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意法半导体推出氮化镓高速半桥栅极驱动器

  • 意法半导体(ST)发布两款全新高速半桥栅极驱动器,可将氮化镓(GaN)的高效性、热性能与小型化优势,广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(eGaN HEMT)输出精准受控的 5V 栅极驱动信号,高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高,在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器(LDO)、高端自举二极管,以及欠压锁定(UVLO)等保护功能。内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级
  • 关键字: STDRIVEG212  STDRIVEG612  意法半导体  氮化镓  GaN  高速半桥栅极驱动器  
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