Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驱动器解决方案

新时代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.发布了一款高效能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。

不同于同类竞争的e-mode GaN解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位元电路，Transphorm的SuperGaN FET由于可以与市售的驱动器搭配使用，更易于驱动，因此可提升客户使用Transphorm器件的成本优势。本次发布的新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器，在不影响GaN FET或系统效能的情况下，进一步降低了系统总成本。

Transphorm业务发展和市场行销资深副总裁Philip Zuk表示：「我们的常关型氮化镓平台能够与业界熟知的市售驱动器配合使用，更适合市场应用，也更受市场欢迎。能够根据需要来选定驱动器，对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同效能优势权重的设计挑选相应的驱动，从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm的GaN能够提供更高效能，采用我们的氮化镓器件，客户可以根据最终结果来挑选BOM，从而以极佳的成本效益实现所需的效能。」

Transphorm还推荐各种其他驱动器，这些驱动具有高额定隔离电压（控制至输出的驱动信号）、短延迟、快速开启/关断、以及可程序设计死区时间等优点，非常适合较高功率的应用。电源适配器、电竞NB充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格非常敏感，这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能，使用高端的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。

效能分析

该半桥栅极驱动器采用了Transphorm的650V、72 mΩ PQFN88封装器件TP65H070LSG进行测试。可用于桥式拓扑结构，如谐振半桥、图腾柱PFC、正弦波逆变器或有源箝位元反激式电路。测试结果表明，无论是否使用散热器或强制空气进行冷却，该低成本的驱动解决方案在低于／等于150kHz的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近99%的效率。