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第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层

• 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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