- 氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。相比于生成工艺复杂的SiC，GaN的生成工艺相对成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封装，因此非常适合在各种消费级和工业级开关功率应用。当然，相比SiC在高压领域的出色表现，GaN在高压的表现并不突出。因此，作为目前GaN市场占有率最高的Power Integrations（PI）创新地将GaN开关的耐压上限提升到1250V，再次为GaN开关的应用填补了新的耐受电压领域。 PI的PowiGaN已经在超过60个的市场应用中
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1250V PI PowiGaN GaN
- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出
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Power Integrations 1250V 氮化镓 开关IC
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