- 中国正在加大对光刻设备的投资，转向本土工具，以寻求在美国出口限制下的更大技术独立性。据《商业时报》援引京畿21日报道，中国科技部于25日宣布将投资约1.1亿元人民币，授予由国产设备制造商SMEE（上海微电子设备）生产的步扫描光刻系统合同。报告援引业内消息称，SMEE隶属于上海电集团，被视为中国半导体设备行业的核心企业，尤其是在先进光刻工具的研发制造领域。今年五月，SMEE声称其90nm ArF光刻系统已进入量产阶段。获奖石版印刷工具的潜在细节据21京记所述，该产品型号为SSC800/10，“SSC”是首次
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- 日本大日本印刷公司（DNP）最近宣布成功开发出纳米印刻光刻（NIL）技术，其电路线宽可达10纳米。该技术旨在实现1.4nm级逻辑半导体电路的图案化。客户评估已经开始，目标于2027年实现大规模生产。公司预计该技术将继续支持智能手机、数据中心、NAND闪存及其他应用中先进逻辑芯片的微型化。DNP计划在即将于东京大视野举办的2025年日本SEMICON展上展示10nm线宽NIL技术。随着终端器件性能的持续提升，对更先进逻辑半导体节点的需求稳步上升，推动了极紫外（EUV）光刻技术的技术进步。然而，极紫外核技术需
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- 据报道，中国通过逆向工程旧ASML工具制造出极紫外光刻原型，引起了业界关注。然而，更大的担忧可能不在于技术追赶，而在于现有出口管制中可能存在的漏洞。根据新美国安全中心的一份报告，更大的风险源于中国持续使用旧式光刻设备——这些工具仍可用于大规模制造先进人工智能芯片——通过利用这些空白，使得上一代设备能够在有限监管下获得。尽管有出口管制，为什么DUVi依然重要正如报告指出的，中国芯片制造商已经找到方法推动老旧设备——不属于当前限制的深紫外浸没（DUVi）光刻工具——采用多模式化技术，生产出据称性能更接近前沿的
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- 中国朝向国产紫外真空光刻能力的漫长进程似乎正在缩小，近期发展显示进展速度超乎预期。据路透社报道，消息人士称中国已组装了一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机。正如报道所示，消息人士称中国政府目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片，尽管2030年被视为更现实的目标。原型机的存在表明，中国距离半导体自给自足可能比此前预期的更近数年。报道援引消息人士称，原型机于2025年初完成，目前正在进行测试。报告补充说，虽然该机器已运行并具备极紫外光的能力，但尚未生产出可工作的芯片。据报道，前ASML工程师参与了
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- 11月4日，陕西光电子先锋科技有限公司总经理杨俊宏宣布，“8英寸先进”硅光子集成技术创新平台（“8英寸硅光子学平台”）已正式上线。该平台将为光电和硅光子芯片推广到光子工业中的众多创新实体。该项目总投资7.5亿元人民币，于2023年底开始施工。它推出了130nm硅比利时IMEC的光子工艺设计套件（PDK）配备了60多种关键工具和系统，包括光刻和蚀刻设备。基于130纳米主动集成硅该厂正在开发90纳米以上的先进工艺，建立国产控制的先进制造生态系统。硅光子芯片——通过硅基微纳米制造制造的光电子器件——支持光学调制
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- 虽然我国正在竞相使用与华为相关的 SiCarrier 和 Yuliangsheng 的本土工具来缩小光刻差距，但现实情况是，极紫外 （EUV） 光刻技术仍然是一个完全不同的领域。能够打印 5nm 以下芯片的机器不仅复杂，而且是全球科学合作的巅峰之作。以 ASML 为例，这是一家拥有 EUV 虚拟垄断权的荷兰公司。以英特尔、台积电和三星为主要客户，ASML 的主导地位不仅在于技术领先地位，还在于一个任何国家都无法在一夜之间复制的生态系统。正如《焦点：ASML 之道》所揭示的那样，ASML 并不完全制造 EU
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- 半导体行业的领先供应商ASML（阿斯麦）将于11月5日至10日参加第八届中国国际进口博览会（以下简称“进博会”）。在本届进博会上，ASML将以“积纳米之微，成大千世界”为主题，亮相技术装备展区4.1展馆集成电路专区A1-03展台。ASML在2025年进博会的展台在今年进博会上，ASML将通过短片形式分享其对AI（人工智能）时代下半导体行业所面临机遇和挑战的全球洞察：AI正在深刻影响社会与生活的方方面面，驱动全球对不同制程节点芯片需求的激增。这一趋势加速了创新步伐，也带来算力和能源方面的挑战。推动摩尔定律持
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- 在芯片制造过程中，光刻承担着将集成电路图案转印至晶圆表面的任务，其中通过光刻胶溶解在显影液中形成纳米尺度的电路图形。然而，光刻领域长期存在一个难以窥探的“黑匣子”：即光刻胶在显影液中的微观行为，该行为直接影响光刻图案的精确度与缺陷率。人们对光刻胶聚合物的溶解机制、扩散行为、相互作用及其缺陷形成机理等基本问题仍知之甚少。这也导致工业界的工艺优化长期依赖于反复“试错”，成为制约7nm及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授、高毅勤教授、郑黎明博士与清华大学王宏伟教授、香
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- 这是一场追光人的技术狂欢也是一次深入纳米芯球的探索之旅我们发出光刻英雄帖，集结菁英光刻「芯」势力与ASML共寻技术之美【赛事介绍】ASML光刻「芯」势力知识挑战赛由全球半导体行业领先供应商ASML发起，是一项面向中国半导体人才与科技爱好者的科普赛事。依托ASML在光刻领域的技术积累与行业洞察，赛事致力于为参赛者打造一个深度探索光刻技术的知识竞技窗口，同时培养优秀科技「芯」势力，共同推动摩尔定律演进。本次挑战赛聚焦光刻技术教育普及，通过涵盖光学、物理学知识的专业试题带领参赛者深入了解光刻机、计算光刻、量测等
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- 近日，英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，担任董事会执行董事长，xLight官网上个月也公布了这一消息。xLight是一家面向极紫外（EUV）光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统的初创公司。xLight虽然规模很小，但其团队在光刻和加速器技术领域拥有多年的经验，不仅拥有来自斯坦福直线加速器和其他地方的粒子加速器资深研究人士，其首席科学家Gennady Stupakov博士还是2024年IEEE核能和等离子体科学学会粒子加速器科学
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- 荷兰政府宣布了限制某些先进半导体设备出口的新规定，这些规定将于9月1日生效。具体而言，荷兰政府将要求先进芯片制造设备的公司在出口之前须获得许可证。ASML在其官网发表声明称，该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统（即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统）时，将需要向荷兰政府申请出口许可证。而ASML强调，该公司的EUV系统的销售此前已经受到限制。据ASML官网提供的信息，该公司目前在售的主流浸没式DUV光刻机产品共有三款，分别是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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- 近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当
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- 近日美国商务部工业安全局（BIS）宣布将六项新兴技术添加到《出口管理条例》（EAR）的商务部管制清单（CCL）中。据了解，目前受到出口管制的新兴技术总数已经达到了37项。美国商务部在官网发布公告中写道：“此举是为了支持关键及新兴技术这一国家战略.”“关键技术和新兴技术国家战略是保护美国国家安全，确保美国在军事、情报和经济事务中保持技术领先地位的重要战略部署。”美国商务部部长Wilbur
Ross说道，并表示“美国商务部已经对30多种新兴技术的出口实施了管控，我们将继续评估和确定未来还有哪些技术需要管控
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- 台积电昨天召开了第一次虚拟技术研讨会，公布了3纳米光刻及未来路线计划。过去几年，台积电已经与英特尔旗鼓相当，在半导体领域占据了领导地位。在今年年初英特尔宣布推迟其7纳米工艺后，台积电正抓住机会，以行业领导者的身份继续“攻城略地”。据台积电高级副总裁米玉杰表示，该公司有计划继续提供有意义的节点改进，直到N3及以下。总的来说，7纳米得到了一系列产品系列的支持，而不仅仅是单一的芯片类型或类别，它贡献了台积电2020年第二季度36%的收入。接下来，关于N5和N6节点的一些更新。根据台积电的说法，N6比N5的逻辑密
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- 日前，中国国际半导体技术大会（CSTIC）在上海开幕，为期19天，本次会议重点是探讨先进制造和封装。其中，光刻机一哥ASML（阿斯麦）的研发副总裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能够处理7nm和更先进工艺的设备，EUV技术已经被广泛认为是突破摩尔定律瓶颈的关键因素之一。Yen援引统计数据显示，截至2019年第四季度，ASML当年共售出53台EUV NXE：3400系列EUV光刻机，使用EUV机器制造的芯片产量已经达到1000万片。他说，EUV已经成为制造7nm、5nm和3nm逻辑集成电
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光刻介绍
光刻 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、 [
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