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imec展示单片式CFET功能组件 成功垂直堆栈金属接点

• 于本周举行的2024年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效晶体管（CFET）组件，该组件包含采用垂直堆栈技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact）。虽然此次研究的成果都在晶圆正面进行接点图形化，不过imec也展示了改从晶圆背面处理接点图形的可行性—这能大幅提升顶层组件的存活率，将其从11%提升到79%。 CMOS互补式场效晶体管（CFET）组件搭配中间介电层（MDI）以及
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