过去十年里,碳化硅(SiC)功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V,SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT,提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能源汽车市场逐渐成熟,领先的SiC企业们纷纷谋求进入新的竞争阶段:谁能够率先突破“中高压”乃至“超高压”电力电子领域,谁就有机会成为下一代SiC竞争的赢家。 在这样的背景下,压力重重的Wolfspeed(欧胜)于2026年3月率先发布全球首款商业化10kV SiC MOSFET(C
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SiC
10KV
Wolfspeed
英飞凌
罗姆
202606
一种基于等离子体的简易边缘终端技术,成功制备出横向结构 10 千伏级氮化镓二极管。在电力电子领域的一众半导体技术中,氮化镓(GaN)已取得显著成功。这种材料在需要承受数百伏电压、同时实现极低功耗的场景中,性能无可匹敌。凭借这些优势,氮化镓功率器件已在各类移动设备快充领域,确立了 “杀手级” 应用地位。然而,在 1.7 千伏及以上高压场景 —— 这是电网、风力涡轮机、电力传动、高压电源等应用的关键区间 —— 氮化镓尚未实现商业化落地。目前商用高压器件包括:硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)、晶闸管(最高 6.
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10KV
氮化镓
对于10kv变频器,移相变压器二次侧电压1900v,功率单元直流侧电压2700v,每相3个功率单元串联,功率部分只需9个功率单元。移相变压器共9个副边绕组。这样,每个功率单元输出的最高电压为1900v,3个功率单元串联就能够输出5...
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10kv
变频器
1、线路中励磁涌流问题(1)线路中励磁涌流对继电保护装置的影响励磁涌流是变压器所特有的,是由...
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10kV
继电保护
对策
介绍了我国首次自主研制并投入工业运行的第一套高压并联式混合型10kV电网高次谐波有源滤波装置的主要特点和设计方案,以及工业运行的效果。该装置是一种并联式有源滤波和无源滤波相结合的混合型成套装置。文中详细介
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主要
装置
特点
设计
方案
滤波
有源
10kV
混合型
电网
摘要:对10 kV线路继电保护的整定计算中存在的特殊问题,提出了解决的方法。 10 kV配电线路结构复杂,有的是用户专线,只接一两个用户,类似于输电线路;有的呈放射状,几十台甚至上百台变压器T接于同一条线路的
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