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衬底 文章

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 射频  抗击穿  LDMOS  埋层  漂移区  衬底  

基于衬底驱动技术的模拟电路设计

  • 随着亚微米、深亚微米技术和系统芯片(SOC)技术的日益成熟,功耗已经成为模拟电路设计中首要考虑的问题,低电压低功耗集成电路设计渐渐成为主流。因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连,或者连接到VDD或VSS,所以经常
  • 关键字: 衬底  驱动技术  模拟电路设计    

采用塑料封装和IMS衬底的混合动力汽车功率IGBT模块

  • 混合动力电动汽车(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2,最新车型甚至可能把排放量降得更多。但是,HEV需要大功率的成本效益型电源开关,到目前为止,大功率开关产品因为成本高,可靠性达不到汽车应用的期望,而无法适
  • 关键字: IGBT  IMS  塑料封装  衬底    

LED用蓝宝石基板(衬底)详细介绍

  • 1:蓝宝石详细介绍蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型...
  • 关键字: LED  蓝宝石  基板  衬底    

三种LED衬底材料的比较

  • 对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求...
  • 关键字: LED  衬底  

一种低压低功耗衬底驱动轨至轨运算放大器设计

  • 介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制;输出采用改进前馈式AB类输出级,确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制,使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计,用Hspice进行仿真。模拟结果显示,测得直流开环增益为62.1 dB,单位增益带宽为2.13 MHz,相位裕度52°,电路在0.8 V低电压下正常运行,电路平均功耗只有65.9 μW。
  • 关键字: 低压  低功耗  衬底  驱动    

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

  • 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
  • 关键字: GaN  LED  衬底  功率型    

衬底技术进步快 集成创新成LED产业发展重点

  •   2009中国LED显示产业高峰论坛5月24日在“深圳光电显示周”期间举行。与此同时,为表彰和鼓励优秀企业和技术创新,首届中国LED行业年度评选颁奖典礼同时举行。   LED(发光二极管)产业是朝阳产业、绿色产业。LED显示成为5月23日-26日“深圳光电显示周”期间的最大亮点。在国际金融危机的背景下,众多展会和论坛“冷场”或“缩水”,而24日的“2009中国LED显示产业高峰论坛”
  • 关键字: CREE  LED  衬底  

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
  • 关键字: MMIC  SiC  GaN  衬底    
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衬底介绍

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