技术问题更让人头痛，随着线宽必须不断缩小的趋势下，厂商面临诸多艰巨的挑战，更多先进的光刻掩膜板工具和材料必须应运而生，但却仅有部份的客户会转移至更小尺寸的产品，而且似乎对于专有光刻掩膜板厂商的依赖也日益加深，因此批发式光刻掩膜板产业必须在一个正在萎缩的市场上找到它的平衡点，既能进行技术升级发展也能兼顾资本成本。
SEMI最近发表了《Photomask Characterization Summary》，对2011年的光刻掩膜板市场提供详细的分析，并以全球七个主要地区，包括北美、日本、欧洲、台湾、
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光刻 掩膜板
1、技术壁垒
半导体分立器件的研发生产过程涉及量子力学、微电子、半导体物理、材料学等诸多学科，需要综合掌握外延、微细加工、封装等多领域技术工艺，并加以整合集成，属于技术密集型行业。随着下游电子产品的升级换代，电子产品呈现多功能化、低能耗、体积轻薄的发展趋势，新产品、新应用的不断涌现，对半导体分立器件的制造封装工艺等方面提出了更高的技术要求，同时半导体分立器件差别化应用领域的快速拓展，光伏、智能电网、汽车电子、LED照明等跨领域的产品需求，对生产厂商专用半导体分立器件的配套设计能力也提出了更高的要
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半导体 光刻
SUSS MicroTec，宣布收购位于美国加州科罗娜的Tamarack Scientific公司。两家公司已经签署相应的收购协议。协议约定，SUSS MicroTec以总价934万美元外加盈利能力，收购100%的Tamarack公司股份，额外的盈利能力主要取决于Tamarack公司未来三个财年收入的增长情况。
市场对更多功能和更高性能电子设备需求日益增长，进一步推动对更高性能、更高复杂度半导体元件的需求。这种趋势将在不久的将来显现出来，促使半导体后道工艺采用创新技术。在过去两年里，SUSS M
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Tamarack 光刻
美国科学家通过纳米模版光刻技术(nanostencillithography)在可弯曲式基板上制作出大范围的纳米图案。这个...
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光电 纳米 光刻
2011年8月26日，中共中央政治局常委李长春来华微电子调研。18时45分，中共中央政治局常委李长春一行来到华微电子六英寸新型功率半导体器件生产线(即芯片四部)门前，在公司夏增文董事长的陪同下参观了该生产线。李长春首先观看了设置在该生产线一楼大厅内的企业文化宣传板，随后深入生产车间，身穿白色的防尘服，先后参观了扩散工序、PVD区、光刻工序和中测工序，详细了解了芯片制造工艺及流程、产品结构、生产规模、市场前景及公司发展目标等情况。
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华微 模拟器件 光刻
在半导体制程中，曝光制程非常重要，因此作为其核心材料的光刻胶(Photoresist)占较大的生产成本，在技术与产业方面的重要性也非常高。根据DisplayBank统计，2011年用于韩国国内半导体产业的光刻胶量约为25万~30万加仑，产值约达3,000亿韩元(约2.58亿美元)的规模。
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半导体 光刻 LCD
据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
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DRAM 光刻
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围，刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步，有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术，但EUV光刻还面临一些棘手的问题，如强光源和光掩膜保护膜等，而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。
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光刻 EUV
台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头，不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言，在提供的产品方 面，Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样)，而相比之下，台积电的28nm制 程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION绝缘层两种工艺可供用户选择。另外，两者对待450mm技术的态度也不相同，台积电是450mm的积极推进者， 而Globalfoundries及其IBM制造技术联盟的伙伴们则对这项技术鲜有公开表
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芯片制造 光刻
SUSS MicroTec AG的全资子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到几十份MaskTrack Pro设备订单。MaskTrack Pro于2009年投产，是用于下一代光刻领域的完整掩膜流程平台。
对于亚22nm 193nm浸没式光刻、EUVL深紫外光刻、NIL接触式纳米压印技术等先进光刻工艺的掩膜版，MaskTrack Pro是目前已知唯一可以实现清洗、烘烤和显影步骤的设备。MaskTrack Pro结合物理和化学清洗技术，能有效去除有机和无机
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HamaTech 光刻
ASML公司于10月13日公布其未经审计的Q3业绩
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ASML 光刻
在SEMICON West举行的Sokudo光刻论坛上对于实现22nm的各类光刻技术的进展、挑战与未来市场前景进行了热烈的讨论。
作为193nm光刻技术的接替者，ASML仍是全球EUV(远紫外光光刻机) 技术的领先供应商。该公司的首台NXE3100机器将如期发货，目前正在作最后的组装及测试。尽管如此，由于EUV技术中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此类技术的主要挑战。另外，为了达到工业使用指标急需投入大笔资金。
Nikon指出它仍继续采用两次图形曝光方法來延伸193nm高NA(数值孔径)
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ASML 22nm 光刻
在最近召开的SemiCon West产业会议上， Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示，公司将在纽约Fab8工厂建成后马上开始在这家工厂部署EUV光刻设备，按之前 Global Foundries公布的计划，这个时间点大概是在2012年下半年，与之巧合的是，光刻设备厂商ASML公司也将于这个时间点开始上市EUV光刻设备。
由
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GlobalFoundries 15nm 光刻
新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年， 仍然未能投入实用。极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist)，也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射 非常敏感，这样才能刻出图案，但同时又必须能够抵御随后的蚀刻和其他处理步骤。
Intel公司内部一直在用微曝光设备(MET)对各种不同材料进行试验和评估，目的就是寻找一种能够同时满足高敏感度、高分辨率、低
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Intel 光刻
美科学家设计出简便快速的纳米电线制造方法，只需加热即可将氧化石墨烯转为导电物质
据美国物理学家组织网6月10日报道，美国一联合研究小组称，他们在利用石墨烯制造纳米电路领域获得了突破：设计出了简便、快速的纳米电线制造方法，能够 调谐石墨烯的电学特征，使氧化石墨烯从绝缘物质变成导电物质。这被认定为石墨烯电子学领域的一项重要发现，相关研究报告发表在6月11日出版的《科学》杂 志上。
纳米电路的研究人员之所以对于石墨烯的研究颇具热忱，是因为与硅相比，电子在石墨烯内移动时会受到更小的阻力，而硅晶体管
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纳米 光刻
光刻介绍
光刻 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、 [
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