衬底技术进步快 集成创新成LED产业发展重点

　　2009中国LED显示产业高峰论坛5月24日在“深圳光电显示周”期间举行。与此同时，为表彰和鼓励优秀企业和技术创新，首届中国LED行业年度评选颁奖典礼同时举行。

　　LED(发光二极管)产业是朝阳产业、绿色产业。LED显示成为5月23日-26日“深圳光电显示周”期间的最大亮点。在国际金融危机的背景下，众多展会和论坛“冷场”或“缩水”，而24日的“2009中国LED显示产业高峰论坛”却吸引了500多位LED企业高层和专家出席。在多项利好政策和技术不断成熟的有力推动下，LED各种应用，特别是照明及大尺寸背光应用均处于井喷式发展的前夜。国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲在LED显示产业高峰论坛上强调，在行业快速发展的同时，一定要正视问题，特别是专利、标准、创新体制等关键问题。从技术上看，我国LED外延、芯片，特别是衬底技术进步很快，有专家认为，在LED产业后续的发展中，外延、芯片和封装进行技术上的集成创新成为产业可持续发展的大趋势。

　　硅衬底技术已实现产业化

　　长期以来，LED衬底技术一直被日本日亚公司的蓝宝石衬底和美国CREE公司的碳化硅衬底所垄断。晶能光电(江西)有限公司是依托南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心，专门从事硅衬底GaN(氮化镓)基LED外延材料与芯片生产的高科技企业。在“2009中国LED显示产业高峰论坛”上，南昌大学教授、晶能光电董事长江风益做了主题演讲，据介绍，硅衬底GaN基LED芯片所走的技术路线从根本上与日本、美国等少数发达国家的GaN基LED技术不同。目前市场上出售的其他公司生产的氮化镓LED都是以蓝宝石或碳化硅作为衬底，而晶能光电的产品为在第一代半导体材料硅衬底上制备GaN基LED芯片，晶能光电的技术路线具有原始创新性。目前，晶能光电也已经率先在全球实现了这一新产品的批量生产。“虽然目前我们产品的应用量还不是很大，但其优势已经显现，未来发展空间还是很乐观的。”江风益认为。

　　硅衬底技术是LED三大原创技术之一，具有完整的知识产权，已申请和获得国际国内发明专利52项。可以这样认为，晶能光电已经打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国CREE公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。

　　中国光学光电子行业协会光电器件分会秘书长、安徽稳润光电有限公司总裁陈和生介绍说，2008年国内以国产外延片制成的LED芯片总产销量已达到300亿PCS左右，其中超高亮度芯片约13。1瓦功率LED芯片方面，国内多家企业已在不同程度上取得产业化技术的突破，批量产品的发光效率已可达到每瓦50流明～70流明，在市场上具备一定的性价比竞争能力，并在自主知识产权方面也取得相当多的成绩。

　　深圳雷曼光电科技有限公司总经理李漫铁在接受记者采访时表示，如果说在5年前我们的LED产品质量和功能，无论是芯片、器件、应用产品，与国外领先产品的差距达50%的话，现在这个差距平均已经缩短为10%至20%，部分产品还有超越。“在这种情况下，没有必要再崇洋媚外选择产品。是时候让中国的LED企业做大做强了，这需要全行业和全社会的共识。”李漫铁表示。

　　陈和生认为，从技术上讲，LED外延、芯片，特别是衬底技术，国内进步是很快的，在未来产业发展中，外延、芯片和封装进行技术上的集成创新成为产业可持续发展的大趋势。

　　集成创新需产业链协同

　　2008年两轮“337”事件对我国LED行业的发展敲响了警钟。“当前，提高我国LED产品的国际竞争能力，发展完整的具有自主技术产权的系列技术是我们的当务之急，作为企业来说，虽然在加强自主研发的同时在知识产权保护方面采取一些外围的自我保护措施有一定的可行性，但核心的工作还是需要从整个行业的高度来做。”陈和生认为。