又一SiC衬底厂签单，6.8亿！

来源： 化合物半导体市场

8月17日，第三代半导体IDM巨头II-VI宣布与国内SiC外延片领先企业东莞天域半导体签订了1亿美元（约合人民币6.8亿元）的合同。按照合同，II-VI将向天域半导体提供用于电力电子领域的6英寸SiC导电型衬底，从本季度开始到明年年底交付。

II-VI指出，随着交通基础设施和工业设备的电气化发展，市场正加速向基于SiC的电力电子应用转型。业界皆知，SiC自身耐高温、耐高压、高功率密度、高效率、低功耗等优势，可完美匹配电力电子产品高效化、节能化、小型化的需求，有助于整体系统成本的下降。因此，SiC在电动汽车、光伏与储能、轨道交通及工业应用等领域有着巨大的应用潜力，

根据TrendForce集邦咨询《2022第三代半导体功率应用市场分析报告》显示，SiC功率元件的规模预估将在今年达到15.9亿美元，并在2026年达到53亿美元，年复合增长率为35%左右。由此可见，终端市场对SiC的需求将持续强劲增长，但与之形成对比的是，目前全球SiC供应链产能尚不能满足市场需求，尤其是前端的衬底环节。于是，自SiC开启元年以来，扩产、锁定产能等成为第三代半导体行业的关键词。

为了满足亚洲市场的需求，II-VI 于2021年在中国福州的II-VI"亚洲地区总部 "建立了一条SiC衬底后端加工生产线，洁净室面积超过50,000平方英尺。

本次天域半导体向II-VI签单，也是提前锁定关键的衬底产能，为接下来迎接需求的爆发做好充分的准备。II-VI也表示，通过签订这一份长期供货合同，其在美国和中国的6英寸产线将确保天域半导体能够获得6英寸衬底的产能，以满足2023年SiC应用市场的需求。

随着客户加速推进SiC产品的开发和应用，II-VI也进一步落实了扩产6英寸和8英寸衬底和外延片的计划。该公司已于今年3月宣布在美国宾夕法尼亚州伊斯顿（Easton）和瑞典希斯塔（Kista）科学城扩建工厂，加速6英寸、8英寸SiC衬底和外延片的大规模制造。预计到2027年，伊斯顿6英寸SiC衬底的年产能将达100万片，8英寸SiC衬底的占比也将逐渐增加。希斯塔工厂的SiC外延片产能也将显著增加。

作为国内最早研发SiC外延片的企业以及国内首家获得汽车质量认证（IATF 16949）的SiC半导体材料供应链企业，天域半导体也正在扩产的道路上加速前进。今年4月，天域半导体SiC外延片项目正式落地，将新增6/8英寸SiC外延片生产线，年产能达100万片，预计2025年竣工投产。

天域半导体此番与产能规模较大的II-VI签订长期供应合同，能够在保障上游产能供应的条件下，随着自身产能的释放，不断满足未来下游器件厂商对SiC外延片的需求。