东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日益增长。
东芝的新型数字隔离器支持最高125°C的工作温度。其专有的磁耦合隔离传输技术[1]，确保产品的共模瞬态抗扰度（CMTI）可高达150kV/μs（典型值）[2]，从而有助于设备的稳定运行。
新产品提供多种通道配置：正向4通道和反向0通道、正向3通道和反向1通道，以及正向2通道和反向2通道。这种灵活性使其能够满足工业自动化中各类隔离通信接口应用的选型需求，包括I/O接口、电机控制和逆变器等。
随着这些新型数字隔离器的推出，加上东芝此前推出的面向工业设备应用的DCL341x0B系列标准数字隔离器（采用小型SSOP16封装，具备低功耗和中速通信能力，最高可达25Mbps），东芝进一步完善了产品线，使客户能够根据通信速率范围和应用需求选择最合适的产品。
东芝将继续通过开发面向工业设备和汽车设备的数字隔离器，助力实现碳中和，并提供支持使电气隔离设备实现稳定通信与控制的高品质隔离器件。
Ø 应用：
- 工业自动化：可编程逻辑控制器（PLC）、I/O接口等
- 电机控制
- 逆变器
- 开关电源
Ø 特性：
- 最高工作温度：125°C（最大值）
- 高共模瞬态抗扰度：|CMTI|＝150kV/μs（典型值）
- 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值）
- 4通道：
正向4通道，反向0通道
正向3通道，反向1通道
正向2通道，反向2通道
Ø 主要规格：
器件型号 | DCL540C01A | DCL540D01A | DCL540L01A | DCL540H01A | DCL541A01A | |||
通道数（正向：反向） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （3:1） | |||
默认输出逻辑 | 低 | 高 | 低 | 高 | 低 | |||
使能控制 | 无 | 无 | 输出使能 | 输出使能 | 输入禁用 | |||
封装 | SOIC16–W (P–SOP16–0811–1.27–002) | |||||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr（°C） | –40至125 | ||||||
存储温度Tstg（°C） | –65至150 | |||||||
隔离电压（1分钟）BVS（Vrms) | Ta＝25°C | 最小值 | 5000 | |||||
推荐工作条件 | 电源电压VDD1，VDD2（V) | Topr＝–40°C至125°C | 2.25至5.5 | |||||
电气特性 | 共模瞬态抗扰度|CMTI|（kV/μs) | VI＝VDDI或0V，VCM＝1500V，Ta＝25°C | 典型值 | 150 | ||||
数据速率 tbps（Mbps) | VDD1＝VDD2＝2.25V至5.5V Ta＝–40°C至125°C | 最大值 | 150 | |||||
脉宽失真PWD（ns） | VDD1＝VDD2＝5V，Ta＝25°C | 典型值 | 0.8 | |||||
传输延迟tPHL，tPLH（ns） | 典型值 | 10.9 | ||||||
器件型号 | DCL541B01A | DCL541L01A | DCL541H01A | DCL542L01A | DCL542H01A | |||
通道数 （正向：反向） | 4 （3:1） | 4 （3:1） | 4 （3:1） | 4 （2:2） | 4 （2:2） | |||
默认输出逻辑 | 高 | 低 | 高 | 低 | 高 | |||
使能控制 | 输入禁用 | 输出使能 | 输出使能 | 输出使能 | 输出使能 | |||
封装 | SOIC16-W (P-SOP16-0811-1.27-002) | |||||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr（°C） | –40至125 | ||||||
存储温度Tstg（°C） | –65至150 | |||||||
隔离电压（1分钟） BVS（Vrms） | Ta＝25°C | 最小值 | 5000 | |||||
推荐工作条件 | 电源电压VDD1，VDD2（V） | Topr＝–40°C至125°C | 2.25至5.5 | |||||
电气特性 | 共模瞬态抗扰度|CMTI| （kV/μs) | VI＝VDDI或0V，VCM＝1500V，Ta＝25°C | 典型值 | 150 | ||||
数据速率tbps（Mbps） | VDD1＝VDD2＝2.25至5.5V， Ta＝–40°C至125°C | 最大值 | 150 | |||||
脉宽失真PWD（ns） | VDD1＝VDD2＝5V， Ta＝25°C | 典型值 | 0.8 | |||||
传输延迟 tPHL，tPLH（ns） | 典型值 | 10.9 | ||||||
注：
[1] 一种将调制芯片和带有绝缘层的解调芯片集成到单一封装中，并利用磁场传输信号的信号传输方法。
[2] 测量条件：VI＝VDDI或0V，VCM＝1500V，Ta＝25°C（VDDI为输入侧的VDD1或VDD2）
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