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Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

—— 这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案
作者: 时间:2026-03-17 来源: 收藏

2026年3月17日 — 日前,威世科技 Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。 VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了最新一代碳化硅(SiC)MOSFET,并且以行业标准的形式进行封装。 

此次推出的每个都采用单开关和低边斩波器配置,内置的集成了软体二极管,可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗,提高了效率,可适用于太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源(UPS)、暖通空调(HVAC)系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。 

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用紧凑型的封装,使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样,设计人员无需对PCB布局进行更改,即可采用最新的SiC技术,从而节省成本。模压封装还可提供高达2500 V(一分钟)的电气绝缘,通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求,进一步降低了成本。 

这些提供50 A至200 A的连续漏极电流,导通电阻低至12.1 mW。这些器件符合RoHS标准,具备低电容高速开关特性,并可支持+175 °C的最高工作结温。 

器件规格表:

产品编号

VDSS

ID

RDS(ON)

配置

封装

VS-SF50LA120

1200 V

50 A

43 mW

低边斩波器

VS-SF50SA120

50 A

47 mW

单开关

VS-SF100SA120

100 A

23 mW

单开关

VS-SF150SA120

150 A

16.8 mW

单开关

VS-SF200SA120

200 A

12.1 mW

单开关

 VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。


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