新兴半导体公司 Rapidus 计划在未来几年大幅扩大其 2nm 研发力度，因为它看到了科技巨头的巨大兴趣。Rapidus 的 2nm 工艺采用 BSPDN 和 GAA 技术，使其成为业内独一无二的实现。半导体供应链长期以来一直被台积电等公司主导，而英特尔和三星代工厂等竞争对手也在努力巩固自己的市场份额，因此还有很长的路要走。不过，据说日本领先的芯片制造公司
Rapidus 已加入尖端节点的竞争，据DigiTimes报道，该公司已经在日本北海道开发了一个专用设施，以尽快进入量产阶段。据称，Rapidu
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日本半导体 Rapidus 2nm工艺 量产 BSPDN GAA
三星为了与台积电竞争大绝尽出，根据《韩国经济日报》报导，三星计划采用最新「背面电轨」（BSPDN，又称「晶背供电」）芯片制造技术，能让2纳米芯片的尺寸，相比传统前端配电网络（PDN）技术缩小17%。三星代工制程设计套件（PDK）开发团队副总裁Lee Sungjae近期向大众揭露BSPDN细节，BSPDN相较于传统前端配电网络，可将芯片效能、功率分别提升8%、15%，而且三星预定在2027年量产2纳米芯片时采用BSPDN技术。BSPDN被称为次世代晶圆代工技术，该技术主要是将电轨置于硅晶圆被面，进而排除电与
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三星 BSPDN 台积电
7 月 4 日消息，根据工商时报报道，台积电提出了更完善的背面供电网络（BSPDN）解决方案，所采用方式最直接、有效，但代价是生产复杂且昂贵。为什么要背面供电网络？由于晶体管越来越小，密度越来越高，堆叠层数也越来越多，因此想要为晶体管供电和传输数据信号，需要穿过 10-20 层堆栈，大大提高了线路设计的复杂程度。背面供电技术（BSPDN）将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的背面重新排布，也是晶体管三维结构上的一种创新。该技术可以在增加单位面积内晶体管密度的同时，避免晶体管和电源网络之间的信号
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台积电 背面供电技术 BSPDN
埃米时代来临，背面电轨（BSPDN）成为先进制程最佳解决方案，包括台积电、英特尔、imec（比利时微电子研究中心）提出不同解方，锁定晶圆薄化、原子层沉积检测（ALD）及再生晶圆三大制程重点，相关供应链包括中砂、天虹及升阳半导体等受惠。 背面电轨（BSPDN）被半导体业者喻为台积电最强黑科技，成为跨入埃米时代最佳解决方案，预估2026年启用。目前全球有三种解决方案，分别为imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及台积电的Super Power Rail。代工大厂皆开始透过设
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台积电 背面电轨 BSPDN
IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在北京时间今日凌晨举行的三星代工论坛 2024 北美场上宣布，其首个采用 BSPDN（背面供电网络）的制程节点 SF2Z 将于 2027 年量产推出。BSPDN 技术将芯片的供电网络转移至晶圆背面，与信号电路分离。此举可简化供电路径，大幅降低供电电路对互联信号电路的干扰。三大先进制程代工厂目前均将背面供电视为工艺下一步演进的关键技术：英特尔将于今年率先在其 Intel 20A 制程开始应用其背面供电解决方案 PowerVia；台积电则称搭载其 Super
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三星 工艺制程 BSPDN
IT之家 2 月 28 日消息，据韩媒 Chosunbiz 报道，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，有望提前导入未来制程节点。传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩，传统供电模式的线路层越来越混乱，对设计与制造形成干扰。BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，可简化供电路径，解决互连瓶颈，减少供电对信号的干扰，最终可降低平台整体电压与功耗。对于三星而言，还特别有助于移动端 SoC 的小型化。▲&n
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三星 BSPDN 芯片测试
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