氮化镓 文章 进入氮化镓技术社区

氮化镓快充研发重大突破！三大核心芯片实现全国产

• 近日从供应链获悉，国产氮化镓快充研发取得重大突破，三大核心芯片实现自主可控，性能达到国际先进水准。一、氮化镓快充市场规模氮化镓（gallium nitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。也正是得益于这些性能优势，氮化镓在消费类快充电源市场中有着广泛的应用。充电头网统计数据显示，目前已有数十家主流电源厂商开辟了氮化镓快充产品线，推出的
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VisIC 推出新的 8毫欧姆氮化镓开关管 用于电动汽车逆变器

• 基于 D3GaN 技术的低导通电阻功率GaN 开关，用于 EV 市场专为 EV 逆变器应用设计的新解决方案VisIC Technologies Ltd公司，汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。针对电动汽车逆变器应用，此款产品将有助于提高电机控制器效率，降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。  8毫欧姆 D3GaN 功率开关管“与VisIC上一代产品相
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这颗国产器看似简单：每个氮化镓充电器都少不了

Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

• 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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拆解报告：RAVPOWER 61W氮化镓USB PD快充充电器RP-PC112

• 近期氮化镓充电器市场竞争非常激烈，众多知名品牌纷纷加入战场，最近我们拿到了RAVPOWER的61W和65W两款氮化镓充电器。其中，RAVPOWER 61W氮化镓充电器采用典型的方正圆角机身搭配可折叠插脚设计，非常便携。产品具备齐全的电压档位，能够很好的满足手机和笔记本的快充需求。下面我们就和小伙伴分享这款充电器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化镓充电器外观RAVPOWER这款61W氮化镓充电器采用圆角方正造型设计，机身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折叠插脚，让产品显得非常小巧，携
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第三代半导体六英寸氮化镓项目落户广西桂林

• 日前，高新区管委会与位于台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会，就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”。这个亚太地区半导体设备商的领头羊即将把16亿元的项目放到漓东这片热土上。
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氮化镓射频及功率器件项目在嘉兴开工

• 近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
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第三代半导体材料氮化镓（GaN）或引发充电革命？

• 半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。除了进一步发展在摩尔定律下的制造工艺外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（
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氮化镓“爆红”，康佳全面布局半导体产业

• 提起康佳这个品牌,相信很多人第一印象都会想到电视机。不过近些年由于市场竞争的家居,康佳电视的风光程度也大不如从前。不过康佳也早有未雨绸缪,从家电行业转进半导体芯片市场的不止格力电器一家,康佳公司这两年也开始布局芯片市场。并且成果渐显,首款存储芯片实现量产引发多方关注。康佳入场芯片领域康佳集团于1992年上市,曾是中国彩电和手机行业的龙头公司,拥有消费多媒体、移动通信、信息网络和相关配套器件等产业板块。2018年5月,康佳宣布由家电企业转型为以科技创新驱动的投资平台,同时成立了半导体科技事业部,正式进军芯片
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ST与TSMC携手推动氮化镓使用率

• 加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市；充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术；改进宽带隙产品的能效，使功率转换应用获得更高能效。
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Power Integrations发布基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC

• 美国加利福尼亚州圣何塞，2019年7月25日讯– 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G时代，砷化镓依旧称王？

• 5G时代即将来临，有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运，甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
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国内碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，5G芯片国产化再进一步

• 据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅VS氮化镓，宽禁带半导体材料双雄能否带中国实现弯道超车？

• 在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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半导体发展经历三代变革 推动社会发展

• 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
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