图1 半导体对许多新兴绿色科技至关重要毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运
关键字：
电动汽车 光伏逆变器 SiC
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
关键字：
202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时，瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示，第三代1200V 13
关键字：
瞻芯电子 SiC MOSFET 车规认证
据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨询分析，2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增，然而，纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链，预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。作为关键的车用SiC
MOSFE
关键字：
SiC 功率元件 ST
随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来，功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。SiC 作为第三代半导体以其优越的性能，在今年再次掀起风潮。6 英寸到 8 英寸的过渡推动由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。SiC 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有
关键字：
SiC
在纯电动汽车应用的驱动下，根据TrendForce研究显示，2023年全球SiC功率组件产业保持强劲成长，但2024年纯电动汽车销量成长速度的明显放缓与工业需求走弱，预估今年全球SiC功率组件产业营收年成长幅度将较过去几年显着收敛。根据TrendForce研究显示，2023年全球前5大SiC功率组件供货商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作为关键的车用SiC MOSFET供货商，ST正在意大利卡塔尼亚打
关键字：
纯电车 SiC 功率组件 TrendForce
根据Yole机构2024 Q1的预测，氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%，其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场（automotive & mobility），“从无到有”，五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场（图1）。而相比之下，碳化硅（SiC）应用市场成长则显得比较温和，CAGR远低于GaN（图1）。随着GaN“上车”进程加速，功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1：在GaN市场份额变化中，汽车与出行市场 “从无到有”，五年后
关键字：
GaN 车用功率器件 Transphorm SiC
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
关键字：
SiC MOS 碳化硅 MOSFET
众所周知，SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料，因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用，可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最广泛的SiC开关器件是SiC MOSFET，与传统Si IGBT相比，SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标，从而推动电力电子系统的发展。图1: 碳化硅器件应用范围示意图1图2: 典型应用场景对应的功率等级2从技术上讲，
关键字：
低导通电阻 SiC 大电流 高功率
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载流子迁移率，但它们也带来了更高的复杂性。对于 SiC 功率器件制造商来说，准确测量外延层生长和这些沟槽中注入层深度的能力是相当重要的，特别是在面临不断增加的制造复杂性时。今天我们分享一下来自Onto Innovation 应用开发总监Nick Keller的文章，来重点介绍下SiC 功率器
关键字：
SiC 功率器件 沟槽结构测量
电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快速直流充电。如下图所示，直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成：图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在优化系统效率的同时最大限度缩短充电时间是直流快速充电机的主要关注点。在设计此类系统时，必须考虑器件选型、电压范围和负载要求、运行成本、温度、坚固性和环境保护，以及可靠性。相比传统硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作温度更高、导通损耗更小、漏电流
关键字：
SiC 电动汽车 直流快速充电机 Wolfspeed
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
关键字：
SiC MOSFET RSP
800V车型刷屏，高压SiC车载应用加速普及。实际上，近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产，多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。2024年，随着车企卷价格卷性能战略推进，将进一步拉动SiC渗透。SiC迎来800V高压平台风口◆ 800V架构成为电动汽车主流电动化进程持续推进，安森美（onsemi）电源方案事业部汽车主驱方案部门产品总监Jonathan
Liao指出预计到2030年将有1.5亿辆新能源汽车驶上道路。但从消费者角度看购买电动车的两大顾虑是续航里程和充电便利性
关键字：
SiC 逆变器 功率模块
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKIN
关键字：
优晶科技 8英寸 SiC 单晶生长设备
6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半导体）在官网披露，其与ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，为电动汽车（EV）开发基于碳化硅（SiC）的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍，GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器，可延长电动汽车的续航里程、减少充电停车次数、同时降低OEM厂商的系统级成本。据了解，牵引逆变器是电动汽车电力传动系统的
关键字：
恩智浦 SiC 逆变器
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473