- 一位消息人士告诉《日经新闻》（Nikkei），决定生产“应该从稍小的方形开始，而不是在早期试验中从更雄心勃勃的大方形开始。用化学品均匀地涂覆整个基材尤其具有挑战性。首次生产将于 2017 年在桃园市试行。据报道，日月光科技最初表示正在建造一条使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生产线，但在听说台积电的决定后，决定在高雄建造另一条使用 310x310 毫米基板的试点生产线。PLP 技术由 Fraunhofer 于 2016 年推出，当时它与 17 个合作伙伴成立了面板级封装联盟 （PLC）。
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TSMC 衬底 PLP
- 据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6
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碳化硅 衬底
- 碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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- 中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道。在这里我们注意到，由于里程焦虑和快速充电的要求，800V 电池母线系统获得了不少的OEM或者Tier1的青睐。谈到800V母线系统，让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块，由于碳化硅得天独厚的优势，使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET，这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。安
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- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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- 随着亚微米、深亚微米技术和系统芯片（SOC）技术的日益成熟，功耗已经成为模拟电路设计中首要考虑的问题，低电压低功耗集成电路设计渐渐成为主流。因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS，所以经常
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- 混合动力电动汽车(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新车型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型电源开关，到目前为止，大功率开关产品因为成本高，可靠性达不到汽车应用的期望，而无法适
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IGBT IMS 塑料封装 衬底
- 1:蓝宝石详细介绍蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型...
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- 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求...
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- 介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET，有效避开阈值电压限制；输出采用改进前馈式AB类输出级，确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制，使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计，用Hspice进行仿真。模拟结果显示，测得直流开环增益为62.1 dB，单位增益带宽为2.13 MHz，相位裕度52°，电路在0.8 V低电压下正常运行，电路平均功耗只有65.9 μW。
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低压 低功耗 衬底 驱动
- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 2009中国LED显示产业高峰论坛5月24日在“深圳光电显示周”期间举行。与此同时，为表彰和鼓励优秀企业和技术创新，首届中国LED行业年度评选颁奖典礼同时举行。
LED(发光二极管)产业是朝阳产业、绿色产业。LED显示成为5月23日-26日“深圳光电显示周”期间的最大亮点。在国际金融危机的背景下，众多展会和论坛“冷场”或“缩水”，而24日的“2009中国LED显示产业高峰论坛”
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CREE LED 衬底
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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