化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。

汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP）助力光子学技术加速发展，发光二极管（LED）与微发光二极管（MicroLED）则依托氮化镓、砷化镓、蓝宝石及硅基平台发展。

化合物半导体供应链正围绕头部企业整合：碳化硅晶圆领域有沃尔夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件领域为英飞凌科技（Infineon Technologies），外延片领域是 IQE 公司，化合物材料领域则为住友化学（Sumitomo）。

技术发展的核心聚焦于晶圆尺寸升级：碳化硅晶圆向 8 英寸转型，磷化铟晶圆迈向 6 英寸，硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术展现出 12 英寸晶圆的应用潜力。

尽管部分细分领域面临短期价格压力，但汽车电动化、人工智能基础设施扩建以及新一代通信技术的发展，持续夯实了碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料的长期市场需求。

2025 至 2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片整体市场的年复合增长率约为 14%，到 2031 年市场规模合计将突破 50 亿美元。

法国市场研究机构 Yole 的艾哈迈德・阿巴斯表示：碳化硅功率器件仍是市场扩张的核心支柱，值得关注的是市场增长的多元化发展。在本次发布的最新报告中，我们能看到这一行业的产业结构正变得更稳固、发展更均衡。

凭借显著的性能优势，化合物半导体的产业化应用正加速推进。Yole 集团分析师正密切关注各细分市场的这一转型趋势：

电力电子领域仍是市场增长的第一引擎。在电动汽车普及、800V 电气架构推广、车载充电器、可再生能源系统及工业电动化的推动下，仅 N 型碳化硅衬底一个品类，2031 年的市场规模就有望突破 20 亿美元。

碳化硅晶圆正从 6 英寸向 8 英寸快速升级，这一转型加速了成本下降与产业规模化发展；尽管近期受产能过剩、汽车市场需求回归常态的影响，碳化硅领域面临价格压力，但晶圆尺寸升级仍巩固了其长期市场竞争力。

氮化镓功率器件的应用领域也在不断拓展，从消费电子快充逐步切入汽车与数据中心应用场景，其作为功率半导体互补技术的战略地位持续提升。

Yole 的邱欧顺（Ooshun Chiu）表示：从碳化硅助力数据中心实现高效电力传输，到磷化铟支撑高速光互连技术发展，化合物半导体材料已成为人工智能基础设施规模化建设的核心支撑。

射频市场中，砷化镓仍在手机前端模组领域占据主导地位；氮化镓则在通信基础设施与国防军工应用中持续突破，随着 6G 技术的部署推进，其拥有广阔的长期发展前景。

光子学领域：增长最具活力

光子学是化合物半导体所有细分领域中发展最具活力的板块。在人工智能数据中心、高速光收发模块及共封装光学架构的驱动下，2031 年前磷化铟衬底市场的年复合增长率将超 18%。

磷化铟晶圆向 6 英寸平台的升级，既实现了产品性能的提升，也提高了制造端的生产效率。

与此同时，LED 市场发展已趋于成熟，MicroLED 的产业化应用则稳步推进，目前率先落地于高端可穿戴设备与显示终端应用场景。