- 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
- 用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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mosfet 氮化镓 pfc
- 随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指标，也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场，氮化镓即将引领半导体技术革命的呼声越来越高。
有望于手机快充、5G市场起飞
当下，氮化镓的主要应用市场是手机快充、电源产业。近年来手机快充技术不断发展，已成为智能手机标配，而促进其普及的重要推手便是氮化
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氮化镓 5G
- 6月26日电(记者余晓洁)到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行列，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%……第三代半导体发展战略发布会25日在京举行。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲如是描述我国第三代半导体的“中国梦”。
第二届国际第三代半导体创新创业大赛同日启动。大赛围绕第三代半导体装备、材料、器件、工艺、封装、应用及设计与仿真方面的技术应用创新，以及商业模式创新等内容征集参
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半导体 氮化镓
- 具高功率特性的氮化镓(GaN)，将可满足5G对功率放大器(PA)的高频需求，并具有超越砷化镓(GaAs)的十足潜力。未来氮化镓将逐步在手机的5G功率放大器中出现，基地台的功率放大器应用也是其另一项发展主力。
络达科技技术长林珩之表示，5G基地台的功率放大器将会以砷化镓与氮化镓制程为主，因其是功率主导(PowerHandle)，并以表现度为主要衡量指针。但这样的制程需更多的校准(Calibration)程序，成本会比较高。不过，基地台的整体数量相较于手机应用是比较少的，因此即便其成本略高，仍在客户
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氮化镓
- 本文介绍了氮化镓的发展历程，并与砷化镓和LDMOS进行对比与分析，介绍了氮化镓在军事、无线基站及射频能量等方面的特性和未来发展的广阔市场。
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氮化镓 砷化镓 LDMOS 201701
- 据报道，共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。
据了解，“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔奖的蓝色发光二级管(LED)的材料。该研究室力争把名古屋大学研制氮化镓结晶的技术与该机构调查物质性质的技术相结合，加快研发进程。
天野是小出在名古屋大学念书时低一届的学弟。两人在名城大学终身教授赤崎勇(2014年分享诺贝尔物理学奖)门下一同进行
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氮化镓 功率器件
- 伊利诺伊大学研究人员开发出新的氮化镓(GaN)热控制方法
GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的功率密度，可以在较高温度下运行(500℃以下)，但像所有半导体那样，GaN晶体管也产生过多的热量，这会限制他们的性能。
基于散热器和风扇的冷却方法增加成本和体积。现在，一个来自伊利诺伊大学微纳米技术实验室的研究团队创造了一种新的方法，他们声称该方法简单而且低成本。
采用计算机辅助设计，坎·拜拉姆的团队已经证明，GaN层的厚度在过热中起很大作用，影响设备的热预期和最终性能。
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氮化镓 晶体管
- 伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。
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氮化镓 碳化硅
- 中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难
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氮化镓 芯片
- 氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享，将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案第一次带到中国媒体面前，采用创新的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头
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富士通 氮化镓
- 宜普电源转换公司(EPC)增加合共九个教程单元的教学视频系列，扩大它的视频资源以拓展氮化镓技术的知识库，为功率系统设计工程师提供高级技术教程，包括应用范例，教授如何使用氮化镓晶体管及集成电路设计出更高效的功率转换系统。 除了为工程师提供氮化镓晶体管的设计基础及可靠性数据外，本视频系列教授如何把开发板转化为实用的原型。此外，该系列提供氮化镓晶体管在广泛的功率电子应用中的实用范例，包括面向电信及数据通信系统的DC/DC转换，以及关于采用氮化镓器件的无线充电应用的两个视频。 氮化镓(GaN)高级学习视频
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宜普 氮化镓
- 根据YoleDeveloppement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。
目前销售Ga
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氮化镓 GaN
- 上海PCIM Asia展会现场，氮化镓系统公司(GaN Systems)联合创始人兼总裁Girvan Patterson手持一块用于服务器电源的集成电路板展示：“由于使用氮化镓晶体管器件，这块电路板的尺寸缩小到了原先的1/4。更为重要的是，它在性能、能源效率、系统成本等方面相比当下主流的硅基功率电子元件有了跨越式提升。”
被称为“终极半导体材料”的氮化镓研究和应用是全球半导体研究的前沿和热点，在光电子器件和微电子器件领域市场前景广阔。“
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氮化镓 半导体
- 据日经BP报道，松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体，将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN)，能将耗电量控制在原来一半左右。据悉，松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉，新一代半导体被松下定位为重振持续亏损的半导体业务的战略产品，松下计划首先将向服务器电源装置等供货。
氮化镓被称为“终极半导体材料”，世界上仅有美国风险企业涉足。松下将在生产子公司松下电器半导体有限公司(panasonic Semiconductor
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松下 氮化镓
氮化镓介绍
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