日本开发10纳米印记技术，有望解决极紫外（EUV）瓶颈问题

日本大日本印刷公司（DNP）最近宣布成功开发出纳米印刻光刻（NIL）技术，其电路线宽可达10纳米。该技术旨在实现1.4nm级逻辑半导体电路的图案化。客户评估已经开始，目标于2027年实现大规模生产。公司预计该技术将继续支持智能手机、数据中心、NAND闪存及其他应用中先进逻辑芯片的微型化。

DNP计划在即将于东京大视野举办的2025年日本SEMICON展上展示10nm线宽NIL技术。

随着终端器件性能的持续提升，对更先进逻辑半导体节点的需求稳步上升，推动了极紫外（EUV）光刻技术的技术进步。然而，极紫外核技术需要大量资本投资用于晶圆厂建设和光刻工艺，同时也面临高能耗和环境负担的挑战。

在此背景下，DNP自2003年以来持续开发纳米印记技术。通过直接将电路图案印印在基板材料上，该方法为芯片制造商提供了减少光刻相关能耗和优化某些工艺步骤成本结构的替代途径。

值得注意的是，新推出的10nm线宽NIL技术可在部分图案化阶段替代EUV光刻，为尚未部署EUV工具的半导体制造商提供了另一种先进逻辑工艺的选择。此外，基于纳米印记技术的超精细半导体制造可将光刻工艺的能耗降低至当前主流工艺的约十分之一。

目前，DNP已与半导体制造商洽谈，并启动了新NIL技术的评估项目。公司表示将继续推进纳米印记技术，并根据未来市场扩张扩大产能，将业务定位为半导体细分市场中的关键增长驱动力。