紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题，设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求，从而实现更高的功率密度。然
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电源效率 氮化镓 GaN 电源转换器设计
今年3月，一场收购案迅速登上氮化镓（GaN）领域头条，因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去，这场收购案迎来了结局。10月25日，英飞凌官微指出，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN
Systems，以下同）。该交易已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN
Systems已正式成为英飞凌的组成部分，并为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。市场竞争力再上一层楼2023年3月2日，英飞凌和G
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氮化镓 英飞凌
英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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英飞凌 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓
氮化镓功率半导体产品的全球领先企业Transphorm, Inc.近日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括：1.性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比
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Transphorm 常闭耗尽型 D-Mode 增强型 E-Mode 氮化镓
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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数位经济正经历一场由两大趋势驱动的巨大变革，即时数据分析的庞大需求为其一，另一则是生成式人工智能（Generative
AI）的快速发展。一场激烈的生成式AI竞赛正如火如荼的进行中，科技巨头如亚马逊（Amazon)、谷歌（Google)、微软（Microsoft）皆大举投资生成式AI的研发创新。根据彭博智库（Bloomberg
Intelligence）预测，生成式AI市场将以42%的年增率成长，从2022年400亿美元市值，于10年内扩大至1.3兆美元。在AI的蓬勃发展下，数据中心对电力与运算的
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几乎所有现代工业系统都涉及交流/直流电源，这些系统从交流电网获得能量，并将经过妥善调节的直流电压输送到电气设备。随着全球功耗增加，交流/直流电源转换过程中的相关能量损耗，成为电源设计人员整体能源成本考虑的重要部份，特别是高耗电电信和服务器应用的设计人员。 氮化镓有助于提高能效并减少交流/直流电源的损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，透过最低 0.8% 的效率增益，采用氮化镓的图腾柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW数据中心在10年内节省多达700万美元的能源成本。 选择正确的 PFC 级拓
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氮化镓 图腾柱 PFC 电源设计
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看，改采用最新第四代平台，不仅效率超过钛金级能效标准，功率密度更从 100W/in3提升至&nbs
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GaN Systems 氮化镓
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。晶体管，无论是由硅还是氮化镓制成，都不是理想的器件，有两个主要因素导致其效率下降（在简化模型中）：一个是串联电阻，称为 RDS（ON），另一个是并联电容器称为 C
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氮化镓 晶体管
【中国上海 – 2023年8月3日】氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。安世博能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业带来突破性革新。氮化镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻
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2023年8月3日，中国 -意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为7
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意法半导体 PowerGaN 氮化镓 GaN
日前，在MWC上海2023上意法半导体为我们带来了各个领域的产品及应用，在眼花缭乱的展品中，这次我们重点来讲讲这个“小东西”——ST-ONEHP数字控制器。数字控制器有哪些好处？对于高功率充电器和适配器我们早已不陌生，ST-ONEHP的内部集成了多颗控制芯片，包括初级的PWM控制器，次级的同步整流控制器以及USB-PD协议芯片，在其次级集成了一颗ARM Cortex M0+的芯片，因此得名数字控制器。数字控制器有哪些好处？第一，在控制上面，研发工程师在使用芯片的时候，可以通过电脑的UI直接操控这个芯片，开
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意法半导体 ST 数字控制器 适配器 氮化镓
战术通信技术已经走了很长一段路，从在现场铺设电缆到在传达命令时保持态势感知。在这个以网络为中心的冲突时代，IT基础设施已经一路走到战场边缘的移动指挥所。战术通信技术已经走了很长一段路，从在现场铺设电缆到在传达命令时保持态势感知。在这个以网络为中心的冲突时代，IT基础设施已经一路走到战场边缘的移动指挥所。军事现代化继续无情地进行。军费开支的增加正在推动陆地、空中和海上平台采购先进的无线通信系统。全球战术通信市场将在16-2019年期间以2025%的复合年增长率（CAGR）增长，达到18.53亿美元。1提高移
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加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常关型 氮化镓.三相电力系统
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