6月24日，三星电子旗下的韩国半导体和显示器制造设备公司表示，第一台名为“Omega Prime”的设备已于去年供货，Semes正在制造第二台设备。Semes表示，在Omega Prime设备上应用了喷嘴、烘烤温度和机器人位置自动调整系统，以消除涂布层的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂胶/显影设备，并在此基础上开发了ArF版本，以支持波长更短的新型光刻机。
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6月25日消息，据国外媒体报道称，自从美国对中国实施半导体领域制裁以来，韩国最难受，因为其半导体旧设备库存积压严重。韩国半导体旧设备库存积压严重，仓储成本让三星电子、SK海力士非常难受，所以可能会进行一次全面清理，售卖来自美国和欧洲的旧设备，以换取数亿美元现金。自2022年10月起美国开始限制对华半导体设备出口（包括二手设备）以来，韩国半导体制造商已将大部分旧设备放在仓库中。在美国的压力下，三星仅向中国出售较旧的、更容易制造的后段工艺设备，但不出售前段工艺设备；SK海力士同样不出售来自美国、欧洲的旧的前段
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6月21日消息，据日媒报道，在CoWoS订单满载、积极扩产之际，台积电也准备要切入产出量比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装技术。而在此之前，英特尔、三星等都已经在积极的布局面板级封装技术以及玻璃基板技术。报道称，为应对未来AI需求趋势，台积电正与设备和原料供应商合作，准备研发新的先进封装技术，计划是利用类似矩形面板的基板进行封装，取代目前所采用的传统圆形晶圆，从而能以在单片基板上放置更多芯片组。资料显示，扇出面板级封装（FOPLP）是基于重新布线层（RDL）工艺，将芯片重新分布在大面板上进行互连的
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6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC，该工艺相较于前代4nm FinFET工艺，在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而，低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台，这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望，该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
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IT之家 6 月 21 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未来能否用于 Galaxy S25 系列手机尚不明朗。韩媒报道指出，三星电子一般要到芯片良率超过 60% 后才会开始量产手机 SoC，目前的良率水平离这条标准线还有不小距离。三星电子为 Exynos 2500 芯片量产定下的最晚时间是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部门还有一段时间提升下代旗舰自研手机 SoC 的良率。如果到时良率仍然不足，那三
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眼看人工智能（AI）市场需求快速扩大，全球半导体业争夺人才的竞争日益白热化。韩媒披露，根据LinkedIn截至6月18日的数据，AI芯片龙头英伟达有515名员工是从三星电子挖角，而三星也还以颜色，不但从英伟达挖来278人，还从台积电挖走195人。但目前挟着AI芯片霸主光环的英伟达，还是最大赢家。 韩国朝鲜日报20日根据专业社交网站领英（LinkedIn）截至今年6月18日为止资料统计，英伟达近日新进员工有89人是从台积电跳槽，反观台积电仅12名新进人员是从英伟达跳槽。英伟达也有515名新进员工是从三星电子
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三星下一代旗舰手机Galaxy S25系列，可能完全采用高通处理器，原因是三星自家Exynos 2500处理其3纳米制程良率低于预期，导致无法出货，而台积电为高通Snapdragon 8 Gen 4处理器独家代工厂，可望跟着受惠。若上述消息成真，对韩国最大企业三星是一大打击，也凸显其晶圆代工技术看不到台积电车尾灯。天风证券分析师郭明錤日前在社群平台X发文表示，高通可能成为Galaxy S25系列唯一的处理器供货商，关键在于三星的Exynos 2500处理器其3纳米晶圆代工良率低于预期，可能导致无法出货。而
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台积电3纳米产能供不应求，预期订单满至2026年，日前传出台积电3纳米代工价调整上看5％以上，先进封装明年年度报价也约有10％～20％的涨幅。韩媒撰文指出，台积电涨价三星并未获得转单好处，主因大客户优先考虑的并非价格，而是高良率与先进制程的可靠生产力。 韩媒BusinessKorea以「台积电涨价仍留住客户的原因是什么？」为题撰文指出，辉达执行长黄仁勋6月初在台北国际计算机展期间，曾表示支持台积电提高代工价格，并表示苹果、高通等也将会接受台积电涨价。由于台积电3纳米供应严重短缺，产生继续涨价的空间，报导续
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随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND 闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前，NAND 闪存市场的竞争正在加剧，存储巨头三星和 SK 海力士正加紧努力，以提升 NAND 产品的性能和容量。两大巨头轮番出手三星投产第九代 V-NAND 闪存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，这将有助于巩固其在 NAND 闪存市场的卓越地位。那么 V-NAND 闪存是什么呢？众所周知，平面 NAND 闪存不仅有 SLC、MLC 和 TLC 类型之分，
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随着AI风潮席卷全球，相关人才争夺战已经逐渐白热化，而身为AI霸主的英伟达更是许多工程师心中的梦幻企业。不过据韩媒报导，在英伟达大力吸引韩国在内的全球工程师之际，人才流失严重的三星电子也不甘示弱从英伟达挖角，连台积电、美光与英特尔等半导体厂商都成为挖角对象。 韩国《朝鲜日报》以招聘平台领英的数据所做的分析结果显示，在英伟达的员工当中，有515人（以加入领英为基准）来自三星电子，而三星则从英伟达挖走278人。面对庞大的人才流失，三星除了从英伟达挖角，还从台积电、英特尔与美光下手。三星电子有195名员工来自于
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不当AI芯片边缘人？三星近日宣布重大决策，将投资图形处理单元 （GPU）领域，外界联想是否与GPU巨头英伟达正面竞争。业界认为，此投资案可望强化三星在GPU领域竞争力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半导体制造流程，而不是推出新款GPU产品，游戏玩家别期待了。 韩媒Business Korea报导，三星投资GPU的细节并未对外揭露，但这次决策与以往专注于内存、晶圆代工等服务有所不同，格外引人瞩目。部分市场人士解读，这项投资是三星的内部策略，目的在于利用GPU来提升半导体制程创新，而不是要开发、制造GP
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根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥
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IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
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IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。活动中，三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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