8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
IT之家 7 月 30 日消息，《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机，图源：ASML上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
据市场消息，目前，ASML High NA EUV光刻机仅有两台，如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求，为此ASML布局步伐又迈一步。当地时间6月3日，全球最大的半导体设备制造商阿斯麦（ASML）宣布，携手比利时微电子研究中心（IMEC），在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），并由双方共同运营。推动摩尔定律关键因素：High NA EUV技术据业界信息，High NA EUV技术是
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