随着芯片厂商设备订单的恢复，欧洲最大的半导体设备制造商ASML报出了2930万美元的净利润，为四个季度来首次盈利。
ASML在今天的声明中表示该公司第三季度净利润为1970万欧元(2930万美元)，即每股5欧分，低于去年同期7330万欧元的利润水平。不过这超过了彭博社调查7位分析师所得出的1060万欧元的市场预期。
该公司首席执行官埃里克·莫里斯(EricMeurice)表示，ASML的设备可以让芯片客户生产出尺寸更小的芯片，随着客户在设备投资上恢复投入，该公司本季度销售额将
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ASML 光刻 半导体设备
半导体设备供应商Mapper Lithography BV公司日前获得荷兰经济事务部名为SenterNoven的机构达1000万欧元(合1470万美元)的补贴。
Mapper公司将利用此笔资金开发试用版设备。公司表示目前正在设计一款无掩模光刻设备的开发。这款设备将含有超过10000道平行电子束，从而将会在晶圆上直接形成图样，降低普通光刻设备上由于采用掩模版而带来的高昂成本。
Mapper将联合股东各方Catena，Technolution，Multin Hittech，Demcon，Del
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在全球金融危机影响下，由于市场的萎缩导致大部分企业都不甚景气，向来红火的半导体业也感觉压力深重。在探讨未来如何发展之中，发现各种矛盾丛生，似乎很难作出决断。
投入多产出少，能持久吗?
SanDisk CEO Eli Harari于近期阐述了自己对于NAND闪存技术未来发展的几点看法，认为NAND闪存产业正处在十字路口，未来的产能需要和产品需求两者之间脱节，也即每年投资巨大, 然而由于ASP下降导致销售额没有相应的增大，利润越来越薄,目前糟糕的NAND闪存产业模式使得制造厂商对于建新厂已逐渐
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有消息称，日本Canon计划裁去步进式光刻部门的700名员工。
这些职位多数都在日本，其中一些员工将转至Canon其他部门，据悉700名员工约占步进光刻部门的30%。
Canon是全球第三的步进光刻设备供应商，排在ASML和Nikon之后，市场份额约为11%。
市场研究公司Gartner预测，2009年步进光刻市场将是艰难的一年，市场销售额预计将减少54%。
Canon预计2012年之前，步进光刻部门不会盈利。
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据报道，台积电的光刻仪供应商Mapper公司已经将300mm光刻设备交货日延期近三个月之久。Mapper的多束e-beam光刻仪原计划于今年第一 季度装备台积电300mm工厂，不过由于技术上的原因Mapper公司拖延了交货日期，此举可能对台积电的制程研发进度造成一定的影响。
台积电CEO蔡力行曾称台积电已在与合作伙伴联合开发22nm及更高规格制程用多束e-beam光刻技术(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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台积电 光刻
按全球第一大光刻设备供应商ASML公司的预估，其Q1的销售额将从08年Q4的4.94亿欧元下降到1.84亿欧元，而去年同期为9.19亿欧元，下降达80%。
ASML预计Q2的销售额在2.1-2.3亿欧元间，因为受工艺制程的进一步缩小推动，产业可能会在今年下半年开始复苏，订单回归到4.0-5.0亿欧元。新的工艺制程会要求购买新的或者升级现有的设备。
如08年仅只有各领域的领先者在购买设备，主要集中在如闪存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客户。预计2009年会加速工艺制
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由SEMI、ECS及中国高科技专家组共同举办的中国国际半导体技术研讨会成功于3月19-20日在上海召开。诺贝尔物理学奖得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel资深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge为大会作主题演讲，为550名与会的国内外半导体产业界人士介绍国际最前沿的纳米技术、微电子技术的发展趋势。本次研讨会的成功召开为提升中国半导体产业的技术水平，将国际最先进的技术与理念引进中国起到了积极的推动
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赛斯纯气体有限公司作为一家气体净化技术设备的世界领导者和供应商日前在2009年国际半导体设备与材料展览会上, 正式宣布引入微污染物检验服务和CollectTorr取样系统, 用于对在中国的光刻和测量设备提供检验。
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世界最大的光刻设备制造商阿斯麦（ＡＳＭＬ）18日宣布，由于全球经济下滑，芯片制造设备需求锐减，该公司计划在半年内裁员1000人，占全球员工总数10％以上。
总部位于荷兰南部城市费尔德霍芬的阿斯麦公司当天发布声明说，裁员计划主要涉及总部和美国的部分生产厂，此外美国的一个培训中心将关闭。裁减对象将主要为临时工。
阿斯麦总裁埃里克·穆里斯说，受半导体产品需求下降、存储器价格低迷和客户资金周转困难的三重夹击，近一段时间国际市场光刻设备需求锐减，“其跌速和跌幅前所未有&rd
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光刻
对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召开了一次内部讨论，并在会上向与会的同仁报告了在这一领域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解决方案事业部今日宣布正式开始供应Dow Corning® XR-1541电子束光刻胶，该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋涂式光刻胶产品系列是以电子束（electron beam）取代传统光源产生微影图案，可提供图形定义小至6纳米的无掩模光刻技术能力。
可用于各种高纯度、半导体等级配方的XR-1541电子束光刻胶，是由甲基异丁基酮(meth
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道康宁 硅晶片 光刻
光刻介绍
光刻 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、 [
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