中国GaN半导体巨头专利侵权案终裁结果：进口和销售禁令不具有实质影响

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。

而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。

原文如下：

ITC全体委员一致同意英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌美国第9,070,755号专利(涉及电极设计)和第9,899,481号专利(涉及封装设计)。

委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科早已停止生产和销售的历史旧产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的GaN功率产品。

ITC的最终裁定确认，英诺赛科的产品源于独立自主的技术创新，并彻底挫败了英飞凌试图通过缺乏根据的诉讼手段限制合法竞争的企图。功率半导体行业的未来应由更优异的产品所塑造，而非毫无根据的诉讼伎俩。

除美国市场的相关裁定外，英飞凌与英诺赛科在德国也存在专利相关诉讼：英飞凌已向慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三项专利和一项实用新型专利的侵权问题提起诉讼。其中，早在2024年8月，该法院已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌所指控的首项专利，另有一项专利和一项实用新型专利的庭审定于2026年6月举行。

回顾案件时间线

· 2024年7月26日，美国Infineon Technologies Americas Corp. of El Segundo, California、奥地利Infineon Technologies Austria AG of Villach, Austria向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国337条款（侵权美国注册专利号9,899,481、8,686,562、9,070,755、8,264,003），请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。

中国江苏Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. of China英诺赛科（苏州）科技股份有限公司、中国江苏Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. of China英诺赛科（苏州）半导体有限公司、中国广东Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. of China英诺赛科（珠海）科技有限公司、美国Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA为列名被告。

· 2024年8月27日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）启动337调查（调查编码：337-TA-1414）。

· 2024年11月5日，美国国际贸易委员会（ITC）发布终裁：对本案行政法官于2024年10月10日作出的初裁（No.7）不予复审，即将列名被告Innoscience(Suzhou) Technology Co., Ltd.更正为Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co., Ltd。

· 2025年4月30日，美国国际贸易委员会（ITC）发布终裁：对本案行政法官于2025年4月3日作出的初裁（No.27）不予复审，即基于申请方撤回，终止本案对美国注册专利号8,264,003的所有申诉和对美国注册专利号9,899,481第9项申诉的调查。

· 2025年5月20日，美国国际贸易委员会（ITC）发布终裁：对本案行政法官于2025年4月30日作出的初裁（No.46）不予复审，即基于申请方撤回，终止本案对美国注册专利号8,686,562所有申诉的调查。

· 2026年2月2日，美国国际贸易委员会（ITC）发布终裁：对本案行政法官于2025年12月2日作出的最终初裁（Final ID）进行部分复审，即关于美国注册专利号9,899,481横向晶体管器件（lateral transistor devices）的权利要求、侵权情况、申请方是否满足美国国内产业的技术和经济要素要求、有效性。当事各方、相关政府机构及其他利害关系人，可就建议救济措施、公共利益和保证金提交意见，书面材料不晚于2026年2月17日提交。

英诺赛科的反击

2025年1月16日，英诺赛科及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司曾向中国江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司侵犯其两项专利，涉及金额和法律影响引发行业关注。

此次诉讼涉及的两项专利分别为202311774650.7号和202211387983.X号专利。这两项专利均与GaN功率器件及其制备方法相关，是英诺赛科在氮化镓领域的重要技术成果。

英飞凌方随后以管辖权为由提出异议，主张案件应由其他法院审理，但苏州中院一审驳回其请求。英飞凌不服上诉至最高人民法院，经审理查明，芯沃科公司作为苏州两案的适格被告，其住所地位于江苏省苏州市，属于一审法院管辖范围，因此一审法院具有管辖权。基于此，2025 年5月11日，最高人民法院驳回了英飞凌的上诉请求，维持了两案管辖权异议一审裁定。

今年4月24日，英诺赛科宣布收到北京知识产权法院发来的两件专利行政诉讼胜诉判决，北京知识产权法院全面维持了英诺赛科公司的两件氮化镓技术核心发明专利的有效性，驳回英飞凌公司的无效诉讼请求，英诺赛科在这两项关键行政诉讼中再次取得了重大胜利。