- 三星最新推出的Galaxy Watch 7,继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处,同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款,目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分析,我们将揭示这款设备在智能手表领域脱颖而出的原因。 Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000处理器。这款最新的Exyn
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三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 处理器 3nm GAA
- 三星今日宣布,已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。三星半导体LPDDR5X移动内存产品图此次10.7Gbps运行速度的验证,使用三星的16GB LPDDR5X封装规格,基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作,仅用三个月就完成了验证。"通过与联发科技的战略合作,三星已验证了其最快的LPDDR5X
DRAM,该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场,"三星电子内存产
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三星 联发科技 天玑 LPDDR5X
- 7 月 17 日消息,韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文,爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注:硅电容(Silicon Capacitor)通常采用 3 层结构(金属 / 绝缘体 / 金属,MIM),超薄且性状靠近半导体,能更好地保持稳定电压以应对电流变化。硅电容具有许多优点,让其成为集成电路中常用的元件之一:· 首先,硅电容的制造成本较低,可以通过批量制造的方式大规模生产。· 其次,硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单,易于加工和集成,硅电容的失效率较低
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三星 Exynos 2500 芯片 硅电容
- 7月14日消息,据媒体报道,三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行,这一频率不仅超越了此前的预期,而且比苹果A15 Bionic更省电,效率表现更为出色。此前,有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心,特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中,对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认,强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定,产
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- 自三星电子官网获悉,7月9日,三星电子宣布将向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工艺和先进2.5D封装技术的Interposer-Cube S(I-Cube S)一站式半导体解决方案。据介绍,2.5D先进封装I-Cube S技术是一种异构集成封装技术,通过将多个芯片集成在一个封装中,从而提高互连速度并缩小封装尺寸。声明中称,Preferred Networks的目标是借助三星领先的代工和先进的封装产品,开发强大的AI加速器,以满足由生成式AI驱动的日益增长的计算需求
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三星 2nm AI芯片
- IT之家 7 月 11 日消息,三星确认 Bixby 将很快获得人工智能升级。在 Galaxy Z Flip 6 和 Galaxy Z Fold 6 发布后,三星移动部门 CEO TM Roh 在接受 CNBC 采访时表示,公司将在今年晚些时候发布升级版 Bixby,并由三星自家的大语言模型(LLM)提供支持。Roh 表示:“我们将通过应用生成式人工智能技术来提升 Bixby 的能力。”几个月前,三星推出过名为“Samsung Gauss”的自研 LLM。此前曾有报道称三星正在研发升级版 Bix
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- 据外媒报道,台积电的2nm制程工艺将开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产,生产设备已进驻厂区并安装完毕,相较市场普遍预期的四季度提前了一个季度。芯片制程工艺的风险试产是为了确保稳定的良品率,进而实现大规模量产,风险试产之后也还需要一段时间才会量产。在近几个季度的财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家是多次提到在按计划推进2nm制程工艺在2025年大规模量产。值得一提的是,台积电在早在去年12月就首次向苹果展示了其2nm芯片工艺技术,预计苹果将包下首批的2nm全部产能。台积电2nm步入GAA时代作为3n
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台积 三星 2nm 3nm 制程
- 三星一直想透过3纳米技术超车台积电,但结果始终不如预期,相较台积电已经取得多位大客户的订单,并反映在财报上,三星3纳米技术甚至被爆出良率一度只有0%,即使高层坚称「很稳定」自家人韩媒不买账,直言很多大厂都没有明确要下订单。 韩媒DealSite此前曾爆料,三星生产Exynos 2500处理器时,良率一度仅有0%,加上知名分析师郭明錤日前撰文表示,高通将成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供货商,原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期,因此无法出货。接二连三的消息都显示,三星3纳
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三星 3纳米 良率
- 三星电子9日宣布获得日本AI新创公司Preferred Networks订单,将提供GAA 2纳米制程及2.5D I-Cube S封装技术的一站式解决方案,协助Preferred Networks发展强大的AI加速器,应付快速扩大的生成式AI运算需求。 自从三星率先将GAA晶体管技术应用到3纳米制程后,便持续强化GAA晶体管技术,成功赢得Preferred Networks的GAA 2纳米制程订单。这也是三星首度与日本业者进行大尺寸异质整合封装技术合作,有助日后进一步抢攻先进封装市场。 三星2.5D先进封
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三星 2纳米 AI芯片
- AI应用热!SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂,积极投入高带宽内存(HBM)产能扩充计划,市场人士估计,2025年新增投片量约27.6万片,总产能拉高至54万片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零组件,根据外媒拆解,英伟达H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超过生产封装。HBM经历多次迭代发展,进入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相继采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场,而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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- 内存和存储芯片制造商三星发布了其首款容量高达60TB的企业级固态硬盘(SSD),专为满足企业用户的需求而设计。得益于全新主控,三星表示未来甚至可以制造120TB的固态硬盘。对比2020年发布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存、堆叠层数为96层、最大容量为15.36TB,显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。三星以往的固态硬盘容量上限为32TB,此次推出的BM1743固态硬盘则将容量提升至了惊人的60TB。值得注意的是,目前三星在该细分市场将面临的竞争相对较少,因
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三星 固态硬盘 V-NAND
- 韩国三星电子表示,因人工智能AI需求畅旺,内存芯片的售价因此也水涨船高,上季营业利益可望飙升约15倍,比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估,集团整体第2季营利为10.4兆韩元,约75亿美元,年增1,452.2%。同时,营收也大增23.3%,达74兆韩元。不过,三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季,是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后,全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外,三星第2季的营利,也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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三星 内存
- 7月3日消息,三星今天正式发布了其首款3nm工艺芯片——Exynos W1000。这款芯片专为可穿戴设备设计,预计将应用于即将推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺,搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心,其中大核心的主频达到1.6GHz,小核心主频为1.5GHz。与前代产品Exynos W930相比,W1000在单核性能上实现了3.4倍的提升,在多核性能上更是达到了3.
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- 财联社7月4日电,韩国媒体NewDaily报道称,三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试,三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。
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- ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机,业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究,寻找合适的解决方案,计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道,Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元,甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元,High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元,是EUV光刻机的两倍多
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年,正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月,三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年,三星电子不断加大在中国的投资与合作,已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元,跃入中国一流企业的水平。2003年,三星品牌价值108.5亿美元,世界排名25位,被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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