美光科技股份有限公司近日宣布，已出样多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载，从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个 DIMM 插槽内存超过 128GB 的应用，美光 MRDIMM 提供最高带宽、最大容量、最低延迟以及更高的每瓦性能，在加速内存密集型虚拟化多租户、高性能计算和 AI 数据中心工作负载方面，表现优于当前的 TSV RDI
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近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
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AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日发布了2024 年可持续发展报告，详细介绍了美光在可持续发展方面的进展，彰显了其屡获殊荣的可持续发展成果，并进一步强化了对可持续发展和前沿技术的承诺。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技术进步，这将在未来几年创造新的重大机遇。2024 年可持续发展报告彰显了我们当前的承诺和未来的雄心，即通过技术惠及我们的社区和地球。通过不懈努力，我们已经取得了稳步进展，我期待公
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什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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日前，美光（Micron）举行2024年Q3财报电话会议。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在报告中提到，其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂预计将于2027财年投入运营，而纽约州的克莱晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。2022年，美光曾宣布拟于未来20年投资1000亿美元，在纽约州克莱建设大型晶圆厂项目。其中包含2座晶圆厂的首阶段项目将耗资200亿美元，定于2029年投运。此外，美光还计划未来在纽约州克莱再建设两座晶圆厂，目标2041年投运。同年，美光还宣布计划在10年内投资150亿美
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据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。此外，目前美光最大的
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IT之家 6 月 28 日消息，美光在业绩演示文稿中表示，其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运：译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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内存大厂美光预计6月26日公布季报，自美光的高带宽内存（HBM）开始供货给辉达后，已化身为AI明星股，年初至今，美光股价大涨近七成，市值大增636.26亿美元，至1,545.22亿美元。 市场分析师预期，美光经营层将大谈需求改善、行业供应紧张、价格进一步上扬，以及他们供应给辉达和其他AI芯片厂商的HBM，下一世代的发展，提出对后市正向的看法。由于AI应用的需求，人们对DRAM、HBM的兴趣与日俱增，且内存市场通常存在「FOMO」（Fear of missing out）现象，意思是「害怕错失机会」，在美光
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在人工智能（AI）热潮席卷全球下，带动市场对于高带宽内存（HBM）需求大幅增长，造成产能紧张。知情者透露，美国内存芯片大厂美光（Micron）为掌握更多HBM产量，正在美国打造多条测试生产线以求扩大产能，并首度考虑在马来西亚生产HBM，同时扩大在台中的产能。 日本经济新闻20日报导，美光今年6月初曾经表示目标在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，达到25％附近，这跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正积极要在HBM领域追上韩国SK海力士与三星电子。知情者表示，美光正扩大其爱达荷州博伊
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中国台湾美光内存后里厂20日下午5点34分发生火警，火势快速扑灭，无人伤亡，美光昨深夜发出声明指出，台中厂火警厂区营运未受任何影响。 台中市消防局昨日傍晚5时34分获报，中国台湾美光位在后里区三丰路的厂房发生火灾，消防局抵达时厂区人员已将火势扑灭，无人受伤，原因有待厘清。根据经济日报报导，美光针对台中厂火警一事发出声明，经查证所有员工与承包商安全无虞，且厂区营运未受任何影响。美光是国际三大DRAM厂商，市占约19.2％，与前两大三星及SK海力士合计市占达96％。美光高达65％的DRAM产品在中国台湾生产，
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GDDR 与 HBM 双管齐下，AI GPU 动力十足。
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6月5日，美光科技宣布出样业界容量密度最高的新一代GDDR7显存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，速率高达32Gb/s。性能上，GDDR7的系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升高达60%，并配备四个独立通道以优化工作负载，从而实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超过50%，实现了更优的散热和续航；全新的睡眠模式可将待机功耗降低高达70%。美光GDDR7还具备领先的可靠性、可用性及适用性（RAS），在不影响性
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据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
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近期，日媒报道美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，美光计划投入约51亿美元。上述新厂有望于2026年动工，并安装EUV设备，最快2027年投入运营。据悉，美光曾计划该工厂能在2024年投入使用，然而由于当前市场环境的挑战和不确定性，美光调整了原定的时间表。近年日本积极出台补贴政策吸引半导体大厂赴日建厂，美光同样可以获得补贴。2023年10月，日本经济产业省正式宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1920亿日元的补贴，以支持在日研发下一代芯片。
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美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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