英诺赛科宣布 ITC 裁决胜诉:现有氮化镓器件未侵权,美国出货不受影响
针对与德国芯片厂商英飞凌的专利纠纷,英诺赛科于 5 月 8 日发布新闻稿宣布,美国国际贸易委员会(ITC)在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定,确认英诺赛科当前在售氮化镓(GaN)功率器件未侵犯英飞凌专利,可不受限制地继续在美国进口与销售。
据英诺赛科披露,委员会全体成员维持了行政法官的认定,判定英诺赛科未侵犯美国专利号 9,070,755;同时确认,英诺赛科经重新设计、现已用于量产销售的产品,不在美国专利号 9,899,481 的保护范围之内。委员会还宣告该’481 专利另有四项权利要求无效。
英诺赛科补充说明:仅’481 专利的两项权利要求被认定有效且构成侵权,且仅针对已停产停售的旧款产品。因此,相关进口禁令对英诺赛科美国业务无实际影响,公司将持续不间断向美国及全球客户供应现有氮化镓功率产品。
此外,英诺赛科已成功推动美国专利商标局对剩余两项权利要求启动复审,并有信心该两项权利要求同样会被宣告无效。















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