，硬件结构简单，成本较低，在实际工程中有一定的应用价值。
  • 关键字： 单片机  AVR  集成驱动器  LM621  201111  BLDC  

超小型 LED 集成驱动器

  • ZD3315 集成块的面积只有 2mmx3ram ，自带散热面，司借助印板铜箔散热，可驱动四路 LED ，适合在高密度安装的场合使用。该集成电路不需要外接电感线圈，只需外接一个电阻和一个电容就足够了，流过 LED 的电流和 LED 的点亮可以由外部控制。附图是其基本应用电路。 驱动电压为 4 ． 5 ～ 16V(Vin 的电压 ) ，每一路可以驱动 1 ～ 4 个正向导通电压为 VF=3 ． 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驱动 5 个以上的白色 LED 的话，除了要增加电源电压
  • 关键字： LED 集成驱动器  

瑞萨发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”

  • 瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2
  • 关键字： DrMOS  MOSFET  单片机  电源技术  集成驱动器  模拟技术  嵌入式系统  瑞萨  
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集成驱动器介绍

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