- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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IMEC 曝光后烘烤 EUV 先进芯片产能 光刻胶
- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步骤在高氧浓度环境下进行时，金属氧化物光刻胶（MORs）的剂量响应性能得到了显著改善。金属氧化物光刻胶的技术优势金属氧化物光刻胶（MORs）已成为先进极紫外光刻应用的核心候选材料，相较于化学放大光刻胶（CARs），它具备更高的分辨率、更低的线边缘粗糙度，以及更优异的 “剂量 - 尺寸
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- 2 月 23 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦（ASML）的研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“这不是花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出 1000 瓦功率的系统。”报道称，随着周一公布的这一技术进步，阿斯麦旨在通过改进光刻机中技术难度最高的部分，进一步拉开与所有潜在
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- 阿斯麦（ASML）宣布将极紫外光刻（EUV）设备的核心光源功率提升至1000 瓦，这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升，同时有效降低单颗芯片的制造成本，成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。在极紫外光刻技术中，光源功率是决定光刻机生产效率与芯片良率的核心指标之一。更高的光源功率能够让光刻机在晶圆曝光过程中，实现更快的光刻速度与更稳定的图案转移效果：一方面，更高的功率可缩短单晶圆的曝光时间，提升光刻机的单位时间产能；另一方面，稳定的高功率光源能减少光刻过程中的图案偏差、线宽不均匀等问题，大幅
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- 据《日经亚洲》报道，日本研究机构Global Net数据显示，2025年全球芯片设备厂商前20强中有3家中国企业，较2022年美国出口限制前新增2家。这三家公司分别是北方华创、中微公司和上海微电子。值得注意的是，若将范围扩大至排名前30名的企业，还将新增两家中国企业：盛美上海和华海清科。北方华创、中微、上海微、盛美上海、华海清科上榜TOP30这一变化既展现了国产设备凸显群体崛起态势，也印证了美国出口管制未达遏制目的，反而倒逼中国半导体供应链自主化加速，激发了本土产业韧性。北方华创具体排名中，北方华创的排名
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- 全球最大的先进芯片荷兰制造商ASML在公布其销售额连续第十三年实现增长后，CEO克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在声明中表示，计划裁减约1700个工作岗位，作为其技术和IT运营重组的一部分。此次裁员人员主要涉及管理层，人数约占员工总数的4%，大部分裁员将在荷兰进行，美国也有部分职位被裁减。ASML表示，一些领导职位可能不再需要，同时将创建新的工程职位以支持正在进行和未来的项目。“虽然这将使一些受影响的同事能够转移到新的岗位，但我们必须承认，有些人将因此离开阿斯麦公司”。此举旨在加强
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- 三星电子将首次在美国泰勒晶圆厂推出“极紫外（EUV）薄膜”，这是一种提升先进半导体工艺生产力的关键组件。此前尚不清楚是否会引入，但通过订购关键设备几乎确认了申请。根据22日的行业报道，三星电子已在美国德克萨斯州泰勒工厂订购极紫外涂层设备。FST将收到价值250亿韩元的极紫外膜剥离与附着设备及检验设备订单。极紫外膜是安装在光罩上的超薄保护元件，用于曝光过程。半导体将光体现在带有预先绘制电路的光罩上，并被嵌入晶圆上。通过施加极紫外膜，可以防止细颗粒和污染物粘附光罩表面，从而减轻产率劣化。为了在暴露设备中使用极
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- 随着计算技术的进步，越来越多的先进芯片应运而生。最新一代 3 纳米和 2 纳米制程芯片的尺寸极小，传统光源波长已无法在如此精细的尺度上实现可靠的图形光刻。这一挑战并非新题 —— 半导体行业长期以来一直使用深紫外光刻（DUV）技术在硅片上进行光刻加工。但要实现最先进芯片设计的纳米级精度，就需要波长更短的光源。这种光源及对应的光刻技术被称为极紫外光刻（EUV）。中国 EUV 原型机提前问世图注：更短、更精准、更纤薄：技术的巨大飞跃，蔡司（ZEISS）数据显示，EUV 技术制造的结构精度达 13.5 纳米，比人
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- 中国朝向国产紫外真空光刻能力的漫长进程似乎正在缩小，近期发展显示进展速度超乎预期。据路透社报道，消息人士称中国已组装了一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机。正如报道所示，消息人士称中国政府目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片，尽管2030年被视为更现实的目标。原型机的存在表明，中国距离半导体自给自足可能比此前预期的更近数年。报道援引消息人士称，原型机于2025年初完成，目前正在进行测试。报告补充说，虽然该机器已运行并具备极紫外光的能力，但尚未生产出可工作的芯片。据报道，前ASML工程师参与了
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- 全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）首席执行官克里克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在专访时，谈到了被禁止向中国出口所有EUV设备及最先进的深紫外（DUV）光刻设备，就当前西方对华光刻机出口限制政策，抛出了一番充满矛盾的“技术制衡论”，引发行业广泛关注。眼下，阿斯麦正面临严苛的出口管制约束：被禁止向中国出口所有极紫外（EUV）光刻设备，以及技术最先进的深紫外（DUV）光刻设备。他重申其观点，认为“应向中国适度输出技术以防其自主研发形成竞争力”；同时，在他看来在对华技术出口限制问题上，西方
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- 近年来，首次直接解决了EUV光刻中二次电子噪声的统计及其对缺陷概率的影响[1]。在本文中，我们将考虑一些更新的 EUV 抗蚀剂模糊模型，包括化学放大 （CAR） 和金属氧化物 （MOR） 类型。首先，让我们回顾一下推导 EUV 随机缺陷概率的过程，同时考虑二次电子噪声。光子吸收的特征是经典的分裂或变薄泊松分布[2]。假设每个吸收的EUV光子释放的电子数遵循整数的均匀分布作为概率质量函数[1]。当考虑电子散射时，由此产生的有效“模糊”将嘈杂的光子吸收曲线替换为以模糊比例参数为特征的平滑曲线。然而，这只会更新
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- 目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm（分别代号A14与A10）—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上，这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决，但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备，而是转向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻机？从早期的深紫外
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- 荷兰半导体设备巨头、芯片制造光刻机的主要供应商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日发布了 2025 年第三季度财报。结果显示，在人工智能需求的推动下，订单量强劲，但也对 2026 年对中国的销售额将大幅下降发出了严厉警告。虽然该公司试图向投资者保证整体增长将保持稳定，但这一消息凸显了芯片行业不断升级的地缘政治紧张局势。以下是主要亮点的细分。财务业绩ASML 公布了稳健的第三季度业绩，尽管净利润持平，但预订量超出预期：净销售额：77 亿欧元，同比增长 8%，但略低于分析师预
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- 据《韩国经济日报》报道，据报道，三星将于今年晚些时候收到其首款高数值孔径 （high-NA） EUV 扫描仪——Twinscan EXE：5200B，随后将于 2026 年上半年推出第二台扫描仪。报告补充说，虽然该公司已经在其华城市园区运营了一种研究用途的高 NA EUV 工具，但新系统将标志着其首次旨在大规模生产的收购。报告指出，竞争对手台积电目前正在测试该系统的研发版本，但尚未将其部署用于商业规模制造。报道援引消息人士的话称，SK海力士在9月份证实已经订购了生产级高NA EUV系统。据报道援引消息人士
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- 荷兰半导体设备制造商ASML第三季订单表现优于分析师预期，并表示明年销售额将至少与2025年持平，主要受惠于全球企业大规模投资AI领域、对芯片制造设备的需求。同时，ASML也警告说，明年来自中国的需求可能大幅下滑。ASML发布了2025年第三季度财报，财报显示第三季度实现净销售额75亿欧元，净利润21亿欧元，毛利率为51.6%，整体表现符合此前预期。更值得关注的是，本季度新增订单金额达到54亿欧元，其中EUV（极紫外光刻）订单高达36亿欧元，占比超过三分之二，充分反映出全球半导体制造商对先进制程光刻设备的
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