随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。定制 HBM 更
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随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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就在三星显示（Samsung Display）近期接连在美国起诉中国京东方和华星光电之际，韩国另一家显示面板巨头LG显示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美国德州东区地方法院对中国另一家显示面板巨头天马微电子发起了专利侵权损害赔偿和陪审团审理诉讼。与三星显示和京东方、华星光电争议的主要是OLED面板不同，此次LGD对天马微电子提出的诉求主要还是LCD面板，尤其是应用在目前汽车行业，此外也包括对OLED的投诉。LGD在起诉书中指控天马微电子侵犯7项美国专利：US8,416,166（
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在持续进行的半导体行业竞争中，台积电和三星电子正激烈争夺2纳米芯片制造的领先地位。据最新报道，两家公司计划于2025年下半年开始2纳米芯片的大规模生产。然而，由于良率优势，台积电在获取订单方面处于领先地位。台积电已开始接收其 2 纳米工艺的订单，预计将在其新竹宝山和高雄晶圆厂进行生产。这标志着该公司首次采用环绕栅极（GAA）架构。新工艺预计将比当前的 3 纳米工艺提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶体管密度。主要客户据报包括 AMD、苹果、英伟达、高通和联发科。值
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Cadence 和三星晶圆厂扩大了他们的合作，签订了一项新的多年 IP 协议，并在最新的 SF2P 和其他先进工艺节点上联合开发先进的 AI 驱动流程。具体来说，这项多年的 IP 协议将扩展 Cadence 内存和接口 IP 在三星晶圆厂的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先进工艺节点上。通过利用 Cadence 的 AI 驱动设计技术和三星的先进 SF4X、SF4U 和 SF2P 工艺节点，这项合作旨在为 AI 数据中心、汽车、ADAS 和下一代射频连接应用提供高性能、低功耗的解决方案。“我们支持在三
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据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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一块厚度不足毫米的玻璃板，正引发英特尔、三星和台积电之间一场静悄悄的竞赛。
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作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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机器人正迅速成为全球科技公司的关键增长领域。根据彭博社报道，三星和英伟达据计划收购 Skild AI 的少数股权，作为他们加强在消费机器人领域存在感的努力的一部分。据报道，三星将投资 1000 万美元给 Skild，而 NVIDIA 据报道将投资 2500 万美元，彭博社称。这笔融资是 Skild B 轮融资的一部分，该轮融资使公司估值约为 45 亿美元，据报道，日本软银集团承诺提供 1 亿美元的支持。同时，该报告还提到，其他韩国大型企业——包括 LG、韩华和未来资产——每个都在 Skild 投资了 50
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随着美光（争夺 NVIDIA HBM 订单的主要竞争对手）宣布已交付其第一批 12 层 HBM4 样品，据报道，三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时跌跌撞撞。据《商业邮报》援引证券分析师的话称，该公司现在的目标是在 9 月进行重新测试。尽管 Deal Site 此前表示，三星的 12 层 HBM3E 已在 5 月通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需要进行全封装验证。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以来一直在提
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台积电在全球芯片市场保持主导地位，但三星老二地位岌岌可危，不只追不上台积电，还面临来自陆厂中芯国际（SMIC）日益成长的巨大压力，三星与中芯的市场占有率差距正迅速缩小。 主因中芯受惠本土半导体需求，在7奈米和深紫外线（DUV）曝光机设备也取得进展。根据外媒wccftech报导，台积电一直是芯片领域的领导者，成功关键在于快速导入先进制程技术，是英伟达、苹果与超威等大客户的首选伙伴，竞争对手相比之下，创新脚步相当迟缓，未能快速开发新制程，现有制程节点也面临挑战，举例如三星在芯片产业发展不佳。报导指出，根据Tr
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三星电子最近与英飞凌和恩智浦等行业领导者合作，共同开发下一代汽车半导体技术解决方案，旨在满足未来智能汽车对高性能计算芯片日益增长的需求。随着自动驾驶技术的快速发展，汽车芯片对算力的需求也在激增。利用其在内存和处理器技术方面的优势，三星正在逐步将最初用于移动设备的先进工艺技术逐步引入汽车制造领域。合作集中在几个关键领域：基于 5nm 工艺技术的汽车级处理器的开发、内存和处理器的优化协同设计、增强极端温度条件下的芯片稳定性，以及改进的实时处理能力和安全功能。值得注意的是，这些新开发的芯片将支持尖端的神经处理单
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由于全球芯片供应过剩削弱了早期的乐观预期，三星计划在美国德克萨斯州投资超过370亿美元的半导体制造项目建设进度滞后。据韩国业界消息，截至4月22日，三星电子位于德州泰勒市的工厂建设进度已达99.6%，通常情况下应开始搬入设备，但三星目前仍在犹豫是否下单。自2022年动工以来，泰勒工厂的建设时间表已多次推迟。该厂最初计划于2024年下半年投入运营，后调整至2025年，2025年初又进一步推迟至2026年。同时，三星在本土也推迟了部分工厂建设进度，并在整体需求低迷的背景下缩减了投资。补贴面临不确定性三星的泰勒
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美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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