- 今天给大家分享的是：IGBT的损耗与结温计算。与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。这里将主要介绍一下：如何测量功率计算二极管和IGBT芯片的温升。一、损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导
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IGBT
损耗
温升
- 我们经常讨论PCB中损耗大小的问题。有的工程师就会问，哪些因为会影响损耗的大小呢？其实，最常见的答案通常会说PCB材料的损耗因子、PCB传输线的长度、铜箔粗糙度，其实答案肯定远不至于此。下面我们分别就相应参数做一些实验给大家介绍下PCB板中哪些因素对传输线损耗有影响。首先看看介质损耗因子Df对损耗的影响，以Df为变量，分析Df的变化对损耗的影响，下图是分析的原理图：仿真对比结果如下，显然，随着PCB介质损耗因子的变大，损耗越来越大：长度也是损耗的主要因素之一，把传输线长度设定为Len变量，分析Len的变化
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PCB
损耗
仿真
- 高速总线升级迭代的矛盾在于，消费者对性能的需求驱动着信号速率成倍的增长，消费者对便捷性的需求使得传输线无法缩短，消费者对低成本的追求要求PCB板材和传输线不能太贵，这就导致ISI抖动变得越来越严重。均衡(Equalization)就是为了应对ISI抖动，而被广泛应用的黑科技。既然ISI抖动的根源，是传输链路对不同频率信号损耗的差异，均衡就是要想办法补偿掉这个差异，让不同频率信号的幅度都能保持均匀。根据均衡技术所使用的位置，一般分为发送端均衡(Tx EQ)和接收端均衡(Rx EQ)。发送端均衡一般采用前向均
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传输链路
损耗
均衡
泰克
- 无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅
图腾柱 PFC
体二极管
恢复
电荷
效率
损耗
输出电容
- 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：
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IGBT
软开关
损耗
- 介绍
无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μ
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肖特基
PIN
损耗
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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E-Band
微波
ETSI
FCC
损耗
- 为了保证设备的运行速率以及低功耗要求，必须优化设备性能。为了提高电他寿命，在系统级、芯片级以及晶体管级...
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手机功耗
损耗
- 电源中的磁性元件一般就是指电感与变压器，这里我们这种讨论初次级隔离的变压器，因为这种变压器在开关电源中应...
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电源效率
磁性元件
损耗
- 针对现有LED驱动电路存在电解电容限制寿命的不足，提出了一种无电解电容的LED驱动电路的设计方法。该方法采用Panasonic松下MIP553内置PFC可调光LED驱动电路的芯片，与外部非隔离底边斩波电路合成作为基本的电路结构，输出稳定的电流用以满足LED工作的需要。同时设计保护电路来保护负载。实验结果表明，控制器芯片能稳定工作，并且可以实现27 V的恒压输出和350 mA的恒流输出。
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电解电容
驱动电路
恒流
损耗
保护电路
- 摘要：在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上，讨论驱动电路的设计，从而优化MOSFET的驱动性能，提高设计的可靠性。
关键词：MOSFET；急聚点；损耗
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关
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MOSFET
急聚点
损耗
- 随着变电站电气设备故障率的不断上升，供电公司和重工业必须着手进行预防和预测性维护，确保电力系统的完整性和可靠性。电气绝缘问题是电气设备故障的一个常见原因，而介质损耗/功率损耗/功率因数(PF)测试则经常用于
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损耗
功率因数
测试
- LED灯中的LED芯片是热流密度很大的电子元件，它们在运行过程中，由于其静态与动态的损耗，产生大量的多余热量，通过散热系统发散到外部，维持其工作温度的稳定。目前LED的发光效率还是比较低，从而引起结温升高，寿命
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散热系统
能量
损耗
- 节能技术在当今电子行业中，已成为一个热点，其中最受关注的是待机功耗。相当一部分产品有一定比例的时间处于轻载或待机(空载)工作模式，而“能源之星”等规范标准在致力于提升电子设备所用电源适配器工作
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应用
转换器
解决方案
损耗
待机
创新
- 目前为止，我们认为折射率是实数，但是一般情况下，它是一个复数。复折射率定义为 因此，有一项为exp(-kON1z)，这一项经常被写为exp(-a)，a称为损耗系数， 之所以包含在里面，是因为a通常为强度损耗系数，因此我
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系数
损耗
折射
波导
- 很多童鞋在使用笔记本时，都感叹本本的电池使用的时间很短;或者便用一段时间后，笔记本的使用时间变短了，这些就是由笔记本电池损耗引起的，那有什么方法可以修复笔记本电池损耗呢?下面介绍一下什么是电池的损耗和如
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方法
修复
损耗
电池
笔记本
- 电力网的线损率是电力企业一个重要的技术经济指标,降低线损是电力部门在节约能源方面的繁重任务。作为**电网的管理者，调度 部门在日常工作中采取改善网络中的功率分布、合理安排运行方式、 调整运行参数、调整负荷、
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智能电网
电网调度
损耗
方案
- 1）序言 文章介绍如何设计电路，减低采用IRIS40xx系列集成开关器的反激式电源中的空载和待机状态损耗。要达到此目的，可以利用一个根据负载情况转换IRIS器件的工作模式的电路。准谐振模式(Quasi-resonant mode,
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方案设计
损耗
电源
开关
集成
- 电力变压器的有功功率损耗包含变压器空载损耗和变压器负载损耗两部分，在一定的负载下，变压器的有功功率损耗可用下式表示：P=Pn+Pl 2-1P--总的有功功率损耗;Pn--空载有功功率损耗;Pl--在一定负载下的负载有功功率损
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关系
损耗
负载
变压器
- 最近，为了降低无源元件的尺寸并获得快速动态响应，驱动频率已被提高至MHz的数量级。但驱动频率越高，开关损耗就越大。随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通损耗。特别是由于功率器件是在最高电压电流条
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应用
开关
损耗
便携式
降低
电路
升压
转换器
谐振
- 您是否曾详细计算过设计中的预计组件损耗，结果却发现与实验室测量结果有较大出入呢?本电源设计小贴士介绍了一种简便方法，以帮助您消除计算结果与实际测量结果之间的差异。该方法基于泰勒级数展开式，其中规定(在赋
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分析
问题
损耗
电路
电源
- 光纤传输损耗的产生原因是多方面的，在光纤通信网络的建设和维护中，最值得关注的是光纤使用中引起传输损耗的原因以及如何减少这些损耗。光纤使用中引起的传输损耗主要有接续损耗（光纤的固有损耗、熔接损耗和活动接
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分析
损耗
应用
光纤
- 车载电源的无负载损耗 无负载损耗也叫空载电流，是指车载电源在无负载的情况下，自身消耗的最小电 ...
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车载
电源
无负载
损耗
- 线缆调制解调器设计中语音、视频和数据之间的相关性日益增强，为了实现三者之间的并行传输，设计工程师必须开发出解决网络传输损耗的测试方法。为了迎接这个新挑战，设计工程师正努力开发调制解调器以及利用电缆数据
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损耗
测试
调制解调器
性能
- 当交变磁力线从导电体中穿过时，导电体中就会产生感应电动势，在感应电动势的作用下，在导电体中就会产生回路电流使导体发热;这种由于交变磁力线穿过导体，并在导体中产生感应电动势和回路电流的现象，人们把它称为涡
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损耗
涡流
变压器
探讨
- 0．引言 电力工业即是重要的能源生产部门，同时又是耗能大户。电力系统在发、供、用电过程中，其自身损耗是相当大的。每年全国电力系统的总损耗高达 3000～3700亿 kwh，这相当于一个较大电力系统的发电量。巨大的电能
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电网调度
电网
损耗
- 光纤宏弯损耗测试，在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为：光纤以30mm半径松绕100圈，在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。 而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代替
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光纤
测试方法
损耗
- 基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。MOSFET完全打开时的导通电阻（
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原理
损耗
开关
开关电源
降低
- 本应用笔记介绍了一种电缆损耗的补偿方法，允许测试设备制造商使用高损耗电缆以降低成本，同时也不会牺牲产品性 ...
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电缆
损耗
- 基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。
MOSFET完全打开时的导
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损耗
开关
开关电源
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