- 随着计算技术的进步，越来越多的先进芯片应运而生。最新一代 3 纳米和 2 纳米制程芯片的尺寸极小，传统光源波长已无法在如此精细的尺度上实现可靠的图形光刻。这一挑战并非新题 —— 半导体行业长期以来一直使用深紫外光刻（DUV）技术在硅片上进行光刻加工。但要实现最先进芯片设计的纳米级精度，就需要波长更短的光源。这种光源及对应的光刻技术被称为极紫外光刻（EUV）。中国 EUV 原型机提前问世图注：更短、更精准、更纤薄：技术的巨大飞跃，蔡司（ZEISS）数据显示，EUV 技术制造的结构精度达 13.5 纳米，比人
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- 中国朝向国产紫外真空光刻能力的漫长进程似乎正在缩小，近期发展显示进展速度超乎预期。据路透社报道，消息人士称中国已组装了一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机。正如报道所示，消息人士称中国政府目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片，尽管2030年被视为更现实的目标。原型机的存在表明，中国距离半导体自给自足可能比此前预期的更近数年。报道援引消息人士称，原型机于2025年初完成，目前正在进行测试。报告补充说，虽然该机器已运行并具备极紫外光的能力，但尚未生产出可工作的芯片。据报道，前ASML工程师参与了
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ASML EUV 光刻
- 全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）首席执行官克里克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在专访时，谈到了被禁止向中国出口所有EUV设备及最先进的深紫外（DUV）光刻设备，就当前西方对华光刻机出口限制政策，抛出了一番充满矛盾的“技术制衡论”，引发行业广泛关注。眼下，阿斯麦正面临严苛的出口管制约束：被禁止向中国出口所有极紫外（EUV）光刻设备，以及技术最先进的深紫外（DUV）光刻设备。他重申其观点，认为“应向中国适度输出技术以防其自主研发形成竞争力”；同时，在他看来在对华技术出口限制问题上，西方
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- 近年来，首次直接解决了EUV光刻中二次电子噪声的统计及其对缺陷概率的影响[1]。在本文中，我们将考虑一些更新的 EUV 抗蚀剂模糊模型，包括化学放大 （CAR） 和金属氧化物 （MOR） 类型。首先，让我们回顾一下推导 EUV 随机缺陷概率的过程，同时考虑二次电子噪声。光子吸收的特征是经典的分裂或变薄泊松分布[2]。假设每个吸收的EUV光子释放的电子数遵循整数的均匀分布作为概率质量函数[1]。当考虑电子散射时，由此产生的有效“模糊”将嘈杂的光子吸收曲线替换为以模糊比例参数为特征的平滑曲线。然而，这只会更新
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电子噪声 抗蚀剂 模糊模型 EUV 缺陷密度
- 目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm（分别代号A14与A10）—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上，这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决，但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备，而是转向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻机？从早期的深紫外
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- 荷兰半导体设备巨头、芯片制造光刻机的主要供应商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日发布了 2025 年第三季度财报。结果显示，在人工智能需求的推动下，订单量强劲，但也对 2026 年对中国的销售额将大幅下降发出了严厉警告。虽然该公司试图向投资者保证整体增长将保持稳定，但这一消息凸显了芯片行业不断升级的地缘政治紧张局势。以下是主要亮点的细分。财务业绩ASML 公布了稳健的第三季度业绩，尽管净利润持平，但预订量超出预期：净销售额：77 亿欧元，同比增长 8%，但略低于分析师预
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ASML EUV 芯片工具
- 据《韩国经济日报》报道，据报道，三星将于今年晚些时候收到其首款高数值孔径 （high-NA） EUV 扫描仪——Twinscan EXE：5200B，随后将于 2026 年上半年推出第二台扫描仪。报告补充说，虽然该公司已经在其华城市园区运营了一种研究用途的高 NA EUV 工具，但新系统将标志着其首次旨在大规模生产的收购。报告指出，竞争对手台积电目前正在测试该系统的研发版本，但尚未将其部署用于商业规模制造。报道援引消息人士的话称，SK海力士在9月份证实已经订购了生产级高NA EUV系统。据报道援引消息人士
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- 荷兰半导体设备制造商ASML第三季订单表现优于分析师预期，并表示明年销售额将至少与2025年持平，主要受惠于全球企业大规模投资AI领域、对芯片制造设备的需求。同时，ASML也警告说，明年来自中国的需求可能大幅下滑。ASML发布了2025年第三季度财报，财报显示第三季度实现净销售额75亿欧元，净利润21亿欧元，毛利率为51.6%，整体表现符合此前预期。更值得关注的是，本季度新增订单金额达到54亿欧元，其中EUV（极紫外光刻）订单高达36亿欧元，占比超过三分之二，充分反映出全球半导体制造商对先进制程光刻设备的
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- 据Tom's hardware报道，台积电（TSMC）作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML极紫外光（EUV）光刻机。2019年首次于华为麒麟9000处理器导入EUV后，台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量，经过多年的积累，台积电目前已经累积了约200多台EUV光刻机，在2024~2025年还新增了60多台，以支撑先进制程扩产需要。自2019年以来，台积电通过自身的系统级优化及自研EUV光罩保护膜（Pellicle，保护光
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- 根据 The Elec 报道，援引行业消息人士称，三星首次外包光掩模——芯片制造中至关重要的组件。报道称，三星据说正在外包低端光掩模用于内存芯片，这表明其策略是将资源转向 ArF 和 EUV 掩模生产。本月早些时候，三星据报道向美国光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 订购了用于内存生产的 i-line 和 KrF 光掩模。报道补充说，日本的 Tekscend Photomask 也在评估中，预计很快将收到订单。报道指出，由于这些是低端芯片的掩模，三星认为它们泄露技术的
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- 台积电正在重新利用其位于新竹科学园的旧的、已折旧的 8 英寸 Fab 3 来生产极紫外薄膜，并将这种生产引入内部。EUV 薄膜是一种薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止颗粒在 EUV 暴露期间接触掩模。它旨在承受强烈的 EUV 辐射和热应力，同时最大限度地减少光吸收和波前失真。生产薄膜是一种缩短更换周期的方法，并对组件施加更多控制，在 EUV 环境中，该组件必须保护光掩模免受颗粒影响，同时应对极端暴露条件。与旧的 DUV 工艺不同，EUV 系统使用 400 W 光源和局部加热运行，掩模温度接近 1
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- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一
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- 根据韩国媒体 outlet ETNews 的报道，美国和日本正积极通过政府主导的举措将极紫外(EUV)光刻机引入公共研究机构。相比之下，韩国政府在这一领域的推动工作落后于美国和日本，报道暗示。美国 – 国家半导体技术中心加速 EUV 技术采用报告援引行业消息人士称，美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约的阿尔巴尼纳米技术园区完成了 EUV 光刻设备的安装，并计划从 2025 年 7 月开始为企业提供服务。报告还指出，据称 NSTC 计划在 2026 年推出高 NA EUV 设备——
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- 据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出了挑战。目前，ASML的极紫外光（EUV）及高数值孔径（high-NA）EUV光刻机在先进制程中扮演关键角色，通过曝光步骤将电路设计转印至晶圆，随后通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。然而，该英特尔高层认为，随着GAAFET和CFET等3D晶体管结构的发展，芯片制造将更依赖蚀刻技术，而非单纯
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- 台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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