随著科学技术的不断进步，越来越多的现代医疗器械得到了飞速发展，特别是直接与人体相接触的电子仪器，除了对仪器本身性能的要求越来越高外之外，对人体安全方面的考虑也越来越备受关注。例如：呼吸机、心脏穿刺监视器、超声波、母婴监护仪、婴儿保温仪、生命监护仪等一些与人体紧密接触的仪器，病人使用仪器时不能因为使用仪器而对人体造成有触电或者其他方面的任何危险。为满足全球医疗应用相关仪器设备对内置式PCB型电源更高功率的应用需求，现提供的500W的高功率密度的设计方案，满足绝缘等级与超低漏电流(<190uA)，可适用
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onsemi NCP681 图腾柱 PFC 控制器 600W适配器
高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。功率级尺寸 65 x 4
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TI GaN 图腾柱 PFC TIDA-00961 FAQ
几乎所有现代工业系统都涉及交流/直流电源，这些系统从交流电网获得能量，并将经过妥善调节的直流电压输送到电气设备。随着全球功耗增加，交流/直流电源转换过程中的相关能量损耗，成为电源设计人员整体能源成本考虑的重要部份，特别是高耗电电信和服务器应用的设计人员。 氮化镓有助于提高能效并减少交流/直流电源的损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，透过最低 0.8% 的效率增益，采用氮化镓的图腾柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW数据中心在10年内节省多达700万美元的能源成本。 选择正确的 PFC 级拓
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氮化镓 图腾柱 PFC 电源设计
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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ti GaN 图腾柱 PFC 电源
行动通讯电脑发展至今已近40年，第五代行动通讯技术(简称5G)是最新一代行动通讯技术，5G的效能目标是高资料速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模装置连接。为因应5G基地台应用普及节省电源需求，安森美半导体提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1680设计方案，相较传统PFC之转换效率可以提升3%~4%，符合5G通讯诉求之节省能源，降低成本，提高系统容量之诉求，加上NCP1680快速的负载暂态补偿响应，以及高规格安规等级各式保护功能，特别是具有
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onsemi NCP1680 Totem Pole PFC 图腾柱
随着半导体工艺的发展，计算速度的不断提升，时钟频率和供电电流需要相应加快和增大，供电电压则要求不断降低。因此低电压、大电流对电源转换效率提出了更高要求。此外，电子产品的小型化、薄型化、轻型化，电源产品的功率密度越来越成为衡量电源产品技术水平的关键指标，也促使高效率高功率密度成为客户选择电源产品的关键指标。在此趋势下，可在高频率工作的GaN越来越多的被采用。安森美半导体提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案，相较传统PFC之
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安森美 PFC 图腾柱 NCP1681 NCP58921
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，将在大中华区举办普通话网上研讨会直播，阐述公司专用于无桥图腾柱功率因数校正 (TP PFC) 拓扑结构的先进混合信号控制器。该技术网上研讨会主题为“图腾柱PFC技术赋能更高能效的电源 ”，将于中国时间6月23日上午10:00直播，介绍TP PFC技术如何不复杂地提高电源能效。安森美将讲述针对超高密度离线电源的NCP1681。该新的控制器以适用于达350 W设计的 NCP1680的成功为基础，将功率能力扩展到千瓦范围。在过去，TP PFC设计需
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图腾柱 功率因数校正
无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅 图腾柱 PFC 体二极管 恢复 电荷 效率 损耗 输出电容
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