中国宽禁带芯片企业发展分化：氮化镓射频高歌猛进，碳化硅盈利承压

2026 年一季度，中国宽禁带半导体产业（涵盖碳化硅 SiC与氮化镓 GaN）业绩分化明显。受 5G 基站建设、电动汽车车载充电机（OBC）强劲需求拉动，氮化镓射频（GaN RF）企业营收大涨；反观碳化硅功率器件厂商，受价格战加剧、产能扩张带来的折旧成本攀升影响，盈利压力持续加大。

氮化镓射频领跑；设备、车用碳化硅开始兑现收益

闻泰科技：乘风 5G 与卫星互联网

闻泰科技一季度营收同比增长79.05%，领跑行业，核心动力来自子公司氮化镓射频业务。作为国内氮化镓射频龙头，其产品已批量供应 5G 宏基站、卫星互联网终端，叠加军工电子订单激增，单季营收突破10 亿元。同时，公司碳化硅功率器件已批量供货头部车企车载充电机系统，形成第二增长曲线。

扬杰科技：巩固车用市场，盈利韧性凸显

扬杰科技一季度营收、净利润双增长，核心得益于车规级碳化硅功率器件突破。首条碳化硅芯片产线实现量产，覆盖650V–1700V全电压平台；车用功率模块封装项目投产，获多家一级供应商订单。伴随800V 高压电动车平台普及，碳化硅模块需求旺盛，叠加工业光伏领域稳定订单，公司碳化硅相关营收同比增长超50%，成为核心盈利引擎。

中微公司：氮化镓 MOCVD 龙头，盈利弹性释放

中微公司一季度净利润同比大增197.20%（含处置皮安科技股权一次性收益3.97 亿元），扣非净利润同比增长60.09%，主业稳健。公司氮化镓 MOCVD 设备国内市占率领先，受益于氮化镓射频、Mini LED、功率器件产能扩张，订单饱满；碳化硅 / 氮化镓功率器件 MOCVD 设备进入客户验证，预计下半年批量出货，打开长期增长空间。

碳化硅衬底与 IDM 厂商：折旧与价格战拖累业绩

天岳先进：碳化硅衬底转亏

国内碳化硅衬底龙头天岳先进一季度营收同比下滑10.41%，净亏损6051 万元（去年同期盈利）。核心原因：行业价格战持续，6 英寸衬底价格同比大跌超 30%；8 英寸产线扩产推高单位成本，毛利率持续为负。不过，6/8 英寸衬底总出货量环比增长3.58%，预计随产能利用率提升、良率改善，盈利逐步修复。

三安光电：传统与新兴业务双重承压

三安光电一季度营收、净利润大幅下滑，处于业务转型阵痛期：传统LED 业务需求疲软、价格下跌，营收同比下滑超40%；碳化硅衬底、射频滤波器等新业务仍处产能扩张期，湖南碳化硅工厂折旧高企、客户认证周期长，盈利滞后。尽管如此，碳化硅器件通过部分车企认证、射频滤波器小批量供货通信基站，长期成长逻辑不变。

斯达半导：折旧激增拖累利润

斯达半导一季度营收同比下滑6%，净利润大跌74.32%。主因：全资芯片制造子公司多条产线投产、尚处爬坡期，折旧费用同比大增 7543 万元，固定资产摊销同步上升；叠加电动车需求短期疲软、碳化硅模块价格小幅下滑，利润空间被挤压。不过，公司碳化硅模块已批量供货国内头部车企，后续随产能利用率提升、成本下降，业绩有望在下半年回暖。

分化格局延续：技术突破与成本控制成关键

2026 年一季度，中国第三代半导体企业业绩分化，本质是终端需求、技术成熟度、产能扩张节奏共同作用的结果。

短期来看，氮化镓射频受益 5G 持续建设、卫星互联网扩容，高景气延续；碳化硅领域，800V 电动车平台、工业光伏加速渗透，利好早获车规认证的企业；碳化硅衬底价格战或将持续，规模 + 技术优势企业更具竞争力。

长期来看，宽禁带半导体是中国半导体产业缩小国际差距的关键赛道。在政策持续支持、下游应用扩容背景下，企业需聚焦三大核心：技术突破（如提升碳化硅衬底良率、增强氮化镓器件可靠性）、成本控制（提高产能利用率、发挥规模效应）、客户认证（尤其车规、工业级），方能在竞争加剧的市场中站稳脚跟。